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31. 实用新型

KR2020100000687U 포토마스크 보관 케이스 无效
标题翻译：光掩模存储盒
公开(公告)号：KR2020100000687U
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR2020080009313
申请日：2008-07-14
申请人： 안병홍
发明人： 안병홍
IPC分类号： G03F1/66 , H01L21/027 , G02F1/13
CPC分类号： B65D85/48 , B65D21/0201 , G02F1/1303 , G03F7/70875 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要： 본 고안은 포토마스크 보관 케이스에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 커버의 내부와 외부의 공기가 순환되도록 하여 통풍장치를 설치하여, 기압 및 온도차로 인한 커버의 뒤틀림 현상이 발생하지 않도록 한 포토마스크 보관 케이스에 관한 것이다.
이를 위해, 한 쌍의 커버가 서로 포개진 상태로 결합되며, 그의 내부에 포토마스크를 보관하는 포토마스크 보관 케이스에 있어서,어느 하나의 커버에는 그 커버의 내부와 연통된 연통공이 형성되고, 상기 커버의 내부에는 상기 연통공에 대응된 통풍장치가 설치되되, 상기 통풍장치는,상기 연통공에 대응된 개구부와, 이 개구부의 반대편에는 중앙통공을 포함하는 결합부가 형성된 몸체;상기 몸체의 내부에 설치되며, 외부의 공기가 걸러진 상태로 중앙통공을 통해 커버의 내부에 유입되도록 한 필터부:를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 보관 케이스를 제공한다.
포토마스크,보관케이스,통풍장치,기압차,온도차,뒤틀림,방지

32. 发明公开

KR1020090117398A 약액도포장치 有权
标题翻译：用于在基材上涂布光刻胶的装置
公开(公告)号：KR1020090117398A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020080043427
申请日：2008-05-09
申请人： 주식회사 디엠에스
发明人： 이준석 , 강지은
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2035 , G03F7/16 , G03F7/70716 , G03F7/70875 , H01L21/0274 , H01L21/67017 , H01L21/67126 , H01L21/6715 , H01L21/67706
摘要： PURPOSE: An apparatus for coating photoresist on a substrate is provided to reduce inferiority by preventing spots generated during a photoresist coating process by cooling the temperature of the gas discharged to a discharge channel of a floating stage. CONSTITUTION: An apparatus for coating photoresist on a substrate comprises: a worktable; a transport unit which is installed on the top of a worktable and includes plural floating stages transferring a substrate(G); a slit nozzle which is installed at the upper side of the worktable and applies photoresist on the substrate; a floating gas unit(18) for supplying the gas to the floating stage; and a temperature controller(19) for adjusting the temperature of the air supplied to the floating stage.
摘要翻译：目的：提供一种用于在基板上涂覆光致抗蚀剂的设备，以通过冷却喷射到浮动级的排放通道的气体的温度来防止在光致抗蚀剂涂覆过程中产生的斑点来降低劣质。构成：用于在衬底上涂覆光致抗蚀剂的设备包括：工作台; 传送单元，其安装在工作台的顶部，并且包括传送基板（G）的多个浮动台。狭缝喷嘴，其安装在工作台的上侧并在基板上施加光致抗蚀剂; 用于将气体供应到浮动级的浮式气体单元（18）; 以及用于调节供应到浮动级的空气的温度的温度控制器（19）。

33. 发明公开

KR1020090103705A 기판의 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억매체 및 기판 처리 시스템 有权
标题翻译：基板处理方法，基板处理系统和计算机存储介质
公开(公告)号：KR1020090103705A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020090009667
申请日：2009-02-06
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다도코로마사히데 , 오가타구니에 , 조사카메구미
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40 , H01L21/324
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/168 , G03F7/70608 , G03F7/70875 , H01L21/67098
摘要： PURPOSE: A substrate processing method is provided to automatically calculate a set temperature of a heating process and correlation of a dimension of a resist pattern. CONSTITUTION: An initial temperature of a heating process and a target dimension of a resist pattern on a substrate after the heating process are set(S1). A heating process temperature, correlation of a dimension of the resist pattern, and a set temperature of the heating process are automatically calculated(S6). The resist pattern is formed on the substrate(S10). The resist pattern is controlled into the target dimension by heating the substrate at the set temperature.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理方法，用于自动计算加热过程的设定温度和抗蚀剂图案的尺寸的相关性。构成：设定加热工序的初始温度和加热工序后的基板上的抗蚀剂图案的目标尺寸（S1）。自动计算加热处理温度，抗蚀剂图案的尺寸与加热处理的设定温度的关系（S6）。在基板上形成抗蚀剂图案（S10）。通过在设定温度下加热衬底将抗蚀剂图案控制到目标尺寸。

34. 发明授权

KR100906438B1 아티클 지지체, 리소그래피 장치 및 침지 리소그래피 장치 有权
标题翻译：文章支持，平面设备和倾斜平面设备
公开(公告)号：KR100906438B1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：KR1020080064028
申请日：2008-07-02
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 루프스트라,에릭로엘로프 , 오텐스,유스트예뢴
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/70341 , G03F7/707
摘要： 리소그래피 처리 목적을 위해 아티클을 지지하도록 구성된 아티클 지지체가 개시된다. 아티클 지지체는 아티클에 열적 안정화를 제공하기 위해 아티클 지지체 내에 열적으로 안정시키는 매질을 인도하도록 배치된 채널 구성을 포함하고, 채널 구성은 입력 채널 구조체 및 출력 채널 구조체를 포함하며, 입력 및 출력 채널 구조체들은 네스티드 구성으로 배치되고 아티클 지지체의 표면에 또는 그 부근에 제공된 미세 그리드 구조체에 의해 서로 연결된다. 또한, 아티클 지지체를 통합하는 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법이 개시된다.

35. 发明公开

KR1020090045497A 텅스텐함유막이 포함된 패턴을 구비한 반도체 소자의제조방법 失效
标题翻译：用于制造具有包括含钨膜的图案的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090045497A
公开(公告)日：2009-05-08
申请号：KR1020070111344
申请日：2007-11-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 황의성 , 김준기
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/28026 , G03F1/38 , G03F1/66 , G03F7/202 , G03F7/2022 , G03F7/2063 , G03F7/70875 , H01L21/0274 , H01L21/0337
摘要： 본 발명은 텅스텐함유막을 포함하는 패턴을 형성하는 과정에서 실리콘질화막으로 구성된 캡핑막의 응력으로 인한 리닝(leaning) 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 텅스텐질화막을 포함하는 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴을 둘러싸도록 실리콘막을 형성하는 단계; 열처리를 실시하여 상기 텅스텐질화막을 텅스텐막으로 변환시킴과 동시에 상기 텅스텐질화막과 접하는 실리콘막을 실리콘질화막으로 변환시키는 단계 및 상기 열처리시 미반응하여 잔류한 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하고 있으며, 이를 통하여 실리콘질화막으로 구성된 캡핑막을 텅스텐막 및 장벽금속막의 측벽에 국부적으로 형성함으로써, 캡핑질의 응력으로 인한 텅스텐함유막을 포함하는 패턴의 리닝현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
캡핑질화막, 응력, 리닝, 텅스텐막, 장벽금속막
摘要翻译：本发明的半导体装置的本发明涉及一种制造能够防止由在形成图案包括含有钨膜的过程中，由硅氮化物膜的覆盖膜应力清洁（倾斜）的半导体器件的方法，该方法该制造方法包括形成包括氮化钨膜的图案; 形成硅膜以围绕图案; 通过热处理，其包括步骤，并且在热处理过程中剩余的硅膜除去未反应并同时将所述氮化钨膜和钨膜转换硅膜接触的氮化硅膜的氮化钨膜，硅的步骤，通过该通过局部地形成在钨膜和由氮化膜侧壁的阻挡金属膜的覆盖膜，所以具有能够防止所述清洁模式包括一个封盖查询应力含钨膜造成的现象的效果。

36. 发明公开

KR1020090037711A 애싱 장치 및 방법 无效
标题翻译：装置和方法
公开(公告)号：KR1020090037711A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：KR1020070103191
申请日：2007-10-12
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이정훈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/427 , G03F7/70875 , H01L21/67109
摘要： An apparatus and method for ashing is provided to reduce a process time by removing a re-heating process to eliminate a bulk photoresist layer. A gas inlet pipe(120) is installed on the top of a chamber and supplies a gas inside the chamber. The gas injected through the gas inlet pipe is discharged through a hole(131) of a baffle plate. A wafer chuck(140) is installed at the lower part of the chamber and includes a substrate support pin(141). A heater drive unit(160) heating the heating plate(150) is installed inside the wafer chuck. The heat plate is installed on the top of the wafer chuck and heats the substrate, and is heated by a heating driving unit which moves the heating plate up.
摘要翻译：提供一种用于灰化的装置和方法，以通过去除再加热过程以消除体光致抗蚀剂层来减少处理时间。气体入口管（120）安装在室的顶部并且在室内供应气体。通过进气管喷射的气体通过挡板的孔（131）排出。晶片卡盘（140）安装在腔室的下部，并包括衬底支撑销（141）。加热加热板（150）的加热器驱动单元（160）安装在晶片卡盘内。加热板安装在晶片卡盘的顶部并加热基板，并由加热驱动单元加热，加热驱动单元向上移动加热板。

37. 发明授权

KR100891307B1 스테이지 장치 및 이를 구비한 노광 장치 失效
标题翻译：阶段装置和具有该装置的曝光装置
公开(公告)号：KR100891307B1
公开(公告)日：2009-03-31
申请号：KR1020070119684
申请日：2007-11-22
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 맹덕영 , 연제식 , 김혜진
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/682 , G03F7/70716 , G03F7/70758 , G03F7/70775 , G03F7/70875 , H01L21/67248
摘要： A stage apparatus and an exposure apparatus including the same are provided to more precisely match the substrate and the mask by using the plurality of unit stages. A stage apparatus matches a substrate(150) and a mask. The stage apparatus comprises a plurality of unit stages(112,114,116,118) and a driving part. The substrate is absorbed to the plurality of unit stages. A driving part individually moves the unit stage and transforms the substrate. The plurality of temperature controllers are combined with the unit stage and individually operated.
摘要翻译：提供了一种舞台装置和包括该舞台装置的曝光装置，以通过使用多个单元级来更精确地匹配衬底和掩模。舞台装置匹配衬底（150）和掩模。舞台装置包括多个单元级（112,114,116,118）和驱动部分。衬底被吸收到多个单元级。驱动部分单独移动单元级并转换衬底。多个温度控制器与单元级组合并单独操作。

38. 发明授权

KR100885971B1 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 有权
标题翻译：光刻设备和器件制造方法
公开(公告)号：KR100885971B1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070034217
申请日：2007-04-06
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 비예크만스,마우리스 , 쿠이예퍼스,마르티누스아그네스빌렘 , 데종,프레데릭에두아르트 , 반곰펠,에드빈아우구스티누스마테우스 , 얀센,로브 , 쿠스터스,게라르두스아드리아누스안토니우스 마리아 , 카데,테오도루스페트루스마리아 , 스메츠,마르틴프란스피에르 , 반데르모일렌,프리츠 , 지몬스,빌헬무스프란시스쿠스요한네스 , 렌더스,마르티누스헨드리쿠스안토니우스 , 오텐스,유스트예뢴 , 반바렌,마르티옌
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70875 , F16L55/053 , G03F7/70341 , G03F7/70783
摘要： 패터닝 디바이스로부터 기판 상에 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 장치가 개시되고, 리소그래피 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블을 가지며, 기판 테이블은 컨디셔닝 유체를 유지하고 기판 테이블을 컨디셔닝하도록 구성된 컨디셔닝 시스템을 포함하고, 컨디셔닝 시스템은 컨디셔닝 시스템과 유체 상으로 연통되고 컨디셔닝 시스템의 압력 변동을 약화시키도록 배치된 압력 댐퍼를 포함한다.
摘要翻译：布置成图案投影到从所述图案形成装置中的基板的光刻设备被启动时，光刻装置具有构造成保持衬底，所述衬底台包括被配置成保持调节流体调节衬底台一个空调系统的基底台调节系统包括与调节系统流体连通的压力阻尼器，并且布置成减弱调节系统的压力波动。

39. 发明公开

KR1020080082442A 포토리소그래피 공정시 반도체 웨이퍼 상에 중앙과 에지사이의 불균일한 식각율을 보상하는 마스크 패턴을형성하는 방법 无效
标题翻译：在光刻机加工过程中对非竞争中心到边缘蚀刻速率补偿的半导体波形形成掩模图案的方法
公开(公告)号：KR1020080082442A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：KR1020080013580
申请日：2008-02-14
申请人： 삼성전자주식회사 , 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션 , 인피니언 테크놀로지스 아게 , 글로벌파운드리즈 싱가포르 피티이 엘티디
发明人： 장종광 , 박완재 , 지후앙하오렌 , 쏘우렌 , 리핀스키메티아스 , 미샤쉐일렌드라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/70875
摘要： A method for forming a mask pattern on a semiconductor wafer is provided to improve the critical dimension of a mask pattern by depositing an electrical insulating layer on a mask pattern. A first electrical insulating layer is formed on a semiconductor wafer(102). A mask pattern is formed on the first electrical insulating layer(104). Temperature of the semiconductor wafer is controlled and, simultaneously, a second electrical insulating layer having deposition rate characteristic depending on temperature is deposited on the mask pattern to realize a nonuniform center-to-edge temperature profile, so that a first region of the mask pattern elongating adjacent to a peripheral region of the semiconductor wafer is selectively extended with respect to a second region of the mask pattern elongating adjacent to an inner of the semiconductor wafer(106,108). The first electrical insulating layer is selectively etched by using a mask pattern having the selective-extended region as an etch mask(110).
摘要翻译：提供了在半导体晶片上形成掩模图案的方法，以通过在掩模图案上沉积电绝缘层来改善掩模图案的临界尺寸。第一电绝缘层形成在半导体晶片（102）上。在第一电绝缘层（104）上形成掩模图案。控制半导体晶片的温度，同时，具有取决于温度的沉积速率特性的第二电绝缘层沉积在掩模图案上，以实现不均匀的中心到边缘温度分布，使得掩模图案的第一区域相对于与半导体晶片（106,108）的内部相邻延伸的掩模图案的第二区域，相邻于半导体晶片的周边区域的延伸选择性地延伸。通过使用具有选择性扩展区域的掩模图案作为蚀刻掩模（110）来选择性地蚀刻第一电绝缘层。

40. 发明公开

KR1020080056461A 포토레지스트 패턴 베이킹 방법 및 장치 无效
标题翻译：用于烘烤光刻机图案的方法和装置
公开(公告)号：KR1020080056461A
公开(公告)日：2008-06-23
申请号：KR1020060129383
申请日：2006-12-18
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 서종석 , 오창석
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67098 , G03F7/168 , G03F7/70875 , H01L21/67248
摘要： A method and an apparatus for baking a photoresist pattern are provided to prevent the mixture of air current in a cooling unit and a heating unit by forming an air curtain between the cooling unit and the heating unit. A substrate on which a photoresist pattern is formed is carried in a chamber(100). A heating unit(30) is arranged in the chamber to heat the photoresist pattern. A cooling unit(20) is arranged in the chamber to cool the photoresist pattern. A heat blocking unit(40) is arranged between the heating unit and the cooling unit to block a thermal transfer from the heating unit to the cooling unit. The heat blocking unit includes a supplying unit and an exhaust unit(42). The supplying unit is provided on an upper portion of the chamber and supplies cooling gas. The exhaust unit is provided on a lower portion of the chamber and exhausts the cooling gas to the outside of the chamber. A buffer unit is formed on an upper portion of the cooling unit to receive the substrate in a waiting state.
摘要翻译：提供了一种用于烘烤光致抗蚀剂图案的方法和装置，以通过在冷却单元和加热单元之间形成气帘来防止冷却单元和加热单元中的气流的混合。其上形成有光致抗蚀剂图案的基板在室（100）中承载。加热单元（30）设置在室中以加热光致抗蚀剂图案。在室中布置冷却单元（20）以冷却光致抗蚀剂图案。在加热单元和冷却单元之间布置有热阻单元（40），以阻止从加热单元到冷却单元的热传递。散热单元包括供应单元和排气单元（42）。供应单元设置在室的上部并供应冷却气体。排气单元设置在室的下部，并将冷却气体排出到室的外部。缓冲单元形成在冷却单元的上部，以在等待状态下接收基板。

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