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21. 发明公开

KR1020170042619A 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 구비 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 审中-实审
标题翻译：一种固态电子装置，数据记录装置，数据处理装置以及具有存储器装置，存储器装置，存储器装置，存储器装置等的通信装置，
公开(公告)号：KR1020170042619A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020177005640
申请日：2015-08-31
申请人： 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소
发明人： 나가오사나오토 , 고시바에와타루 , 이와사키주니치 , 가와사키마사시 , 토쿠라요시노리 , 가네코요시오
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L27/22 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C19/08 , G11C19/0808 , G11C19/085 , G11C19/0866 , H01F7/20 , H01F10/3254 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/06 , H01L43/08
摘要： 1개의스커미온을생성하고, 1개의스커미온의삭제할수 있는자기소자로서, 실질적으로사각형평판형상의자성체와, 자성체의폭(Wm) 방향으로연결된비자성금속으로이루어진상류측 전극과, 상류측 전극과대향하는자성체의폭(Wm) 방향으로연결된비자성금속으로이루어진하류측 전극과, 스커미온을검출하는스커미온검출소자를갖고, 자성체의실질적으로사각형형상의폭(Wm)은, 스커미온직경을λ로할 때, 3·λ > Wm ≥λ이고, 자성체의실질적으로사각형형상의길이(hm)는, 2·λ > Hm ≥λ이고, 자성체는상류측 전극과하류측 전극의사이에있는단부에오목부를갖는자기소자를제공한다.
摘要翻译：生成一个木槿温水，一个磁性装置，其能够删除单个木槿温暖，大致矩形的平板状的磁性材料和磁性材料元件宽度（WM）方向相关联的非磁性金属，包括上游侧电极，和上游宽度（WM）的电极过度朝向由具有（WM）方向相关联的磁性体宽度的非磁性金属的下游侧电极，具有用于检测木槿磁性材料的温暖，大致矩形形状是木槿温检测元件，木槿微温直径磁性体的大致矩形形状的长度hm为2·λ>Hm≥λ，并且磁性体位于上游电极和下游电极之间提供了一种在其端部具有凹部的磁性元件。

22. 发明授权

KR101726525B1 전계 강화된 스핀 전달 토크 메모리(ＳＴＴＭ) 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101726525B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020157011726
申请日：2013-06-24
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 도일,브라이언에스. , 쿠오,찰스씨. , 켄케,데이비드엘. , 골리자데모자라드,록사나 , 샤흐,우데이
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/12 , G11C11/16
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/155 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 전계의인가를위한필드플레이트를통합하여전달토크유도된자화스위칭에요구되는임계전류를감소시키는 STTM(Spin Transfer Torque Memory) 디바이스들. 실시예들은전류-유도된자계또는스핀전달토크뿐만아니라자기다이폴배향의전계유도된조작을활용하여, 자기디바이스엘리먼트에서의상태들을설정한다(예를들어, 메모리엘리먼트에기입함). MTJ 전극과필드플레이트사이의전압차분에의해발생되는전계는, MTJ(Magnetic Tunneling Junction)의자유자성층에전계를인가하여, 자유자성층의적어도일부에대해하나이상의자기특성들을변조한다.

23. 发明授权

KR101724446B1 스핀-전달 토크 메모리의 감소된 스위칭 전류 有权
公开(公告)号：KR101724446B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020157005025
申请日：2013-06-10
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 카르포브,엘리야브이. , 도일,브라이언에스. , 오구즈,칸 , 수리,사트야르트 , 차우,로버트에스. , 쿠오,찰스씨. , 도크지,마크엘. , 켄크케,데이비드엘.
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： STTM(Spin-Transfer Torque Memory)에서의스위칭전류를감소시킬수 있다. 메모리셀의기입라인상의제1 펄스로자기메모리셀을구동하여셀을가열한다. 이어서, 기입라인상의제2 펄스로셀을구동하여셀의상태를설정한다.

24. 发明公开

KR1020170037716A 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁记忆装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170037716A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150136274
申请日：2015-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한신희 , 서기석 , 남경태 , 김우진 , 신광일 , 주민경 , 고관협
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 자기메모리장치의제조방법이제공된다. 상기자기메모리장치의제조방법은기판상에층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막을관통하는랜딩패드를형성하는것, 상기층간절연막상에, 상기랜딩패드의상면을덮는보호절연막을형성하는것, 상기보호절연막및 상기층간절연막을관통하는하부전극을형성하는것, 상기보호절연막상에자기터널접합막을형성하는것, 및상기자기터널접합막을패터닝하여상기하부전극상에자기터널접합패턴을형성하는것을포함한다.
摘要翻译：提供了一种制造磁存储器件的方法。一种制造磁存储器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘膜;形成贯穿层间绝缘膜的着陆焊盘;在层间绝缘膜上形成覆盖着陆焊盘的上表面的保护绝缘膜; 通过绝缘膜和层间绝缘膜形成下电极;在保护绝缘膜上形成磁隧道结膜;以及图案化磁隧道结膜以在下电极上形成磁隧道结图案。

25. 发明公开

KR1020170031162A 자기 저장 트랙 및 자기 메모리 审中-实审
标题翻译：磁存储轨道和磁存储器
公开(公告)号：KR1020170031162A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020177003258
申请日：2015-07-08
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린,인인 , 양,카이 , 장,수제 , 자오,쥔펀 , 양,웨이 , 푸,야룽
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/02
CPC分类号： G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
摘要： 복수의적층형저장트랙유닛들(22)을포함하는자기저장트랙(20) 및자기메모리로서; 2개의이웃하는저장트랙유닛들(22) 사이에는전이층(23)이배치되고; 전이층(23)은절연재료상에퇴적되는반도체재료에의해형성되고, 게이팅회로(231) 및판독/기입디바이스(232)를포함한다. 자기저장트랙(20)은복수의적층형저장트랙유닛들(22)을포함하기때문에, 자기저장트랙(20)의길이는복수의저장트랙유닛들(22)의길이들에의해결정된다. 그러므로, 저장트랙유닛들(22)의수를증가시키는것에의해자기저장트랙(20)의길이가증가될수 있고, 따라서저장트랙유닛들(22)의길이들을증가시키는것을회피하고, 자기저장트랙(20)의길이를증가시키는것에의해야기되는제조공정어려움이증가된다는기술적문제점을해결하는한편, 자기저장트랙(20)의저장용량을향상시킨다.
摘要翻译：一种磁存储轨道（20），包括多个堆叠的存储轨道单元（22）和磁存储器; 过渡层（23）插在两个相邻的存储轨道单元（22）之间; 过渡层23由沉积在绝缘材料上的半导体材料形成并且包括选通电路231和读/写装置232。因为磁存储轨道20包括堆垛数量的堆叠的存储轨道单元22，所以磁存储轨道20的路径由多个存储轨道单元22的长度确定。因此，通过增加存储轨道单元22的数量，可以增加磁性存储轨道20的长度，从而避免增加存储轨道单元22的数量，从而增加了磁存储轨道20的存储容量，同时解决了由于增加轨道数量而导致的制造工艺难度增加的技术问题。

26. 发明公开

KR1020170020318A 조절 가능한 강도를 갖는 결합형 스핀 홀 나노 발진기들 审中-实审
标题翻译：联轴器旋转振动器与可调节强度
公开(公告)号：KR1020170020318A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020167031918
申请日：2014-06-18
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마니파트루니,사시칸스사시 , 보리아노프,조지아이. , 니코노브,드미트리이. , 영,이안에이.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11C11/18
CPC分类号： H03L7/26 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/08 , H03B15/006 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 스핀결합재료(예로서, 스핀홀 효과(SHE) 재료)를갖는인터커넥트; 및 2개의자성층을구비하여자성층들중 하나가인터커넥트에결합되는자성스택 - 2개의자성층각각은자성스택이발진하게하기위한각각의자화방향을가짐 - 을포함하는발진장치가설명된다.
摘要翻译：描述了一种振荡装置，其包括：与自旋耦合材料（例如旋转霍尔效应（SHE）材料）的互连; 以及具有两个磁性层的磁性堆叠，使得磁性层中的一个耦合到互连，其中两个磁性层中的每一个具有各自的磁化方向以使磁性堆叠体振荡。

27. 发明公开

KR1020160145760A 기입 디바이스 및 자기 메모리 审中-实审
标题翻译：写设备和磁记忆
公开(公告)号：KR1020160145760A
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020167032278
申请日：2015-04-22
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 푸,야룽 , 자오,쥔펑 , 왕,위안강 , 양,웨이 , 린,인인 , 양,카이
IPC分类号： G11B5/012 , G11B5/65
CPC分类号： G11C11/1675 , G11B5/012 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11C11/16 , G11C19/0841
摘要： 기입디바이스및 자기메모리가제공된다. 기입디바이스는제1 구동포트, 제2 구동포트, 제1 정보저장영역, 제2 정보저장영역및 정보캐싱영역을포함하고, 제1 정보저장영역과정보캐싱영역사이에제1 영역이존재하고, 제2 정보저장영역과정보캐싱영역사이에제2 영역이존재하고, 제1 정보저장영역, 제2 정보저장영역및 정보캐싱영역은제1 자기재료로구성되고, 제1 영역및 제2 영역은제2 자기재료로구성되고, 제1 자기재료의자기에너지는제2 자기재료의자기에너지보다높고, 제1 정보저장영역은제1 데이터를정보캐싱영역에기입하는데 사용되고, 제2 정보저장영역은제2 데이터를정보캐싱영역에기입하는데 사용되고, 정보캐싱영역은제1 정보저장영역또는제2 정보저장영역으로부터기입된데이터를캐싱하고, 캐싱된데이터를자기메모리의자기도메인에기입하는데 사용된다. 자기메모리의기입안정성이보증될수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种写装置和磁存储器，其中写装置包括：第一驱动端口，第二驱动端口，第一信息存储区域，第二信息存储区域和信息缓冲器，其中存在在第一信息存储区域和信息缓冲器之间的第一区域中，在第二信息存储区域和信息缓冲器之间存在第二区域，第一信息存储区域，第二信息存储区域和信息缓冲器由第一磁性材料，第一区域和第二区域由第二磁性材料制成，并且第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能; 第一信息存储区域被配置为将第一数据写入信息缓冲器; 第二信息存储区域被配置为将第二数据写入信息缓冲器; 并且信息缓冲器被配置为缓冲从第一信息存储区域或第二信息存储区域写入的数据，并将缓冲的数据写入磁存储器的磁畴，这可以确保磁存储器的写入稳定性。

28. 发明公开

KR1020160142255A 외부 강자성 바이어싱 필름을 사용하는 전압 제어 자기 이방성 전환 디바이스 审中-实审
标题翻译：使用外部FERROMAGNETIC BIISING FILM的电压控制磁选异相开关装置
公开(公告)号：KR1020160142255A
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020160068948
申请日：2016-06-02
申请人： 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
发明人： 카틴조던에이
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 본발명의양태들은외부강자성바이어싱필름을사용하는전압제어자기이방성(VCMA) 전환디바이스에관한것이다. 본발명의양태들은자기저항랜덤액세스메모리(MRAM) 디바이스를제공한다. MRAM 디바이스는일반적으로기판, 기판상에배치되는적어도하나의자기터널정션(MTJ) 스택으로서, 고정된자화를갖는제1 강자성층과고정되지않은자화를갖는제2 강자성층 사이에터널배리어층을포함하는 MTJ 스택, 및제2 강자성층에인접하게배치되는자석을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及使用外部铁磁偏置膜的电压控制磁各向异性（VCMA）开关装置。本公开的方面提供了一种磁阻随机存取存储器（MRAM）装置。 MRAM器件通常包括衬底，设置在衬底上的至少一个磁隧道结（MTJ）堆叠，其中MTJ堆叠包括在具有固定磁化的第一铁磁层和具有不固定磁化的第二铁磁层之间的隧道势垒层，以及与第二铁磁层相邻设置的磁体。

29. 发明公开

KR1020160133821A 자기 메모리 소자 有权
标题翻译：磁记忆装置
公开(公告)号：KR1020160133821A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066853
申请日：2015-05-13
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이경진 , 이현우 , 박병국
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/02 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.
摘要翻译：磁存储器件包括：具有固定磁性层，绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元，其依次堆叠; 导电线体，其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层，邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元，用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压，其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。

30. 发明公开

KR1020160122912A 전자 장치 审中-实审
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：KR1020160122912A
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150052568
申请日：2015-04-14
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이재연 , 김동준
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , G06F9/30 , G06F12/06
CPC分类号： H01L27/228 , G06F3/061 , G06F3/0647 , G06F3/0679 , G06F12/0802 , G06F2212/1016 , G06F2212/2024 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 반도체메모리를포함하는전자장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체메모리를포함하는전자장치는, 제2 방향에서인접한제1 및제2 활성영역; 상기제1 및제2 활성영역을가로지르도록상기제2 방향으로연장하는게이트구조물; 상기게이트구조물의일측및 타측의상기제1 활성영역내에각각형성된제1 소스영역및 제1 드레인영역; 상기게이트구조물의일측및 타측의상기제2 활성영역내에각각형성된제2 소스영역및 제2 드레인영역; 상기제1 및제2 소스영역상에서상기제1 및제2 소스영역과공통적으로접속하는소스라인콘택; 상기소스라인콘택상에서상기소스라인콘택과접속하면서상기제2 방향과교차하는제1 방향으로연장하는소스라인; 상기제1 및제2 드레인영역상에서상기제1 및제2 드레인영역각각과접속하고, 하부전극콘택, 가변저항소자및 상부전극콘택이적층된제1 및제2 적층구조물; 및상기제1 및제2 적층구조물상에서상기제1 및제2 적층구조물각각과접속하면서상기제1 방향으로연장하는제1 및제2 비트라인을포함한다.
摘要翻译：可以提供电子设备以包括：在第二方向上彼此相邻布置的第一和第二有源区域; 栅极结构在第二方向延伸; 形成在所述第一有源区中的第一源极区域和第一漏极区域; 第二源区和第二漏区，形成在第二有源区中; 源极线接触，形成在所述第一和第二源极区域上并连接到所述第一和第二源极区域; 源极线，连接到源极线上的源极线接触并在第一方向上延伸; 形成在第一和第二漏极区上的第一和第二堆叠结构; 以及形成在所述第一和第二堆叠结构上的第一和第二位线，其中所述第一和第二位线沿所述第一方向延伸。

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