专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170031162A 자기 저장 트랙 및 자기 메모리 审中-实审
标题翻译：磁存储轨道和磁存储器
公开(公告)号：KR1020170031162A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020177003258
申请日：2015-07-08
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린,인인 , 양,카이 , 장,수제 , 자오,쥔펀 , 양,웨이 , 푸,야룽
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/02
CPC分类号： G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
摘要： 복수의적층형저장트랙유닛들(22)을포함하는자기저장트랙(20) 및자기메모리로서; 2개의이웃하는저장트랙유닛들(22) 사이에는전이층(23)이배치되고; 전이층(23)은절연재료상에퇴적되는반도체재료에의해형성되고, 게이팅회로(231) 및판독/기입디바이스(232)를포함한다. 자기저장트랙(20)은복수의적층형저장트랙유닛들(22)을포함하기때문에, 자기저장트랙(20)의길이는복수의저장트랙유닛들(22)의길이들에의해결정된다. 그러므로, 저장트랙유닛들(22)의수를증가시키는것에의해자기저장트랙(20)의길이가증가될수 있고, 따라서저장트랙유닛들(22)의길이들을증가시키는것을회피하고, 자기저장트랙(20)의길이를증가시키는것에의해야기되는제조공정어려움이증가된다는기술적문제점을해결하는한편, 자기저장트랙(20)의저장용량을향상시킨다.
摘要翻译：一种磁存储轨道（20），包括多个堆叠的存储轨道单元（22）和磁存储器; 过渡层（23）插在两个相邻的存储轨道单元（22）之间; 过渡层23由沉积在绝缘材料上的半导体材料形成并且包括选通电路231和读/写装置232。因为磁存储轨道20包括堆垛数量的堆叠的存储轨道单元22，所以磁存储轨道20的路径由多个存储轨道单元22的长度确定。因此，通过增加存储轨道单元22的数量，可以增加磁性存储轨道20的长度，从而避免增加存储轨道单元22的数量，从而增加了磁存储轨道20的存储容量，同时解决了由于增加轨道数量而导致的制造工艺难度增加的技术问题。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式