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21. 发明授权

KR102204217B1 자기 제한을 갖는 플라즈마 소스를 이용하는 플라즈마 기반 재료 변경 有权
公开(公告)号：KR102204217B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020140174960
申请日：2014-12-08
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 디버질리오,윌리암 , 사바스,스티븐 , 펠치,수산 , 쉥,티엔유 , 첸,하오
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/08
摘要： 작업물의재료변경을위한플라즈마기반재료변경시스템은프로세스챔버에결합된플라즈마소스챔버를포함할수 있다. 작업물을지지하도록구성되는지지구조가프로세스챔버내에배치될수 있다. 플라즈마소스챔버는플라즈마소스챔버내의플라즈마생성구역을둘러싸는제1 복수의자석, 제2 복수의자석, 및제3 복수의자석을포함할수 있다. 플라즈마소스챔버는플라즈마생성구역내에이온들을갖는플라즈마를생성하도록구성될수 있다. 제3 복수의자석은 10 eV보다큰 에너지를갖는플라즈마의전자들의대부분을플라즈마생성구역내에제한하는한편, 작업물의재료변경을위해플라즈마로부터의이온들이제3 복수의자석을통해프로세스챔버내로이동하는것을가능하게하도록구성될수 있다.

22. 发明授权

KR101576348B1 스캔 헤드 및 이를 사용하는 스캔 암 有权
标题翻译：扫描头和扫描ARM使用它
公开(公告)号：KR101576348B1
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020140005983
申请日：2014-01-17
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 맥레이,리차드에프.
IPC分类号： H01L21/677 , B25J15/06
摘要： 이온임플랜터를위한스캔암에조립되는스캔헤드및 이를이용하는스캔암이제공되는데, 이때상기스캔헤드는작업편을마이크로틸팅할수 있고, 케이스, 섀프트조립체, 정전기척, 제1구동메카니즘및 마이크로-틸팅메카니즘을포함한다. 상기섀프트조립체는상기케이스의제1면을관통하고트위스트축을가진다. 상기정전기척은상기작업편을잡기위해상기케이스외부상기섀프트조립체의일 단에고정된다. 상기제1구동메카니즘은상기케이스안에배치되고상기섀프트조립체및 상기 ESC가상기트위스트축 주위로회전하도록구동시킬수 있다. 상기마이크로-틸트메카니즘은상기케이스안에배치되고상기섀프트조립체및 상기 ESC가상기케이스에대하여틸트되도록구동시킬수 있다.

23. 发明公开

KR1020150105181A 자기 제한을 갖는 플라즈마 소스를 이용하는 플라즈마 기반 재료 변경 审中-实审
标题翻译：基于等离子体的材料修改使用等离子体源与磁性限制
公开(公告)号：KR1020150105181A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140174960
申请日：2014-12-08
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 디버질리오,윌리암 , 사바스,스티븐 , 펠치,수산 , 쉥,티엔유 , 첸,하오
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/3266 , H01J2237/061 , H01J2237/083
摘要： 작업물의 재료 변경을 위한 플라즈마 기반 재료 변경 시스템은 프로세스 챔버에 결합된 플라즈마 소스 챔버를 포함할 수 있다. 작업물을 지지하도록 구성되는 지지 구조가 프로세스 챔버 내에 배치될 수 있다. 플라즈마 소스 챔버는 플라즈마 소스 챔버 내의 플라즈마 생성 구역을 둘러싸는 제1 복수의 자석, 제2 복수의 자석, 및 제3 복수의 자석을 포함할 수 있다. 플라즈마 소스 챔버는 플라즈마 생성 구역 내에 이온들을 갖는 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 제3 복수의 자석은 10 eV보다 큰 에너지를 갖는 플라즈마의 전자들의 대부분을 플라즈마 생성 구역 내에 제한하는 한편, 작업물의 재료 변경을 위해 플라즈마로부터의 이온들이 제3 복수의 자석을 통해 프로세스 챔버 내로 이동하는 것을 가능하게 하도록 구성될 수 있다.
摘要翻译：用于工件的材料改性的等离子体材料改性系统可以包括耦合到处理室的等离子体源室。构造成支撑工件的支撑结构可以设置在处理室内。等离子体源室可以包括多个第一磁体，多个第二磁体和围绕等离子体源室内的等离子体产生区域的多个第三磁体。等离子体源室可以被配置为产生在等离子体产生区域内具有离子的等离子体。第三磁体可以被配置为在等离子体产生区域内限制具有大于10eV的能量的等离子体的大部分电子，同时允许来自等离子体的离子通过第三磁体进入处理室，用于工件的材料修改。

24. 发明公开

KR1020150043971A 이온 주입을 위한 중간 전류 리본 빔 有权
标题翻译：用于离子植入的中等电流RIBBON光束
公开(公告)号：KR1020150043971A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020140130229
申请日：2014-09-29
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 카임로버트 , 프리찰스엠 , 호글런드데이비드 , 플랫토우빌헬름피 , 사다트만드코우로쉬
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0473 , H01J2237/30472
摘要： 이온주입을위한중간전류리본빔을셋업하는방법이제공된다. 이것은프로세스가스및 보조가스가공급되는이온소스를제공하는단계를포함한다. 상기프로세스이온빔은질량분석자석을가지고상기보조가스로부터분리되고, 상기프로세스이온빔의세기는이온소스가스공급에있어서프로세스가스대 보조가스의비율을달리하는것에의해제어된다. 프로세스빔 세기또한상기이온소스의아래측에위치되는하나또는그 이상의기계적전류제한장치들을가지고제어될수 있다. 이온빔 시스템또한제공된다. 이방법은대략 3uA 내지대략 3mA 사이상기타겟에서총 리본빔 세기를제어할수 있다.
摘要翻译：提供了一种设置用于离子注入的中等电流带状束的方法。该方法包括提供供给工艺气体和支撑气体的离子源。过程离子束与质量分析磁体与支撑气体束分离，并且通过改变离子源气体进料中的工作气体与支持气体的比例来控制过程离子束的强度。过程光束强度也可以通过位于离子源下游的一个或多个机械限流装置来控制。还提供离子束系统。该方法可以控制目标在3uA至3mA附近的总带束强度。

25. 发明授权

KR101364304B1 가변 개구를 이용하는 것에 의한 주입 방법 및 주입기 有权
标题翻译：通过使用可变孔径进行植入法和注入机
公开(公告)号：KR101364304B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020130032357
申请日：2013-03-26
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 완지민 , 폴락존디. , 배리앤돈 , 젠코-추안
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
摘要： 개구 장치 내의 가변 개구는 이온 빔이 기판에 주입되기 전에 이온 빔을 형성하기 위해, 특히 기판의 바로 전면에 배치된 이온 빔을 최종적으로 형성하기 위하여 사용된다. 따라서, 기판의 상이한 부분 또는 상이한 기판은 다수의 고정 개구를 사용하거나 또는 매회 이온 빔으로 되돌아갈 필요없이 상이한 형상의 이온 빔에 의해 각각 주입될 수 있다. 즉, 고비용(다수의 고정 개구 장치 사용)없이 또 복잡한 작동(매회 이온 빔으로 되돌아감) 없이 맞춤화된 이온 빔에 의해 각각 상이한 주입을 달성할 수 있다. 또한 가변 개구의 조절이 기계적 작업에 의해 간단히 달성될 수 있기 때문에 주입하기 위한 특정 이온 빔을 얻기 위한 빔 튠 공정이 가속되어서 다수의 고정 개구 및/또는 이온 빔을 매회 되돌아가게 하는 것에 비하여 더 빠르게 된다.

26. 发明公开

KR1020130038327A 가변 개구를 이용하는 것에 의한 주입 방법 및 주입기 有权
标题翻译：使用可变孔径的植入方法和植入物
公开(公告)号：KR1020130038327A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：KR1020130032357
申请日：2013-03-26
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 완지민 , 폴락존디. , 배리앤돈 , 젠코-추안
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
摘要： PURPOSE: An injecting method and an injector using a variable opening are provided to inject different ion beams with a customized ion beam. CONSTITUTION: An ion source(201) generates an ion beam(203). An analyzing magnet(202) selectively removes ions. The ion beam is formed by a variable opening (207) inside an opening device(206). The variable opening is arranged on the front surface of a substrate(204) and one end of a magnet assembly.
摘要翻译：目的：提供使用可变开口的注射方法和注射器，以用定制的离子束注入不同的离子束。构成：离子源（201）产生离子束（203）。分析磁体（202）选择性地去除离子。离子束由打开装置（206）内部的可变开口（207）形成。可变开口设置在基板（204）的前表面和磁体组件的一端。

27. 发明公开

KR1020130014041A 치환 소스/드레인 ＦＩＮＦＥＴ 제조 无效
标题翻译：替代来源/排水FINFET制造
公开(公告)号：KR1020130014041A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020120082804
申请日：2012-07-27
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 탕,다니엘 , 옌,추-시
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66803 , H01L21/02636 , H01L29/0673 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78684
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a replacement source/drain FINFET is provided to increase the mobility of electrons and holes in a channel by transforming semiconductor in the channel. CONSTITUTION: A FINFET with a pin including a source, a drain region and a channel region is formed. The pin is etched on a semiconductor wafer(302). An insulating layer touches the channel region(304). A gate stack is made of a conductive gate material and touches the insulating layer(304). The source and the drain regions are etched to expose the first region of the pin(306). A part of the first region is doped(1602). [Reference numerals] (1602) Doping the exposed area of the pin structure; (1604) Growing silicon on the sides of a channel in the source and drain areas; (302) Etching a pin structure having a source area, a drain area, and a channel area; (304) Forming a gate; (306) Etching and removing the source and drain areas of the pin structure
摘要翻译：目的：提供一种用于制造替代源极/漏极FINFET的方法，以通过在沟道中转换半导体来增加沟道中的电子和空穴的迁移率。构成：形成具有包括源极，漏极区域和沟道区域的引脚的FINFET。引脚被蚀刻在半导体晶片（302）上。绝缘层与沟道区（304）接触。栅极堆叠由导电栅极材料制成并接触绝缘层（304）。蚀刻源极和漏极区域以暴露引脚（306）的第一区域。第一区域的一部分被掺杂（1602）。（标号）（1602）掺杂针结构的露出面积; （1604）在源区和漏区的通道两侧生长硅; （302）蚀刻具有源极区域，漏极区域和沟道区域的引脚结构; （304）形成门; （306）蚀刻并去除引脚结构的源极和漏极区域

28. 发明公开

KR1020110016389A 웨이퍼에 대한 이온 빔 주입 방법 및 그 장비 有权
标题翻译：用于使用离子束均匀地嵌入波形的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110016389A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020100043819
申请日：2010-05-11
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 센쳉-후이 , 베리안돈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
摘要： PURPOSE: An ion beam injecting method for a wafer and an apparatus thereof are provided to uniformly inject the ion into the wafer by modifying the relative motion and the relative geometric relation between the wafer and the ion beam. CONSTITUTION: A band type ion beam having a length in a first direction and a width in a second direction is formed. The length is bigger than the diameter of a wafer(301). The width is smaller than the diameter of the wafer. The center of wafer is transferred according to the scan path passing through the ion beam in the specific transition speed and the wafer is rotated at the specific speed of rotation at the same time(302).
摘要翻译：目的：提供一种用于晶片的离子束注入方法及其装置，其通过修改晶片和离子束之间的相对运动和相对几何关系将离子均匀地注入晶片。构成：形成具有第一方向的长度和第二方向的宽度的带状离子束。该长度大于晶片（301）的直径。宽度小于晶片的直径。根据以特定转变速度通过离子束的扫描路径转移晶片的中心，同时晶片以特定的旋转速度旋转（302）。

29. 发明公开

KR1020170012013A 란탄계 원소 이온원의 발생 방법 审中-实审
标题翻译：用于生成土耳其离子源的方法
公开(公告)号：KR1020170012013A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020160072114
申请日：2016-06-10
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 수케-친 , 장궈-청 , 후앙웨이-콴 , 우밍-웨이 , 쉬우에쳉-헝 , 린밍-치에
IPC分类号： H01J27/08 , H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J27/08 , H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/3171
摘要： 란탄계원소이온원의발생방법은증발기를사용하여 1종또는다종비기체상태의란탄계원소화합물을가열하여, 상기 1종또는다종의비기체상태의란탄계원소화합물을기체상태로전환하는단계; 상기 1종또는다종의기체상태의란탄계원소화합물을아크챔버와연통되는통로를통해상기아크챔버로전송하는단계; 상기 1종또는다종의기체상태의란탄계원소화합물에에너지를제공하여, 란탄계원소이온을함유하는플라즈마가상기아크챔버에형성되도록하는단계; 적어도 1종의지지가스를아크챔버와연통되는통로를통해상기아크챔버로전송하는단계; 및, 란탄계원소이온을란탄계원소이온이함유된상기플라즈마로부터추출하여란탄계원소이온빔을형성하는단계를포함한다.

30. 发明授权

KR101609917B1 스캔 헤드 및 이를 이용한 스캔 암 有权
标题翻译：扫描头和扫描ARM使用它
公开(公告)号：KR101609917B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020140038432
申请日：2014-04-01
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 맥레이,리차드에프.
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20207 , H01J2237/20228 , H01J2237/20285
摘要： 이온주입기를위한스캔암에조립되는스캔헤드및 이를이용하는스캔암이제공되는데, 상기스캔헤드는케이스, 섀프트조립체, ESC, 제1구동메카니즘및 제2구동메카니즘을포함한다. 상기케이스는수직중심선을가진다. 상기섀프트조립체는상기케이스의일 측을관통하고, 트위스트축, 상기케이스에대하여고정되는제1피봇지점, 및상기케이스의외측에위치되는제1단을가진다. 상기 ESC는상기제1단상에고정되고작업편을고정할수 있다. 상기제1구동메카니즘은상기수직중심선에대하여틸트되도록상기섀프트조립체, 상기 ESC 및상기작업편을구동할수 있다. 상기제2구동메카니즘은상기트위스트축 주위로회전하도록상기섀프트조립체, 상기 ESC 및상기작업편을구동할수 있다.

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