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1. 发明授权

KR101133678B1 웨이퍼에 대한 이온 빔 주입 방법 및 그 장비 有权
标题翻译：用于使用离子束均匀地嵌入波形的方法和装置
公开(公告)号：KR101133678B1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100043819
申请日：2010-05-11
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 센쳉-후이 , 베리안돈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
摘要： 본 발명은 웨이퍼에 대한 이온 주입 방법에 관한 것으로, 먼저 제1축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 긴 길이와 제2축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 작은 폭을 가진 밴드형 이온빔을 웨이퍼 상에 형성한 후, 이온빔을 통과하는 스캔 경로를 따라 특정 이동 속도로 웨이퍼 중심을 이동시키는 동시에 특정 회전 속도로 웨이퍼를 회전시키는 동시 이동 및 회전 단계를 수행한다. 상기 동시 이동 및 회전 단계를 수행하는 동안에 웨이퍼가 이온빔을 통과할 때 제1축 방향의 이온빔은 상기 웨이퍼를 완전히 커버하고, 회전 속도는 최대로 이동 속도의 몇 배이다. 이동 속도와 회전 속도는 모두 상수 또는 웨이퍼 상의 이온빔 위치에 대한 함수로 표시할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020110016389A 웨이퍼에 대한 이온 빔 주입 방법 및 그 장비 有权
标题翻译：用于使用离子束均匀地嵌入波形的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110016389A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020100043819
申请日：2010-05-11
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 센쳉-후이 , 베리안돈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
摘要： PURPOSE: An ion beam injecting method for a wafer and an apparatus thereof are provided to uniformly inject the ion into the wafer by modifying the relative motion and the relative geometric relation between the wafer and the ion beam. CONSTITUTION: A band type ion beam having a length in a first direction and a width in a second direction is formed. The length is bigger than the diameter of a wafer(301). The width is smaller than the diameter of the wafer. The center of wafer is transferred according to the scan path passing through the ion beam in the specific transition speed and the wafer is rotated at the specific speed of rotation at the same time(302).
摘要翻译：目的：提供一种用于晶片的离子束注入方法及其装置，其通过修改晶片和离子束之间的相对运动和相对几何关系将离子均匀地注入晶片。构成：形成具有第一方向的长度和第二方向的宽度的带状离子束。该长度大于晶片（301）的直径。宽度小于晶片的直径。根据以特定转变速度通过离子束的扫描路径转移晶片的中心，同时晶片以特定的旋转速度旋转（302）。

3. 发明授权

KR100954484B1 이온주입방법 有权
标题翻译：离子注入法
公开(公告)号：KR100954484B1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020070136363
申请日：2007-12-24
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 린웨이-쳉 , 센쳉-후이
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 본 발명은 타겟에 이온을 주입시키기 위해 사용되는 이온주입방법에 관한 것이다. 균일한 스캔 속도로 이온 빔을 타겟에 주입하는 본 방법은, 타겟을 회전시키면서 이루어진다. 또한 본 방법은 타겟을 회전시키지 않는 방법을 이용할 수 있으며, 이 경우 비균일한 변동 스캔 속도로 이온빔을 타겟에 주입한다. 본 발명에서는 특유한 도즈 분포를 얻기 위해 균일한 이온 빔이 제공될 필요가 없는데, 그 결과 제조시간이 단축되고 생산 수율을 제고시킬 수 있다.
반도체, 이온주입, 이온주입방법

4. 发明公开

KR1020090012015A 이온주입방법 有权
标题翻译：离子植入方法
公开(公告)号：KR1020090012015A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070136363
申请日：2007-12-24
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 린웨이-쳉 , 센쳉-후이
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214
摘要： A ion beam speed control method is provided to improve the ion implantation effect by calculating the ion beam scan speed by using the relation of the ion concentration distribution with the distribution density of the ion beam for target. The ion beam including a plurality of ions is provided(S60). The concentration distribution of the ion beam is recognized in order to adjust the ion beam scan speed(S10). The concentration distribution of the implant ion which the target need is recognized (S20). The scan speed curve of the ion beam is calculated(S30). The ion of the ion beam is injected into the target(S70) according to the scan speed curve. Before the ion is injected into the target, It determines whether the calculated scan speed curve is positioned within the valid interval value(S40). If the calculated scan speed curve exceeds the valid interval value, The step is adjusted and the concentration distribution of the ion beam is controlled(S50).
摘要翻译：提供离子束速度控制方法，通过使用离子浓度分布与靶的离子束分布密度的关系计算离子束扫描速度来提高离子注入效果。提供包括多个离子的离子束（S60）。为了调整离子束扫描速度，识别离子束的浓度分布（S10）。识别目标需要的植入物离子的浓度分布（S20）。计算离子束的扫描速度曲线（S30）。根据扫描速度曲线将离子束的离子注入目标（S70）。在将离子注入目标物之前，它确定计算出的扫描速度曲线是否位于有效间隔值内（S40）。如果计算出的扫描速度曲线超过有效间隔值，则调整步长并控制离子束的浓度分布（S50）。

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