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1. 发明授权

KR101650244B1 이온 주입을 위한 중간 전류 리본 빔 有权
标题翻译：用于离子植入的中等电流RIBBON光束
公开(公告)号：KR101650244B1
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020140130229
申请日：2014-09-29
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 카임로버트 , 프리찰스엠 , 호글런드데이비드 , 플랫토우빌헬름피 , 사다트만드코우로쉬
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0473 , H01J2237/30472
摘要： 이온주입을위한중간전류리본빔을셋업하는방법이제공된다. 이것은프로세스가스및 보조가스가공급되는이온소스를제공하는단계를포함한다. 상기프로세스이온빔은질량분석자석을가지고상기보조가스로부터분리되고, 상기프로세스이온빔의세기는이온소스가스공급에있어서프로세스가스대 보조가스의비율을달리하는것에의해제어된다. 프로세스빔 세기또한상기이온소스의아래측에위치되는하나또는그 이상의기계적전류제한장치들을가지고제어될수 있다. 이온빔 시스템또한제공된다. 이방법은대략 3uA 내지대략 3mA 사이상기타겟에서총 리본빔 세기를제어할수 있다.

2. 发明公开

KR1020140025286A 비평면 반도체 디바이스의 도핑 审中-实审
标题翻译：抛光非平面半导体器件
公开(公告)号：KR1020140025286A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130098552
申请日：2013-08-20
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 탕,다니엘 , 옌,츄-시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66803 , H01L21/26586 , H01L21/823431 , H01L29/785
摘要： In doping a non-planar semiconductor device, a substrate formed on a non-planar semiconductor body is obtained. A first ion implantation is performed on the region of the non-planar semiconductor body. The first ion implantation has first implantation energy and a first implantation angle. A second ion implantation is performed on the same region of the non-planar semiconductor body. The second implantation has second plantation energy and a second implantation angle. The first plantation energy may be different from the second plantation energy. In addition, the first implantation angle may be different from the second implantation angle. [Reference numerals] (102) Obtain a substrate on which a pin is formed; (104) Perform first ion implantation; (106) Perform second ion implantation
摘要翻译：在非平面半导体器件的掺杂中，形成在非平面半导体本体上的衬底。在非平面半导体本体的区域上执行第一离子注入。第一离子注入具有第一注入能和第一注入角。在非平面半导体本体的相同区域上执行第二离子注入。第二植入具有第二种植园能量和第二植入角度。第一种植园能量可能与第二种植园能量不同。此外，第一注入角度可以不同于第二注入角度。（102）获得形成销的基板; （104）进行第一次离子注入; （106）进行第二离子注入

3. 发明授权

KR101133678B1 웨이퍼에 대한 이온 빔 주입 방법 및 그 장비 有权
标题翻译：用于使用离子束均匀地嵌入波形的方法和装置
公开(公告)号：KR101133678B1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100043819
申请日：2010-05-11
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 센쳉-후이 , 베리안돈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
摘要： 본 발명은 웨이퍼에 대한 이온 주입 방법에 관한 것으로, 먼저 제1축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 긴 길이와 제2축 방향에서 웨이퍼의 직경보다 작은 폭을 가진 밴드형 이온빔을 웨이퍼 상에 형성한 후, 이온빔을 통과하는 스캔 경로를 따라 특정 이동 속도로 웨이퍼 중심을 이동시키는 동시에 특정 회전 속도로 웨이퍼를 회전시키는 동시 이동 및 회전 단계를 수행한다. 상기 동시 이동 및 회전 단계를 수행하는 동안에 웨이퍼가 이온빔을 통과할 때 제1축 방향의 이온빔은 상기 웨이퍼를 완전히 커버하고, 회전 속도는 최대로 이동 속도의 몇 배이다. 이동 속도와 회전 속도는 모두 상수 또는 웨이퍼 상의 이온빔 위치에 대한 함수로 표시할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020170049429A 정전 척 클리닝 방법 审中-实审
标题翻译：静电吸盘清洁方法
公开(公告)号：KR1020170049429A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160140827
申请日：2016-10-27
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 니위-호 , 강쥔-진 , 양제-런
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/30 , B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/20 , H01J37/304 , H01J2237/022 , H01J2237/2002 , H01J2237/30466 , H01L21/6833 , H02N13/00
摘要： 본발명은정전척 클리닝방법을공개한것이다. 정전척의작업표면에어떠한가공물도지지고정되지않았을때, 이온빔을정전척의작업표면으로전송하여, 물리적충격및/또는화학적결합과같은이온빔과작업표면상의증착물의상호작용을통해, 증착물을정전척의작업표면으로부터제거한다. 이를통해, 정전척에가공물이지지고정되지않았을때, 가공물로부터탈락된포토레지스트또는공정반응챔버에부유하는파티클등등을막론하고, 정전척의작업표면에나타나는증착물이정전척과가공물사이의실제고정력에미치는영향을개선할수 있다. 이온빔의전류량, 에너지와이온의종류는모두증착물의구조, 두께와재료등에의해결정된다. 예를들어저에너지이온빔을사용하여정전척의작업표면이손상될가능성을감소시키고, 산소이온또는불활성기체이온등을사용하여한편으로는증착물을제거하고다른한편으로는정전척 작업표면의유전매질층의전도성에미치는영향을감소시킬수 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种静电吸盘清洁方法。静电卡盘的操作时的表面上的任何工件也是支持不固定，以使离子束通过的静电卡盘工作表面，一个物理冲击和/或通过离子束沉积相互作用和工作表面，诸如化学结合，静电沉积卡盘工作转交从表面移除。这允许，在当他们不固定于支承上的静电卡盘的工件，悬浮在光致抗蚀剂或从工件和静电卡盘沉积物的静电卡盘和工件分离的过程中反应室而与粒子的等之间的实际保持力出现在工作表面上效果可以得到改善。离子束的电流量，能量和离子类型全部由沉积材料的结构，厚度和材料决定。例如，使用低能量离子束，以减少在静电吸盘中，工作表面，用氧离子，或惰性气体离子等电介质层的导电性损失的可能性，同时euroneun除去沉积物和在另一方面euroneun卡盘的工件表面效果可以降低。

5. 发明公开

KR1020140146525A 스캔 헤드 및 이를 이용한 스캔 암 有权
标题翻译：扫描头和扫描ARM使用它
公开(公告)号：KR1020140146525A
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020140038432
申请日：2014-04-01
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 맥레이,리차드에프.
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20207 , H01J2237/20228 , H01J2237/20285
摘要： A scan head assembled to a scan arm for an ion implanter and a scan arm using the same are provided, wherein the scan head comprises a case, a shaft assembly, an ESC, a first driving mechanism, and a second driving mechanism. The case has a normal center line. The shaft assembly passes through a first side of the case and has a twist axis, a first pivot point fixed relative to the case, and a first end located outside the case. The ESC is fastened on the first end and capable of holding a work piece. The first driving mechanism is capable of driving the shaft assembly, the ESC and the work piece to tilt relative to the normal center line. The second driving mechanism is capable of driving the shaft assembly, the ESC and the work piece to rotate around the twist axis.
摘要翻译：提供了组装到用于离子注入机的扫描臂和使用其的扫描臂的扫描头，其中扫描头包括壳体，轴组件，ESC，第一驱动机构和第二驱动机构。案件有正常的中心线。轴组件穿过壳体的第一侧并且具有扭转轴线，相对于壳体固定的第一枢转点和位于壳体外部的第一端。 ESC紧固在第一端并能够固定工件。第一驱动机构能够驱动轴组件，ESC和工件相对于正常中心线倾斜。第二驱动机构能够驱动轴组件，ESC和工件围绕扭转轴线旋转。

6. 发明公开

KR1020140071264A 멀티-에너지 이온 주입 审中-实审
标题翻译：多功能离子植入
公开(公告)号：KR1020140071264A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020130149538
申请日：2013-12-03
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 완,지민
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/302 , H01J2237/047 , H01J2237/30472 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L29/66803
摘要： In a multi-energy ion implantation process, an ion implanting system having an ion source, an extraction assembly, and an electrode assembly is used to implant ions into a target. An ion beam having a first energy may be generated using the ion source and the extraction assembly. A first voltage may be applied to both ends of the electrode assembly. The ion beam may enter the electrode assembly at the first energy, exit the electrode assembly at a second energy, and implant ions into the target at the second energy. A second voltage may be applied to both ends of the electrode assembly. The ion beam may enter the electrode assembly at the first energy, exit the electrode assembly at a third energy, and implants ions into the target at the third energy. The third energy may be different from the second energy.
摘要翻译：在多能离子注入工艺中，使用具有离子源，提取组件和电极组件的离子注入系统将离子注入到靶中。可以使用离子源和提取组件产生具有第一能量的离子束。第一电压可以施加到电极组件的两端。离子束可以以第一能量进入电极组件，以第二能量离开电极组件，并以第二能量将离子注入到靶中。第二电压可以施加到电极组件的两端。离子束可以以第一能量进入电极组件，以第三能量离开电极组件，并以第三能量将离子注入靶中。第三能量可能与第二能量不同。

7. 发明授权

KR101327161B1 만곡 봉자석에 의해 이온빔을 조절하는 장치 有权
标题翻译：用于通过弯曲棒磁体调节离子束的装置
公开(公告)号：KR101327161B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020110047244
申请日：2011-05-19
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 젠고-추안 , 완즈민
IPC分类号： H01J37/317 , H01J31/08 , H01J37/141
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J2237/24542
摘要： 본 발명은 질량분석기와 기판 홀더 사이에서 이온빔을 조절하는 장치에 관한 것이다. 예를 들면 하나 또는 다수개의 아치형, 곡선형 또는 지그재그형의 봉자석을 설치함으로써 이온빔에 하나 또는 다수개의 자기장을 인가하여 이온빔이 봉자석 에 의해 둘러싸인 공간을 통과할 때 그 형상 또는 단면을 조절한다. 서로 인접하는 만곡 봉자석의 사이는 적어도 하나의 간격 폭, 각 만곡 봉자석의 만곡도 또는 곡률 및 각 만곡 봉자석을 통과하는 전류는 모두 고정적이거나 일괄적 또는 개별적으로 조절할 수 있다. 그러므로 서로 다른 방향을 따라 이온빔에 인가되는 로렌츠 힘은 요구에 따라 변할 수 있으며, 이온빔은 이 때문에 연장되거나 압축 또는 변형되어 공정의 요구를 만족시킬 수 있다.

8. 发明公开

KR1020120085633A 만곡 봉자석에 의해 이온빔을 조절하는 장치 有权
标题翻译：用于通过弯曲棒磁体调节离子束的装置
公开(公告)号：KR1020120085633A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：KR1020110047244
申请日：2011-05-19
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 젠고-추안 , 완즈민
IPC分类号： H01J37/317 , H01J31/08 , H01J37/141
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J2237/24542
摘要： PURPOSE: An apparatus for controlling an ion beam is provided to satisfy a construction progress demand by individually or simultaneously controlling a current passing through a curved rod magnet. CONSTITUTION: An ion source generates an ion beam. An incidence ion beam(67) is a transformed emission ion beam. A substrate holder loads a work-piece to be injected by the ion beam. A first curved rod magnet(61) comprises one or more first coils arranged on a first curved support rod. One or more first currents flow in the first coil. A second curved rod magnet(62) comprises one or more second coils arranged on a second curved support rod. One or more second currents flow in the second coil. Control assembly controls the ion beam in a control space between a mass spectrometer and the substrate holder.
摘要翻译：目的：提供一种用于控制离子束的装置，以通过单独或同时控制通过弯曲杆状磁体的电流来满足施工进度要求。构成：离子源产生离子束。入射离子束（67）是转变的发射离子束。衬底支架装载由离子束注入的工件。第一弯曲杆状磁体（61）包括布置在第一弯曲支撑杆上的一个或多个第一线圈。一个或多个第一电流在第一线圈中流动。第二弯曲杆状磁体（62）包括布置在第二弯曲支撑杆上的一个或多个第二线圈。一个或多个第二电流在第二线圈中流动。控制组件控制离子束在质谱仪和衬底保持器之间的控制空间中。

9. 发明公开

KR1020110109841A 가변 개구를 이용하는 것에 의한 주입 방법 및 주입기 无效
标题翻译：使用可变孔径的植入方法和植入物
公开(公告)号：KR1020110109841A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110017795
申请日：2011-02-28
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 완지민 , 폴락존디. , 배리앤돈 , 젠코-추안
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
摘要： 개구 장치 내의 가변 개구는 형성된 이온 비에 의해 기판이 주입되기 전에 이온 빔을 형성하기 위해, 특히 기판의 바로 전면에 배치된 이온 빔을 최종적으로 형성하기 위하여 사용된다. 따라서, 기판의 상이한 부분 또는 상이한 기판은 다수의 고정 개구를 사용하거나 또는 매회 이온 빔으로 되돌아갈 필요없이 상이한 형상의 이온 빔에 의해 각각 주입될 수 있다. 즉, 고비용(다수의 고정 개구 장치 사용)없이 또 복잡한 작동(매회 이온 빔으로 되돌아감) 없이 맞춤화된 이온 빔에 의해 각각 상이한 주입을 달성할 수 있다. 또한 가변 개구의 조절이 기계적 작업에 의해 간단히 달성될 수 있기 때문에 주입하기 위한 특정 이온 빔을 얻기 위한 빔 튠 공정이 가속되어서 다수의 고정 개구 및/또는 이온 빔을 매회 되돌아가게 하는 것에 비하여 더 빠르게 된다.

10. 发明授权

KR102157907B1 멀티-에너지 이온 주입 有权
公开(公告)号：KR102157907B1
公开(公告)日：2020-09-21
申请号：KR1020130149538
申请日：2013-12-03
申请人： 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크.
发明人： 완,지민
IPC分类号： H01L21/265

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