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11. 发明授权

KR101506356B1 외부적으로 상호연결된 발광 장치의 어레이를 사용하는 조명 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用发光装置的外部互连阵列的照明装置，以及使其发光的方法
公开(公告)号：KR101506356B1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020097017522
申请日：2008-01-22
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 네글레이제랄드에이치. , 반데벤안토니폴
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L21/2654 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0803 , H01L2924/00
摘要： 상호연결 서브마운트와 공용 기판에 의해 기계적으로 상호연결된 발광 장치를 포함하는 발광기가 제공된다. 발광기는 직렬 연결된, 발광 장치의 서브세트드의 어레이를 제공하도록 서브마운트에 의해 전기적으로 상호연결되며, 각 서브세트는 전기적으로 병렬로 연결된 적어도 세 개의 발광 장치를 포함한다. 또한, 제1 공용 기판에 의해 기계적으로 상호연결된 제1 발광 장치와, 제2 공용 기판에 의해 기계적으로 상호연결된 제2 발광 장치를 포함하는 발광기가 제공되며, 제1 발광 장치는 제2 발광 장치에 기계적 및 전기적으로 연결된다. 또한, 기계적으로 상호연결된 발광 장치와, 복수의 발광 장치를 기계적 및 전기적으로 상호연결하여 직렬 연결된, 복수의 발광 장치의 서브세트의 어레이를 제공하기 위한 수단을 포함하는 발광기가 제공되며, 각 서브세트는 전기적으로 병렬로 연결된 적어도 세 개의 발광 장치를 포함한다. 또한, 발광기를 제조하는 방법이 제공된다.
발광기, 발광 다이오드, 서브세트, 어레이, 서브마운트

12. 发明授权

KR101219358B1 기판 분리 방법 및 이를 이용한 접합기판 제조방법 有权
标题翻译：用于分离基板的方法和使用该基板的基板的接合方法
公开(公告)号：KR101219358B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020110074054
申请日：2011-07-26
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동운 , 서중원 , 이보현 , 김동현 , 장봉희 , 김민주 , 박승용 , 유율리아 , 김미경 , 배슬기
IPC分类号： H01L21/20 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/324 , H01L21/76254 , H01L33/0095
摘要： PURPOSE: A substrate separating method and a method for manufacturing a bonding substrate using the same are provided to improve quality by releasing stress of the substrate through annealing after ions are implanted. CONSTITUTION: An ion implantation layer is formed by implanting a first ion to a substrate(S110). A substrate with the ion implantation layer is annealed(S120). A second ion is implanted to the ion implantation layer(S130). The substrate is separated by heating the substrate to which the second ion is implanted(S140). The annealing process and the second ion implantation process are repeated several times. [Reference numerals] (S110) First ion implanting step; (S120) Annealing step; (S130) Second ion implanting step; (S140) Separating step
摘要翻译：目的：提供基板分离方法和使用其的接合基板的制造方法，以通过在离子注入后通过退火释放基板的应力来提高质量。构成：通过将第一离子注入到衬底中形成离子注入层（S110）。将具有离子注入层的衬底退火（S120）。将第二离子注入离子注入层（S130）。通过加热第二离子注入的衬底来分离衬底（S140）。退火工艺和第二离子注入工艺重复几次。（参考号）（S110）第一离子注入步骤; （S120）退火步骤; （S130）第二离子注入步骤; （S140）分离步骤

13. 发明公开

KR1020110086724A 성장 기판을 제거한 직렬 연결 플립칩 ＬＥＤ有权
标题翻译：系列连接的切片芯片，带有生长基板去除
公开(公告)号：KR1020110086724A
公开(公告)日：2011-07-29
申请号：KR1020117012834
申请日：2009-10-29
申请人： 루미레즈 엘엘씨 , 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 크램스,마이클알. , 에플러,존이. , 슈타이거발트,다니엘에이. , 마르갈리트,탈
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/12 , H01L27/15 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/2654 , H01L27/153
摘要： 사파이어 기판 상에서 LED 층(18-22)들이 성장된다. 트렌칭 또는 마스크된 이온 주입에 의해 개별 플립칩 LED들이 형성된다. 복수의 LED들을 포함하는 모듈들이 다이싱되고 서브마운트 웨이퍼(44) 상에 탑재된다. LED들 상에 형성된 서브마운트 금속 패턴 또는 금속 패턴이 모듈 내의 LED들을 직렬 연결시킨다. 성장 기판이 그 후 레이저 리프트-오프 등에 의해 제거된다. 탑재 전 또는 후에 반절연층이 형성되어, LED들을 기계적으로 서로 연결시킨다. 반절연성층은 기판과 LED 층들 사이의 층의 이온 주입에 의해 형성될 수 있다. 기판 제거 후에 노출되는 반절연층의 PEC 에칭은 반절연층을 바이어스시킴으로써 수행될 수 있다. 그 후, 서브마운트가 다이싱되어 직렬 연결된 LED들을 포함하는 LED 모듈들을 생성한다.

14. 发明公开

KR1020110077301A 발광다이오드 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110077301A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090133830
申请日：2009-12-30
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 곽준섭 , 박민주
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/2654 , H01L33/007
摘要： PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to prevent a leakage current due to an etching process. CONSTITUTION: An active layer is formed on a first n type semiconductor layer(200). A p type semiconductor layer is formed on an active layer(300). A second n type semiconductor layer passes through the first n type semiconductor layer, the active layer, and the p type semiconductor layer. An insulation layer(600) is formed between the second n type semiconductor layer and the laminated first n type semiconductor, active layer, and p type semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以防止由于蚀刻工艺引起的漏电流。构成：在第一n型半导体层（200）上形成有源层。在有源层（300）上形成p型半导体层。第二n型半导体层通过第一n型半导体层，有源层和p型半导体层。在第二n型半导体层和层叠的第一n型半导体，有源层和p型半导体层之间形成绝缘层（600）。

15. 发明公开

KR1020080037248A 불순물 도핑 장치 및 이를 이용한 불순물 도핑 방법 无效
标题翻译：使用它的污染物和掺杂方法的装置
公开(公告)号：KR1020080037248A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060104066
申请日：2006-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김덕회 , 이청
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3171 , H01L21/2654
摘要： An impurity doping apparatus and an impurity doping method using the same are provided to improve doping purity of impurities by preventing impurity elements of a previous impurity doping process from being remained. An impurity doping apparatus comprises a chamber, a measuring unit(80), and a control unit(90). Predetermined gases are supplied to the reaction chamber to produce plasma therein according to an applied power source. Ions of the plasma are accelerated to a substrate and are injected into the chamber. The measuring unit measures the ions of the plasma accelerated in the chamber. The control unit receives a value measured by the measuring unit and controls a supply amount of the gases supplied to the chamber. The chamber includes a plasma chamber(10), a process chamber(20), and an acceleration electrode(30). The plasma is produced in the plasma chamber. The process chamber communicates with the plasma chamber, and the substrate is positioned on the process chamber. The acceleration electrode is provided between the plasma chamber and the process chamber.
摘要翻译：提供一种杂质掺杂装置和使用其的杂质掺杂方法，以通过防止先前的杂质掺杂工艺的杂质元素残留来提高杂质的掺杂纯度。杂质掺杂装置包括室，测量单元（80）和控制单元（90）。根据施加的电源将预定气体供应到反应室以产生等离子体。将等离子体的离子加速到衬底并注入腔室。测量单元测量在室中加速的等离子体的离子。控制单元接收由测量单元测量的值，并控制供应到室的气体的供应量。该室包括等离子体室（10），处理室（20）和加速电极（30）。等离子体在等离子体室中产生。处理室与等离子体室连通，并且基板位于处理室上。加速电极设置在等离子体室和处理室之间。

16. 发明公开

KR20180033153A 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：复合材料基板和复合材料基板制造方法
公开(公告)号：KR20180033153A
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR20180032733
申请日：2018-03-21
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/768 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/2654 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01S5/0206 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 13족질화물을포함하는제1 기판과, 세라믹스를포함하는제2 기판을접합시킨복합기판에대해, 방열성을좋게하고제조시의프로세스를간단하게하는것을목적으로한다. 세라믹스를포함하는제2 기판(12)의표면(12a)에금속막(23)을형성하고(c), 이금속막(23)을통해 13족질화물을포함하는제1 기판(21)과제2 기판(12)을접합한다(d). 금속막(23)은일반적으로산화막에비하여열전도율이높기때문에, 이렇게함으로써산화막을통해제1 기판(21)과제2 기판(12)을접합한경우에비하여방열성이좋은복합기판(10)을얻을수 있다. 또한, 산화막을이용하지않기때문에외측확산의공정이필요없게되어프로세스가간단해진다.
摘要翻译：在由陶瓷构成的第二基板的至少一个表面上形成金属膜（步骤c），并且由氮化
物组成的第一基板通过金属膜与第二基板接合（步骤d）。由于金属膜通常具有比氧化物膜更高的导热率，因此与通过氧化物膜将第一基板结合到第二基板的情况相比，可以制造具有高散热性的复合基板。另外，由于不使用氧化膜，所以不需要外扩散步骤，从而简化了工艺。

17. 发明授权

KR101344972B1 매립층에 대한 저-저항 콘택을 제공하기 위한 주입된 영역을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 관련 소자 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，包括用于提供低电阻接触到被覆层和相关器件的嵌入区域
公开(公告)号：KR101344972B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020097011435
申请日：2007-11-01
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 셰파드스콧티. , 수보로브알렉산더브이.
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/78 , H01L21/329 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/26553 , H01L29/66212 , H01L29/66446 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/802 , H01L29/812
摘要： 반도체소자를제조하는방법은제1 도전형과제1 도펀트농도를갖는제1 반도체층을형성하는단계와상기제1 반도체층위에제2 반도체층을형성하는단계를포함한다. 상기제2 반도체층은상기제1 도펀트농도보다작은제2 도펀트농도를갖는다. 상기제2 반도체층을통하여확장되고상기제1 반도체층과접촉하는제1 도전형의주입된영역을형성하기위하여상기제2 반도체층안으로이온들이주입된다. 상기제2 반도체층의상기주입된영역위에제1 전극이형성되고, 상기주입된영역으로부터간격을갖고떨어진상기제2 반도체층의주입되지않은영역위에제2 전극이형성된다. 관련된소자들이또한논의된다.

18. 发明公开

KR1020130103279A 스트레인드 영역을 갖는 ＦｉｎＦＥＴ 디바이스 无效
标题翻译：具有应变区域的FINFET器件
公开(公告)号：KR1020130103279A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120104670
申请日：2012-09-20
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리씅린 , 옌펭 , 치앙흥리 , 예치치에
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/2654 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/324 , H01L29/1054 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7847
摘要： PURPOSE: A FinFET device with a strained region is provided to improve the performance of a transistor with carrier mobility by providing a tensile strain to a channel region. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is provided (202). An injection process is performed (204). A buffer layer is formed on the semiconductor substrate (206). A stress film is formed on the semiconductor substrate (208). A stress induction or transmission process is performed (210). A stress film and/or a buffer layer are separated from the semiconductor substrate (212). A junction is formed by performing source and drain injection processes (214). [Reference numerals] (202) Semiconductor substrate is provided; (204) Injection process is performed; (206) Buffer layer is formed on the semiconductor substrate; (208) Stress film is formed on the semiconductor substrate; (210) Stress induction process is performed; (212) Stress film and a buffer layer are separated from the semiconductor substrate; (214) Junction is formed by performing source and drain injection processes
摘要翻译：目的：提供具有应变区域的FinFET器件，通过向沟道区域提供拉伸应变来改善具有载流子迁移率的晶体管的性能。构成：提供半导体衬底（202）。执行注射过程（204）。在半导体衬底（206）上形成缓冲层。在半导体衬底（208）上形成应力膜。执行应力感应或传输过程（210）。应力膜和/或缓冲层与半导体衬底（212）分离。通过进行源极和漏极注入工艺（214）形成结。（附图标记）（202）提供半导体基板; （204）进行注射处理; （206）在半导体衬底上形成缓冲层; （208）在半导体基板上形成应力膜; （210）进行应力感应处理; （212）应力膜和缓冲层与半导体衬底分离; （214）通过进行源极和漏极注入工艺形成结

19. 发明公开

KR1020090119862A 고장 내성 발광기, 고장 내성 발광기를 포함하는 시스템 및 고장 내성 발광기를 제조하는 방법 无效
标题翻译：容错灯发光器，容纳容错灯发光体的系统及制作容错灯发光体的方法
公开(公告)号：KR1020090119862A
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020097017548
申请日：2008-01-22
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 네글레이제랄드에이치. , 반데벤안토니폴
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L21/2654 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： There is provided a light emitter comprising light emitting devices (for example, light emitting diodes) which are electrically interconnected to provide an array of at least two serially connected subsets of parallel connected light emitting devices, each subset comprising at least three light emitting devices, hi some embodiments, the light emitting devices are from a contiguous region of a wafer. There is also provided a light emitter, comprising light emitting devices, means for mechanically interconnecting the light emitting devices and means for electrically interconnecting the light emitting devices to provide serially connected subsets interconnected in parallel, each subset comprising at least three light emitting devices. Also, methods of fabricating light emitters.
摘要翻译：提供了一种发光器件，其包括电互连的发光器件（例如发光二极管），以提供并联连接的发光器件的至少两个串联连接的子集的阵列，每个子集包括至少三个发光器件，在一些实施例中，发光器件来自晶片的连续区域。还提供了一种光发射器，包括发光器件，用于机械地互连发光器件的装置和用于电连接发光器件以提供并联互连的串联连接的子集的装置，每个子集包括至少三个发光器件。另外，制造发光体的方法。

20. 发明公开

KR1020080108985A (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 전도도 제어 방법 有权
标题翻译：（AL，IN，GA，B）电导率控制方法N
公开(公告)号：KR1020080108985A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020087021910
申请日：2007-02-09
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 케딩존에프. , 사토히토시 , 이자마이클 , 아사미즈히로쿠니 , 종홍 , 덴바스스티븐피. , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/15 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/207
摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al, In, Ga, B)N semiconductor crystals. Examples include { 1011 } GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：（Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。实例包括沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底上的方向上沉积的{1011} GaN膜。可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。 ®KIPO＆WIPO 2009

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