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1. 发明公开

KR1020140131681A 전력 소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전력 소자 无效
标题翻译：用于电力设备的基板，其制造方法和包括其的功率器件
公开(公告)号：KR1020140131681A
公开(公告)日：2014-11-14
申请号：KR1020130050551
申请日：2013-05-06
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 정진욱 , 서중원 , 정병규
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/66462
摘要： 본 발명은 전력 소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전력 소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 전력 소자의 항복전압을 향상시킬 수 있는 전력 소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전력 소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 수평형 전력 소자의 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성되는 기판에 있어서, 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 형성되고, 상기 제1 기판과는 화학 조성이 다른 물질로 이루어진 제2 기판; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 접합면으로부터 상기 제1 기판의 내측 방향으로 상기 제1 기판의 일측 영역에 형성되되, 상기 제2 기판 상에 형성되는 상기 드레인 전극과 수직 방향으로 대응되는 상기 제1 기판의 일측 영역에 형성되고, 유전체로 이루어진 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전력 소자를 제공한다.
摘要翻译：电源装置用基板及其制造方法以及具备该功率器件的功率器件技术领域本发明涉及功率器件用基板及其制造方法以及具备该功率器件的功率器件，更具体地，涉及一种功率器件用基板及其制造方法以及具备该功能元件的功率器件功率器件的屈服电压。为此，本发明提供了一种用于功率器件的衬底，其制造方法和包括其的功率器件，其中形成水平功率器件的源电极，栅电极和漏电极的衬底包括：第一底物; 第二基板，形成在第一基板上，由具有不同于第一基板的化学成分的材料制成，以及介电层，其从第一基板和第一基板的界面在第一基板的内侧方向形成在第一基板的一个侧面区域上所述第二基板，而所述电介质层形成在与形成在所述第二基板上的与所述漏电极垂直的方向对应的所述第一基板的一个侧面区域上，并且由电介质材料制成。

2. 发明公开

KR1020130049591A 박막 접합 기판 제조방법 无效
标题翻译：具有薄膜薄膜的基板的制作方法
公开(公告)号：KR1020130049591A
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020110114691
申请日：2011-11-04
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김아라 , 김동현 , 김민주 , 서중원 , 전종필 , 정경섭
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/185 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/7806
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film bonding substrate is provided to increase a thin film area by giving a physical bonding force between a crystal thin film and a heterogeneous substrate. CONSTITUTION: Liquid materials are rinsed on at least one side of a heterogeneous substrate(S1). A crystalline bulk is formed on the heterogeneous substrate. The heterogeneous substrate is bonded to one side of the crystalline bulk(S2). The liquid materials are evaporated by applying heat or high vacuum. A crystalline thin film is formed by separating a part of the crystalline bulk(S3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Rinsing step; (S2) Bonding step; (S3) Thin film separating step
摘要翻译：目的：提供一种制造薄膜接合基板的方法，通过在晶体薄膜和非均匀基板之间产生物理结合力来增加薄膜面积。构成：在异质衬底的至少一侧冲洗液体材料（S1）。在异质衬底上形成结晶体。异质衬底结合到结晶体的一侧（S2）。液体材料通过加热或高真空蒸发。通过分离一部分结晶体形成晶体薄膜（S3）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）冲洗步骤; （S2）粘合工序; （S3）薄膜分离工序

3. 发明公开

KR1020130040496A 접합기판 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：粘结基材及其制造原料
公开(公告)号：KR1020130040496A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105310
申请日：2011-10-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 서중원 , 김동현 , 김동운 , 김미경 , 김민주 , 박승용 , 이보현 , 장봉희
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/02002 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要： PURPOSE: A bonded substrate and a manufacturing method thereof are provided to remove the empty space between a first and a second substrate and improve the bonding quality of the first and the second substrate. CONSTITUTION: An ion is injected into a first substrate to form an ion implantation layer(S110). The first substrate is bonded to a second substrate having grooves(S120). The first substrate is separated based on the ion implantation layer(S130). The ion is hydrogen, helium, nitrogen, oxygen, or argon. [Reference numerals] (S110) Injecting ions into a first substrate; (S120) Bonding the first substrate to a second substrate having grooves; (S130) Separating the first substrate based on the ion implantation layer;
摘要翻译：目的：提供一种键合衬底及其制造方法，以去除第一和第二衬底之间的空白空间，并提高第一和第二衬底的接合质量。构成：将离子注入第一衬底以形成离子注入层（S110）。将第一基板接合到具有凹槽的第二基板（S120）。基于离子注入层分离第一衬底（S130）。离子是氢，氦，氮，氧或氩。（S110）将离子注入到第一基板中; （S120）将第一基板接合到具有槽的第二基板; （S130）基于离子注入层分离第一基板;

4. 发明授权

KR101254716B1 패턴을 갖는 전이기판 제조방법 失效
标题翻译：具有图案的层转移衬底的制造方法
公开(公告)号：KR101254716B1
公开(公告)日：2013-04-15
申请号：KR1020110115122
申请日：2011-11-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 서중원 , 유율리아 , 김동현 , 김민주 , 김아라 , 전종필 , 정경섭
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a transferred substrate having a pattern is provided to reduce fabrication time by using a mask substrate having a pattern. CONSTITUTION: Ions are injected into a first substrate to form an ion implantation layer(S100). The ion implantation layer of the first substrate touches a second substrate. The first substrate is bonded to the second substrate(S200). The mask substrate has the pattern of the first substrate or the second substrate. The first substrate is separated from the second substrate(S300).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造具有图案的转印衬底的方法，以通过使用具有图案的掩模衬底来减少制造时间。构成：将离子注入第一衬底以形成离子注入层（S100）。第一衬底的离子注入层接触第二衬底。第一基板与第二基板接合（S200）。掩模基板具有第一基板或第二基板的图案。第一衬底与第二衬底分离（S300）。

5. 发明公开

KR1020130027182A 기판 접합 장치 无效
标题翻译：用于粘结基材的装置
公开(公告)号：KR1020130027182A
公开(公告)日：2013-03-15
申请号：KR1020110090605
申请日：2011-09-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동현 , 우광제 , 한유신 , 서중원 , 이보현 , 김민주 , 장봉희 , 박승용 , 유율리아 , 김동운 , 김미경
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/185 , H01L21/68785
摘要： PURPOSE: A substrate bonding apparatus is provided to improve direct bonding efficiency by transmitting a uniform load to two substrates. CONSTITUTION: A support unit(110) supports a silicon substrate(10) and a GaN substrate(20) and is transformed to contact the silicon substrate. The support unit includes a support unit body(111) with a first concave part(111a), a first floating layer(112), and a first flexible thin film layer(113). A pressurizing unit(120) reciprocates toward the support unit to apply a bonding load to the silicon substrate and the GaN substrate. The pressurizing unit is transformed to contact the GaN substrate. The pressurizing unit includes a support body(121) with a second concave part(121a), a second floating layer(122), and a second flexible thin film layer(123).
摘要翻译：目的：提供一种基板接合装置，通过将均匀的载荷传递到两个基板来提高直接接合效率。构成：支撑单元（110）支撑硅衬底（10）和GaN衬底（20），并被转换以接触硅衬底。支撑单元包括具有第一凹部（111a），第一浮动层（112）和第一柔性薄膜层（113）的支撑单元主体（111）。加压单元（120）向支撑单元往复运动，以向硅衬底和GaN衬底施加结合负载。转换加压单元以接触GaN衬底。加压单元包括具有第二凹部（121a）的支撑体（121），第二浮动层（122）和第二柔性薄膜层（123）。

6. 发明公开

KR1020130024479A 기판 분리 방법, 및 이를 이용한 접합기판과 그 제조방법 无效
标题翻译：用于分离基板的方法和使用该基板的基板和其制造方法
公开(公告)号：KR1020130024479A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087951
申请日：2011-08-31
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박승용 , 이보현 , 서중원 , 장봉희 , 유율리아 , 김미경 , 김동운 , 김동현 , 김민주
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/185 , H01L21/265
摘要： PURPOSE: A method for separating a substrate, a bonding substrate using the same and a production method thereof are provided to reduce the warpage of a substrate due to ion implantation by using a groove. CONSTITUTION: A groove is formed on a semiconductor substrate(100)(S301). Ions are injected into the semiconductor substrate having the groove to form an ion implantation layer(200)(S302). The semiconductor substrate is separated(S303).
摘要翻译：目的：提供一种分离基板的方法，使用其的接合基板及其制造方法，以通过使用凹槽来减少由于离子注入引起的基板的翘曲。构成：在半导体基板（100）上形成槽（S301）。将离子注入到具有凹槽的半导体衬底中以形成离子注入层（200）（S302）。分离半导体衬底（S303）。

7. 发明公开

KR1020130024477A 반도체 소자용 박막 접합 기판 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件加入薄膜的衬底的方法
公开(公告)号：KR1020130024477A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087949
申请日：2011-08-31
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김민주 , 김동현 , 이보현 , 서중원 , 장봉희 , 박승용 , 유율리아 , 김미경 , 김동운
IPC分类号： H01L33/12 , H01L21/20 , H01L21/208
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/2007 , H01L21/285 , H01L21/30604 , H01L21/7813 , H01L33/12
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a thin film bonding substrate for a semiconductor device is provided to secure crystalline thin films having different thicknesses without using epitaxial growth. CONSTITUTION: An epitaxial growth layer having a sandwich structure is grown on a thin film(S1). A heterosubstrate is bonded to the epitaxial growth layer(S2). A crystalline thin film is separated from the epitaxial growth layer(S3). A laser impact absorption layer and a stress buffer layer are formed between a sacrificial layer and the crystalline thin film. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Epitaxial growth step; (S2) Substrate bonding step; (S3) Thin film separation step
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于半导体器件的薄膜接合衬底的方法，以在不使用外延生长的情况下确保具有不同厚度的晶体薄膜。构成：在薄膜（S1）上生长具有夹层结构的外延生长层。杂质底物键合到外延生长层（S2）。将晶体薄膜与外延生长层分离（S3）。在牺牲层和结晶薄膜之间形成激光冲击吸收层和应力缓冲层。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）外延生长步骤; （S2）基板接合工序; （S3）薄膜分离工序

8. 发明授权

KR101357795B1 수직형 반도체 소자용 기판 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：用于垂直型半导体器件的衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR101357795B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020110103202
申请日：2011-10-10
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김민주 , 김경준 , 김동현 , 김아라 , 서중원 , 전종필 , 정경섭 , 장봉희
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 에피 성장을 위한 수직형 반도체 소자용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종 기판과 화합물 반도체층이 접합층에 의해 접합되어 수직으로 도전성이 있는 수직형 반도체 소자용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 이종 기판; 상기 이종 기판 상에 형성된 접합층; 및 상기 접합층 상에 형성된 화합물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 소자용 기판을 제공한다.

9. 发明公开

KR1020130059677A 전이기판 제조방법 无效
标题翻译：层转移衬底的制造方法
公开(公告)号：KR1020130059677A
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020110125771
申请日：2011-11-29
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 전종필 , 김동현 , 김민주 , 김아라 , 서중원 , 정경섭
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a transferred substrate is provided to separate an ion implantation layer by a heating process under uniform pressure, and improve the surface roughness of the transferred substrate. CONSTITUTION: An ion implantation layer is formed by injecting ions to a first substrate(S100). A second substrate is bonded to the ion implantation surface of the first substrate(S200). A heating and a pressing process are performed on the bonding substrate consisting of the first substrate and the second substrate to separate the ion implantation layer from the first substrate(S300). [Reference numerals] (S100) Form an ion implantation layer on a first substrate; (S200) Bond the first substrate and a second substrate; (S300) Separate the first substrate by a heating and a pressing process
摘要翻译：目的：提供一种转印基板的制造方法，用于在均匀的压力下通过加热工艺分离离子注入层，并提高转印的基板的表面粗糙度。构成：通过将离子注入第一衬底形成离子注入层（S100）。第二基板结合到第一基板的离子注入表面（S200）。在由第一基板和第二基板构成的接合基板上进行加热和加压处理，以将离子注入层与第一基板分离（S300）。（附图标记）（S100）在第一基板上形成离子注入层; （S200）将第一基板和第二基板接合; （S300）通过加热和加压处理分离第一基板

10. 发明公开

KR1020130049590A 박막 접합 기판 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有薄膜薄膜的基底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130049590A
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020110114690
申请日：2011-11-04
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김민주 , 김동현 , 김동운 , 김미경 , 김아라 , 박승용 , 서중원 , 이보현 , 장봉희 , 전종필 , 정경섭
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/185 , H01L21/02304 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02598
摘要： PURPOSE: A thin film bonding substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent the warpage of the substrate by reducing stress between the substrates in a high temperature process. CONSTITUTION: A heterogeneous substrate(120) is bonded to a crystal thin film(110). The chemical composition of the heterogeneous substrate is different from the chemical composition of the crystal thin film. A stress buffer layer(130) is interposed between the crystal thin film and the heterogeneous substrate and reduces stress between the crystal thin film and the heterogeneous substrate.
摘要翻译：目的：提供薄膜接合基板及其制造方法，以通过在高温工艺中减小基板之间的应力来防止基板的翘曲。构成：异质衬底（120）结合到晶体薄膜（110）上。异质衬底的化学成分不同于晶体薄膜的化学成分。应力缓冲层（130）介于晶体薄膜和非均相衬底之间，并减小晶体薄膜和非均相衬底之间的应力。

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