专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明公开

KR1020170095361A 권취식 성막 장치, 증발원 유닛, 및 권취식 성막 방법 审中-实审
标题翻译：一种卷绕型成膜装置，蒸发源单元和卷绕型成膜方法
公开(公告)号：KR1020170095361A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020177019741
申请日：2016-06-06
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 히로노,다카요시
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/562
摘要： 필름의폭 방향에서의막후(膜厚) 및투과율의편차를억제한다. 본발명의일 형태에따른권취식성막장치(1)는, 권출롤러(2)와, 권취롤러(3)와, 냉각롤러(4)와, 증발원어레이(6)와, 가스공급부(7)를구비한다. 증발원어레이(6)는, 냉각롤러(4)의축 방향과평행한제1 라인(L1) 상에소정의간격을두고배치된복수의제1 증발원(61(61A~61E))과, 제1 라인(L1)과평행한제2 라인(L2) 상에복수의제1 증발원(61)과반 피치엇갈려상기소정의간격을두고배치된복수의제2 증발원(62(62A~62F))을가진다. 가스공급부(7)는, 복수의제1 증발원(61)으로부터의증기류를향해가스를분출하는복수의제1 노즐부(71(71A~71E))와, 복수의제2 증발원(62)으로부터의증기류를향해가스를분출하는복수의제2 노즐부(72(72A~72F))를가지고, 증발원어레이(6)와냉각롤러(4)와의사이에배치된다.
摘要翻译：由此抑制膜宽度方向上的膜厚度和透射率的变化。如图1所示，卷绕辊3，冷却辊4，蒸发源列6和气体供给部7。和。蒸发源列6包括在与冷却辊4的轴向平行的第一线L1上以规定间隔配置的多个第一蒸发源61（61A〜61E）多个第一蒸发源61和多个第二蒸发源62（62A至62F）以预定间隔布置，同时在平行于第一线L1的第二线L2上彼此偏移半个节距。气体供给单元7具有，从多个第一喷嘴部分（71（71A〜71E））;多个第二蒸发源（62）的用于从所述第一多个蒸发源喷出的气体向所述蒸气流（61）它具有用于喷射气体朝向疑物流（72（72A〜72F））的多个第二喷嘴部分的，设置在蒸发源阵列6和冷却辊（4）之间。

12. 发明公开

KR1020170018418A 막후 센서의 진단 방법 및 막후 모니터 审中-实审
标题翻译：用于薄膜厚度传感器和薄膜厚度监测器的诊断方法
公开(公告)号：KR1020170018418A
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020177000979
申请日：2015-07-21
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 이토,아츠시 , 엔도,지로
IPC分类号： G01B17/02 , C23C14/54 , C23C14/24 , G01N5/02
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54 , G01B17/02 , G01N5/02
摘要： [과제] 수정진동자의적정한수명판정을실시할수 있는막후센서의진단방법및 막후모니터를제공한다. [해결수단] 본발명의한 형태와관련되는막후센서의진단방법은, 수정진동자(20)를가지는막후센서(14)의진단방법이며, 센서헤드에장착된수정진동자(20)를발진시켜, 수정진동자(20)의발진주파수의변화율의변동폭을측정해, 상기변동폭이소정치를넘을때는, 수정진동자(20)를사용할수 없다고판정한다.
摘要翻译：为了提供一种薄膜厚度传感器的诊断方法，所述诊断方法使得可以正确地确定晶体振荡器的使用寿命，并提供膜厚监视器。 [解决方案]根据本发明的一个实施例，膜厚度传感器的诊断方法是具有晶体振荡器（20）的膜厚度传感器（14）的诊断方法。在该方法中，安装在传感器头上的晶体振荡器（20）振荡，测量晶体振荡器（20）的振荡频率的变化率的变动范围，当波动范围超过预定值时，确定晶体振荡器（20）不能使用。

13. 发明公开

KR1020170007782A 다층막, 다층막의 제조 방법 및 제조 장치 审中-实审
标题翻译：多层膜生产方法及其生产设备
公开(公告)号：KR1020170007782A
公开(公告)日：2017-01-20
申请号：KR1020167034584
申请日：2015-06-11
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 코바야시히로키 , 헨미미츠노리 , 히로세미츠타카 , 마시마시노스케 , 기무라이사오 , 수코우코우
IPC分类号： H01B5/14 , C23C14/34 , C23C14/04 , C23C14/06 , H01L41/18 , H01L41/083 , H01L41/316 , H01L41/27 , B41J2/14
CPC分类号： H01L41/083 , B32B15/00 , B41J2/14 , C23C14/04 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C14/588 , H01L41/0471 , H01L41/0805 , H01L41/29 , H01L41/297 , H01L41/314 , H01L41/316
摘要： 본다층막은기판의일측주요면쪽에제 1 도전층, 유전체층및 제 2 도전층이순차적으로적층되어배치된다층막이며, 상기유전체층은유전체층의하면이제 1 도전층의표면에접하고, 유전체층의상면및 측면이제 2 도전층에의해피복되어있으며, 또한, 상기기판의일측주요면쪽에있어서, 제 1도전층과제 2 도전층이직접겹쳐지는부위의측면단부는기판의측면단부보다내측에위치한다.
摘要翻译：该多层膜具有第一导电层，电介质层和第二导电层，该第一导电层，介电层和第二导电层按顺序叠加在基板的一个主表面上，其中介电层布置成使得介电层的下表面接触第一导电层的上表面，并且电介质层的上表面和侧表面被第二导电层覆盖，并且在基板的一个主表面上，在第一导电层和直接叠加的第二导电层从基板的侧边缘位于内侧。

14. 发明公开

KR1020160147009A 막후 제어 장치, 막후 제어 방법 및 성막 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜厚度控制装置薄膜厚度控制方法和薄膜形成装置
公开(公告)号：KR1020160147009A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020167033200
申请日：2015-07-10
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 코바야시,요시카즈 , 이토,아츠시 , 엔도,지로
IPC分类号： C23C14/54 , G01B17/02
CPC分类号： C23C14/52 , G01B17/02 , C23C14/542 , C23C14/546 , G01B17/025
摘要： [과제] 이상치를원인으로하는증착원으로의과잉피드백제어를억제할수 있는막후제어장치, 막후제어방법및 성막장치를제공한다. [해결수단] 본발명의일 형태에따른막후제어장치는, 증착원을가지는성막장치에설치된진동자의발진주파수에근거해성막레이트를측정하고, 측정된상기성막레이트에근거해상기증착원을제어하는막후제어장치에있어서, 레이트산출부(431)와, 제1 필터부(432)와, 제2 필터부(433)를구비한다. 레이트산출부(431)는, 진동자의발진주파수에근거해, 단위시간마다의레이트환산치를산출한다. 제1 필터부(중앙치연산부(432))는, 레이트산출부(431)로부터출력되는레이트환산치로부터이상치를제거(중앙치를산출)하도록구성된다. 제2 필터부(평활화처리부(433))는, 상기제1 필터부로부터출력되는레이트환산치를평활화하도록구성된다.
摘要翻译： [问题]提供一种膜厚控制装置，膜厚控制方法和成膜装置，可以抑制由异常值引起的对蒸镀源的过度反馈控制。 [解决方案]根据本发明的实施方式的膜厚控制装置是根据设置在包括气相沉积源的成膜装置中的振荡器的振荡频率来测量成膜速度的膜厚控制装置，并且根据被测量的成膜速度来控制气相沉积源，所述膜厚控制装置包括速率计算单元（431），第一过滤器单元（432）和第二过滤器单元（433）。速率计算单元（431）基于振荡器的振荡频率计算每单位时间的速率转换值。第一滤波器单元（中值计算单元432）被配置为从速率计算单元（431）输出的速率转换值中除去异常值（以计算中值）。第二滤波器单元（平滑单元（433））被配置为平滑从第一滤波器单元输出的速率转换值。

15. 发明授权

KR101685869B1 소자 구조체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：元素结构及其生产方法
公开(公告)号：KR101685869B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020157032612
申请日：2014-05-21
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 오카,타다시 , 카토,유코 , 야지마,다카히로 , 마츠모토,요스케 , 카나이,쇼타 , 무라타,야스아키
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L51/004 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2251/301
摘要： 소자내부에의산소, 수분등의침입을억제할수 있는소자구조체및 그제조방법을제공하기위해, 본발명의일 실시형태에따른소자구조체(10)는, 기판(2)(기체), 디바이스층(3), 제1 무기재료층(41)(볼록부), 제1수지재(51)를구비한다. 기체(2)는, 제1면(2a), 제1면(2a)과는반대측의제2면(2c)을가진다. 디바이스층(3)은, 제1 및제2면(2a, 2c) 중적어도제1면(2a)에배치된다. 제1 무기재료층(41)은, 제1면(2a)에형성된다. 제1수지재(51)는, 제1 무기재료층(41)의주위에편재한다.
摘要翻译：提供能够防止氧，水等进入装置的装置结构及其制造方法。根据本发明实施例的器件结构10包括基底（基底）2，器件层3，第一无机材料层（凸部）41和第一树脂材料51.基底2具有第一表面 2a和与第一表面2a相对的第二表面2c。装置层3至少布置在第一和第二表面2a和2c之外的第一表面2a上。第一无机材料层41形成在第一表面2a上。第一树脂材料51不均匀地设置在第一无机材料层41周围。

16. 发明公开

KR1020160138590A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理装置
公开(公告)号：KR1020160138590A
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020167033046
申请日：2016-01-08
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 무라야마타카히드 , 모리카와야스히로 , 사쿠이시토시유키
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/321 , H01J17/04 , H01J37/32568 , H01J2237/0206 , H01L21/3065 , H05H1/38 , H05H1/46 , H05H2001/2468 , H05H2001/4652 , H05H2001/4667 , H05H2001/469
摘要： 본발명의플라즈마처리장치는, 내부의감압이가능하고, 상기내부에서피처리체에대해플라즈마처리되도록구성된챔버와, 상기챔버내에배치되어상기피처리체를재치하는평판형의제 1 전극과, 상기제 1 전극에대해제 1 주파수의바이어스전압이인가되도록구성된제 1 고주파전원과, 상기챔버외부에배치되어상기챔버의덮개를형성하는석영판을사이에두고상기제 1 전극과대향하도록배치된나선형의제 2 전극과, 상기덮개또는그 근방에배치된가스도입구에서상기챔버내에불소를함유하는프로세스가스를도입하는가스도입수단을구비하고, 상기제 2 전극에대해제 2 주파수의교류전압을인가하는제 2 고주파전원과, 상기제 2 주파수보다높은제 3 주파수의교류전압을인가하는제 3 고주파전원이전기적으로연결되어있어서, 2 종류의교류전압이동시에인가되도록구성되어있다.
摘要翻译：根据本发明的等离子体处理装置设置有：能够减小压力并且以使被处理体在其中进行等离子体处理的方式配置的室; 平板状的第一电极，其设置在所述室中，并且所述被处理体被安装在所述平板状的第一电极上; 第一高频电源，被配置为向所述第一电极施加具有第一频率的偏置电压; 螺旋形第二电极，设置在与所述第一电极相对的所述腔室的外侧，跨越形成所述腔室的上盖的石英板; 以及气体引入装置，用于从设置在上盖或其附近的气体引入口将含氟处理气体引入到室中。用于施加具有第二频率的交流电压的第二高频电源和用于施加具有高于第二频率的第三频率的交流电压的第三高频电源电连接到第二电极，以便同时施加两个交流电压。

17. 发明公开

KR1020160138226A 터치 패널, 터치 패널의 제조 방법 및 광학 박막 审中-实审
标题翻译：用于制造触摸屏和光薄膜的触控面板方法
公开(公告)号：KR1020160138226A
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020167029866
申请日：2015-04-28
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 하라다마나부 , 야나지쯔부히데노리 , 아이호리아츠히토 , 스즈키토시히로 , 마츠모토마사히로 , 타니노리아키 , 쿠보마사히
IPC分类号： G06F3/041 , B32B27/06 , B32B17/06 , F21V8/00
CPC分类号： G06F3/041 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107
摘要： 본발명의터치패널은터치패널기판, 상기터치패널에겹쳐져서형성되어있는커버기판및 상기커버기판측으로부터상기터치패널기판측을향해적층되어있는산란층을포함하며상기터치패널기판과상기커버기판사이에서표시영역이외의영역에설치되어있는접속부를가지고있다.
摘要翻译：本发明的触摸面板包括触摸面板基板，设置成与触摸面板重叠的盖板基板和包括从盖基板侧朝向触摸面板基板侧层叠的散射层的连接部，并且设置在触摸面板基板和覆盖基板在不同于显示区域的区域中。

18. 发明公开

KR1020160110392A 플라즈마 처리 장치 및 웨이퍼 반송용 트레이 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和输送运输托盘
公开(公告)号：KR1020160110392A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020167019735
申请日：2015-01-21
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 나카무라토시유키 , 모리구치나오키 , 카미무라류이치로 , 오사다야마토 , 아이하라쯔요시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/67069 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67313 , H01L21/67333 , H01L21/6831 , H01L21/68771 , H01L21/02315 , H01L21/6773 , H05H1/46
摘要： 본발명의플라즈마처리장치는, 제 1 면과상기제 1 면에반대의제 2 면을가지며, 상기제 1 면에서웨이퍼를유지하는웨이퍼반송용트레이, 상기웨이퍼반송용트레이를냉각하는냉각부, 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면을지지하는도전성의지지체및 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 1 면에상기웨이퍼를정전흡착하고상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면에상기지지체를정전흡착하는양면정전흡착부를구비한다.

19. 发明公开

KR1020160104666A 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：可变电阻元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160104666A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020167020660
申请日：2015-02-13
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 후쿠다,나츠키 , 후쿠주,카즈노리 , 미야구치,유스케 , 니시오카,유타카 , 수우,코우코우
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1253 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L45/14 , H01L45/148
摘要： [과제] 저비용인저항변화소자및 그제조방법을제공하는것. [해결수단] 본발명의일 실시형태와관련되는저항변화소자(1)는하부전극층(3), 상부전극층(5), 산화물반도체층(4)을구비한다. 상부전극층(5)은탄소재료로형성된다. 산화물반도체층(4)은제1금속산화물층(41), 제2금속산화물층(42)을가진다. 제1금속산화물층(41)은하부전극층(3), 상부전극층(5)의사이에형성되고, 제1저항률을가진다. 제2금속산화물층(42)은제1금속산화물층(41)과상부전극층(5)의사이에형성되고, 제1저항률과는다른제2저항률을가진다.
摘要翻译：提供一种低成本可变电阻元件及其制造方法。根据本发明的实施例，提供了包括下电极层3，上电极层5和氧化物半导体层4的可变电阻元件1.上电极层5由碳材料形成。氧化物半导体层4包括第一金属氧化物层41和第二金属氧化物层42.第一金属氧化物层41形成在下电极层3和上电极层5之间，并且包括第一电阻率。第二金属氧化物层42形成在第一金属氧化物层41和上电极层5之间，并且包括与第一电阻率不同的第二电阻率。

20. 发明公开

KR1020160104013A 카본 전극막의 형성 방법, 카본 전극 및 상변화형 메모리 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：形成碳电极膜，碳电极的方法和制造相变存储元件的方法
公开(公告)号：KR1020160104013A
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020167020010
申请日：2015-02-05
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 미야구치,유스케 , 수우,코우코우
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/35 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/3485 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/149 , H01L45/1608
摘要： [과제] 표면조도및 저항률을소정이하로저감할수 있는카본전극막의형성방법을제공한다. [해결수단] 본발명의일 실시형태와관련되는카본전극막의형성방법은, 챔버내를 0.3 Pa 이상 1.2 Pa 이하의아르곤가스분위기로유지하는것을포함한다. 상기챔버내에배치된카본제의타겟에, 주파수가 20 kHz 이상 20 MHz 이하이며, 파워가 0.1 kW 이상 2 kW 이하인전원을인가함으로써, 상기타겟이스퍼터되어상기타겟에대향해서배치된기판상에카본입자가퇴적된다.
摘要翻译：为了提供可以使表面粗糙度和电阻率降低到预定值以下的碳电极膜形成方法。根据本发明实施方案的碳电极膜形成方法包括在室内维持0.3Pa至1.2Pa的氩气气氛。通过在放置在室中的碳靶上施加具有20kHz至20MHz的频率和0.1kW至2kW的功率的电源，溅射靶。碳颗粒沉积在面向靶材的基片上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式