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1. 发明授权

KR102247439B1 플라즈마 처리 장치 및 웨이퍼 반송용 트레이 有权
公开(公告)号：KR102247439B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020167019735
申请日：2015-01-21
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 나카무라토시유키 , 모리구치나오키 , 카미무라류이치로 , 오사다야마토 , 아이하라쯔요시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677 , H05H1/46
摘要： 본발명의플라즈마처리장치는, 제 1 면과상기제 1 면에반대의제 2 면을가지며, 상기제 1 면에서웨이퍼를유지하는웨이퍼반송용트레이, 상기웨이퍼반송용트레이를냉각하는냉각부, 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면을지지하는도전성의지지체및 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 1 면에상기웨이퍼를정전흡착하고상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면에상기지지체를정전흡착하는양면정전흡착부를구비한다.

2. 发明公开

KR1020160110392A 플라즈마 처리 장치 및 웨이퍼 반송용 트레이 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和输送运输托盘
公开(公告)号：KR1020160110392A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020167019735
申请日：2015-01-21
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 나카무라토시유키 , 모리구치나오키 , 카미무라류이치로 , 오사다야마토 , 아이하라쯔요시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/67069 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67313 , H01L21/67333 , H01L21/6831 , H01L21/68771 , H01L21/02315 , H01L21/6773 , H05H1/46
摘要： 본발명의플라즈마처리장치는, 제 1 면과상기제 1 면에반대의제 2 면을가지며, 상기제 1 면에서웨이퍼를유지하는웨이퍼반송용트레이, 상기웨이퍼반송용트레이를냉각하는냉각부, 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면을지지하는도전성의지지체및 상기웨이퍼반송용트레이의상기제 1 면에상기웨이퍼를정전흡착하고상기웨이퍼반송용트레이의상기제 2 면에상기지지체를정전흡착하는양면정전흡착부를구비한다.

3. 发明公开

KR1020150114457A 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： DEEP ULTRAVIOLET LED及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150114457A
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020157005308
申请日：2014-10-24
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 시마타니사토시
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/36 , H01L2924/12041
摘要： 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, 반사전극층과금속층과 p형 GaN 컨택트층과파장λ에대해투명한 p형 AlGaN층을, 기판과는반대측부터이 순서로가지며, 적어도상기 p형 GaN 컨택트층과상기 p형 AlGaN층을관통하여이루어지는포토닉결정주기구조를가지며, 또한상기포토닉결정주기구조는포토닉밴드갭을가지는것을특징으로하는심자외 LED.

4. 发明授权

KR101648079B1 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： LED深紫外LED及其制造方法
公开(公告)号：KR101648079B1
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020157005308
申请日：2014-10-24
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 시마타니사토시
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
摘要： 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, 반사전극층과금속층과 p형 GaN 컨택트층과파장λ에대해투명한 p형 AlGaN층을, 기판과는반대측부터이 순서로가지며, 적어도상기 p형 GaN 컨택트층과상기 p형 AlGaN층을관통하여이루어지는포토닉결정주기구조를가지며, 또한상기포토닉결정주기구조는포토닉밴드갭을가지는것을특징으로하는심자외 LED.

5. 发明授权

KR101436077B1 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR101436077B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020147000982
申请日：2012-05-25
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 니시하라히로미 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 후지카와사치에 , 윤성원 , 다카기히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
摘要： 다른 굴절률을 가진 2개의 계(구조체)로 이루어진 주기 구조로서, 상기 2개의 계(구조체)의 계면이 브래그 산란의 조건을 충족하고 또한 포토닉 밴드갭을 가진 포토닉 결정 주기 구조를 광취출층에 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

7. 发明授权

KR101811819B1 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：外在LED及其制造方法
公开(公告)号：KR101811819B1
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020177013240
申请日：2016-11-01
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 히라야마히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 모리타도시로
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/16 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： 심자외 LED에서광취출효율을높인다. 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, 반사전극층과, 금속층과, p형 GaN 컨택트층과, 파장(λ)에대해투명한 p형 AlGaN층, 다중양자장벽층혹은전자블록층, 배리어층, 양자우물층을기판과는반대측으로부터이 순서로가지며, 상기 p형 AlGaN층의막두께가 100nm 이내이고, 적어도상기 p형 GaN 컨택트층과상기 p형 AlGaN층의계면을포함하고, 상기기판방향에서상기 p형 AlGaN층을넘지않는두께방향의범위내에설치된복수의공공을갖는반사형포토닉결정주기구조를가지며, 상기공공의기판방향의단면으로부터양자우물층까지의거리가상기배리어층과상기다중양자장벽층(혹은상기전자블록층)의막두께의합계값이상 80nm 이내및 그깊이(h)가상기 p형 AlGaN층과상기 p형 GaN 컨택트층의막두께의합계값이내에서광취출효율의극대값이얻어지고, 또한상기반사형포토닉결정주기구조는 TE 편광성분에대해열리는포토닉밴드갭을가지며, 상기설계파장(λ)의광에대해상기포토닉결정주기구조의주기(a)가브래그조건을만족하면서브래그조건식에있는차수(m)는 1≤m≤5를만족하고, 상기공공의반경을 R로하였을때 포토닉밴드갭이최대가되는 R/a를만족하는것을특징으로하는심자외 LED.
摘要翻译：提高心脏外部LED提取光的效率。作为将其它的LED的设计波长λ，反射电极层和金属层，p型GaN接触层，和一个透明的p型AlGaN层的波长（λ），多量子阻挡层，或电子阻挡层，阻挡层，量子具有在所述基板的所述相反侧eurobuteoyi顺序的阱层，小于p型AlGaN层为100nm的厚度，至少包含p型GaN接触层和p型AlGaN层之间的界面，在所述衬底的所述方向所述p 类型的具有具有在不大于AlGaN层更厚的范围内的多个公共集合的反射型光子晶体的周期性结构，并从公共距离的衬底的横截面的方向kkajiui量子阱层是阻挡层和多重量子势垒层（或电子阻挡层）比大于80nm uimak厚度以下，所述深度（h）中，虚拟机p型AlGaN层和p型GaN接触层的Aurora-输出效率膜的厚度的合计值的范围内的最大值的合计值获得，此外，基于相位的长丝光子晶体周期性结构是TE 光子晶体的周期性结构1≤m具有在布拉格条件的光子带隙，将打开的偏振光成分，该命令（M）相对于设计波长（λ）满足uigwang周期（一）GABRIELE滞后情况＆amp; le; 5和R / a满足当孔的半径为R时光子带隙变为最大的R / a。

8. 发明公开

KR1020140022106A 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140022106A
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：KR1020147000982
申请日：2012-05-25
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 니시하라히로미 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 후지카와사치에 , 윤성원 , 다카기히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
摘要： 다른 굴절률을 가진 2개의 계(구조체)로 이루어진 주기 구조로서, 상기 2개의 계(구조체)의 계면이 브래그 산란의 조건을 충족하고 또한 포토닉 밴드갭을 가진 포토닉 결정 주기 구조를 광취출층에 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
摘要翻译：（结构体），其中两个系统（结构）的界面满足布拉格散射条件并且在光提取层中形成具有光子带隙的光子晶体周期结构该半导体发光器件包括：

9. 发明授权

KR101848034B1 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101848034B1
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR1020177021838
申请日：2015-07-29
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 마에다노리토시 , 조마사후미 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 시마타니사토시
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
摘要： 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, Al 반사전극층과, 극박막금속층과, 투명 p형 AlGaN 콘택층을기판과는반대측으로부터이 순서로가지고, 상기투명 p형 AlGaN 콘택층의두께방향의범위내에포토닉결정주기구조를가지며, 또한상기포토닉결정주기구조는포토닉밴드갭을갖는것을특징으로하는심자외 LED.

10. 发明公开

KR1020170101995A 심자외 LED 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：外在LED及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170101995A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020177021838
申请日：2015-07-29
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 마에다노리토시 , 조마사후미 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 시마타니사토시
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083 , H01L33/16 , H01L33/005
摘要： 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, Al 반사전극층과, 극박막금속층과, 투명 p형 AlGaN 콘택층을기판과는반대측으로부터이 순서로가지고, 상기투명 p형 AlGaN 콘택층의두께방향의범위내에포토닉결정주기구조를가지며, 또한상기포토닉결정주기구조는포토닉밴드갭을갖는것을특징으로하는심자외 LED.
摘要翻译：作为将其它的LED的设计波长λ中，Al电极层和超薄金属层和透明在具有由相对侧eurobuteoyi顺序和基板，在AlGaN接触层的厚度的透明的p型范围的p型AlGaN接触层其中，光子晶体周期结构具有光子带隙，光子晶体周期性结构具有光子带隙。

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