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1. 发明授权

KR101893643B1 증가된 높이를 갖는 데이터 스토리지 층을 갖는 RRAM 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101893643B1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：KR1020160046962
申请日：2016-04-18
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 양젠-솅 , 리아오유-웬 , 추웬-팅 , 투쿠오-치 , 창치-양 , 양친-치에 , 시솅-훙 , 싱마니시쿠마르
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/146 , H01L45/1666 , H01L45/1691
摘要： 본개시물은반도체기판및 반도체기판위에배치되는상호접속구조체를포함하는집적회로에관한것이다. 상호접속구조체는하부금속층, 하부금속층 위에배치되는중간금속층 및중간금속층 위에배치되는상부금속층을포함한다. 하부금속층의상부표면및 중간금속층의하부표면은제1 거리만큼수직으로이격된다. 저항성랜덤액세스메모리(RRAM) 셀은하부금속층과상부금속층 사이에배치된다. RRAM 셀은가변저항을가지는데이터스토리지층에의해분리되는바닥부전극및 최상부전극을포함한다. 데이터스토리지층은제1 거리보다더 큰제2 거리에수직으로걸쳐있다.

2. 发明授权

KR101882850B1 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101882850B1
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020110146243
申请日：2011-12-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문지원 , 주문식 , 이성훈 , 김정남
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1641
摘要： 가변저항메모리장치및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른가변저항메모리장치는, 제1 전극; 제2 전극; 상기제1 전극과상기제2 전극사이에개재되는가변저항층; 및상기가변저항층내에위치하며, 상기가변저항층보다유전율이낮은나노입자를포함한다.

3. 发明授权

KR101869378B1 산화 그라핀과 산화철의 적층구조를 저항층으로 사용한 비휘발성 메모리 소자 有权
公开(公告)号：KR101869378B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020160074866
申请日：2016-06-16
申请人： 광주과학기술원
发明人： 장재형 , 아눕라니 , 오세이
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , H01L27/2436 , H01L29/685 , H01L29/7869 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/149 , H01L45/1608
摘要： 본발명에따른비휘발성메모리소자는반도체기판상에마련되는하부전극, 상기하부전극상에마련되는저항층및 상기저항층상에마련되는상부전극을포함하고, 상기저항층은산화그라핀(Graphene Oxide) 박막과산화철(Iron Oxide) 박막을포함하고, 상기산화그라핀박막상에상기산화철박막이적층된구조이며, 상기상부전극에인가되는전압에따라상기저항층의저항값이변화되는것을특징으로한다.

4. 发明公开

KR20180015402A 비휘발성 메모리 장치 审中-公开
标题翻译：非易失性存储设备
公开(公告)号：KR20180015402A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR20160098876
申请日：2016-08-03
IPC分类号： H01L45/00 , H01L43/10
CPC分类号： H01L27/2427 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148
摘要： 다층막을포함하는 OTS 선택소자를이용하여메모리장치의신뢰성을향상시킬수 있는비휘발성메모리장치를제공하는것이다. 상기비휘발성메모리장치는서로이격된제1 전극및 제2 전극, 상기제1 전극및 상기제2 전극사이에, 상기제1 전극보다상기제2 전극에인접하고, 제1 칼코게나이드층과제2 칼코게나이드층을포함하는선택소자로, 상기제1 칼코게나이드층은제1 칼코게나이드물질을포함하고, 상기제2 칼코게나이드층은제2 칼코게나이드물질을포함하는선택소자층, 및상기제1 전극및 상기선택소자층사이에, 상기제1 칼코게나이드물질및 상기제2 칼코게나이드물질과다른제3 칼코게나이드물질을포함하는메모리층을포함한다.
摘要翻译：提供了一种非易失性存储器件，其可以通过使用包括多层结构的双临界阈值开关（OTS）选择元件来提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括彼此间隔开的第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间的选择元件层，该选择元件层更靠近第二电极而不是第一电极，并且包括：第一硫族化物层，第二硫族化物层和设置在第一和第二硫属化物层之间的材料层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫属化物材料。第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。

5. 发明公开

KR1020170127497A 저항성 랜덤 액세스 메모리로서 사용하기 위한 다공성 유기실리케이트 유리 막을 증착시키는 방법 审中-实审
标题翻译：沉积用作电阻式随机存取存储器的多孔有机硅酸盐玻璃膜
公开(公告)号：KR1020170127497A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020177027879
申请日：2016-03-08
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 릿지웨이,로버트,고든 , 사보,마이클,티. , 브르티스,레이몬드,니콜라스 , 엔틀레이,윌리엄,로버트 , 레이,신지안 , 랑간,존,질레스
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1616 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1641
摘要： 본발명은저항성랜덤-액세스메모리소자를형성시키는방법으로서, 기판상에제1 전극을증착시키는단계; 제1 전극상에다공성저항성메모리물질층을형성시키는단계로서, 다공성저항성메모리층이, (i) 실리콘전구체및 포로겐전구체를포함하는가스상조성물을증착시키고증착직후에 (ii) 조성물을 UV 방사선에노출시킴으로써포로겐전구체를제거함으로써, 형성되는단계; 및다공성저항성메모리물질층의상부상에제2 전극을증착시키는단계를포함하는방법을제공한다.
摘要翻译：一种形成电阻式随机存取存储器件的方法，包括：在衬底上沉积第一电极; 气态组合物含有硅前体和致孔剂前体和沉积（ii）所述组合物于UV辐射沉积之后立即形成在第一电极上，所述多孔电阻式存储器层中，（i）多孔电阻式存储器材料层的第二步骤通过暴露除去致孔剂前体; 并且在耐多孔性存储材料层的上表面沉积第二电极。

6. 发明公开

KR1020170105090A 전자 디바이스, 메모리 셀, 및 전기 전류를 흐르게 하는 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备，存储器单元以及用于流动电流的方法
公开(公告)号：KR1020170105090A
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020177022956
申请日：2016-01-11
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 카르다,카말,엠. , 밀로예빅,마르코 , 웰스,데이비드,에이치. , 길리,에프.,다니엘
IPC分类号： G11C11/22 , G11C13/00 , G11C5/12 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/126 , G11C5/12 , G11C11/221 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 전자디바이스는두개의전도성전극들을포함한다. 제 1 전류경로가전극들중 하나로부터다른전극으로연장되고 0.5 eV 내지 3.0 eV의지배적인열적으로활성화된전도활성에너지를가진다. 제 2 전류경로가하나의전극다른전극으로연장되고제 1 전류경로에회로-병렬이다. 제 2 전류경로는 300℃와 800℃사이의 50℃이하의온도범위내에서온도증가에대해전기전도도에서최소 100-배증가를나타내고그리고 50℃온도범위내에서온도감소에대해전기전도도에서최소 100-배감소를나타낸다. 다른실시예들이개시된다.
摘要翻译：电子器件包括两个导电电极。第一电流路径在一个不同的电极延伸从电极中的一个具有0.5电子伏特的导通活化能为3.0eV活化将倍的热。第二电流路径从一个电极延伸到另一电极并且与第一电流路径电路平行。第二电流路径表示的温度范围内不超过50℃之间300℃和800℃的电导率的最小值增加100倍相对于温度增加和导电性的至少100相对于温度的降低的温度范围内50℃ - 表示折叠减少。公开了其他实施例。

7. 发明授权

KR101776995B1 누설에 강한 RRAM/MIM 구조물 有权
标题翻译：泄漏RRAM / MIM结构
公开(公告)号：KR101776995B1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：KR1020150058240
申请日：2015-04-24
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리우밍치 , 쳉위안타이 , 류쉬창 , 챠이챠슝
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 집적회로디바이스는유전체층, 상부도전층, 및하부도전층을구비한저항랜덤액세스메모리(RRAM) 셀또는 MIM 캐패시터를포함한다. 유전체층은유전체층의가장자리에인접한주변영역, 및주변영역에의해둘러싸인중심영역을포함한다. 상부도전층은유전체층위에인접해있다. 하부도전층은중심영역내의유전체층아래에인접해있지만, 셀의주변영역내의유전체층에는인접해있지않다. 인접은주변영역에서배타적으로있는하부도전층과유전체층사이의추가유전체층에의해, 또는주변영역의하부전극층단락을컷오프하는것에의해방지될수 있다. 유전체층의가장자리에서의손상또는오염이누설전류를발생시키지않는다.
摘要翻译：集成电路器件包括具有电介质层，顶部导电层和底部导电层的电阻随机存取存储器（RRAM）单元或MIM电容器。介电层包括与介电层的边缘相邻的周边区域和由周边区域包围的中心区域。上导电层与电介质层相邻。下导电层在中央区域中与电介质层相邻，但不与电池周边区域中的电介质层相邻。通过仅在周边区域中的下导电层和电介质层之间的附加电介质层，或者通过切掉在周边区域中短的下电极层，可以防止邻接。介质层边缘的损坏或污染不会导致泄漏电流。

8. 发明公开

KR1020170093805A 인접하는 하부 전극 사이에 확대된 공간을 갖는 기억 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：一种制造在相邻的下电极之间具有扩大的空间的存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020170093805A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020177014087
申请日：2015-11-05
申请人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
发明人： 오쿠노준
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/10 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1608
摘要： 본발명의실시의형태는, 폴리실리콘층위에탄소층을증착하는단계와, 상기탄소층상에포토레지스트를패터닝하는단계와, 상기포토레지스트상에제1의스페이서층을증착하는단계와, 측벽을형성하는상기제1의스페이서층을에치백한후에상기포토레지스트층상에변경된포토리소그라피공정을수행하는단계를구비하는, 인접하는하부전극사이에확대된공간을구비하는기억장치의제조방법을기술한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及一种形成光致抗蚀剂的方法，包括在多晶硅层上沉积碳层，在碳层上图案化光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂上沉积第一间隔层，并且在蚀刻将要形成在光致抗蚀剂层上的第一间隔层之后，在光刻胶层上执行修改的光刻工艺。现在将描述具有相邻的下电极之间的扩大空间的存储器件的制造方法。

9. 发明公开

KR1020170089726A 스위칭 소자, 이의 제조 방법, 스위칭 소자를 선택 소자로서 포함하는 저항 변화 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：开关元件，其制造方法以及包括作为选择元件的开关元件的电阻变化存储器件
公开(公告)号：KR1020170089726A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160010338
申请日：2016-01-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김범용 , 김수길 , 주원기
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1658
摘要： 상기스위칭소자는기판상의제1 전극및 제2 전극, 및상기제1 전극및 상기제2 전극사이에배치되고다공성산화물을포함하는전해질부를포함한다. 상기스위칭소자는상기제1 전극또는상기제2 전극으로부터제공되는금속이온의산화및 환원반응에근거하여문턱스위칭(threshold switching) 동작을수행한다.
摘要翻译：开关元件包括在基板上的第一电极和第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间并包括多孔氧化物的电解质部分。开关元件基于从第一电极或第二电极提供的金属离子的氧化和还原反应来执行阈值开关操作。

10. 发明公开

KR1020170046360A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170046360A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020150146588
申请日：2015-10-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김종기 , 김범용 , 이기정
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2409 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L27/224 , H01L27/249 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要： 전자장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 기판상에교대로적층된층간절연층및 도전성의제1 베이스층; 상기층간절연층의측벽및 상기제1 베이스층의측벽각각과접촉하도록, 상기기판상에교대로적층된절연성의제2 베이스층및 제1 전극; 상기제1 전극의측벽상의제2 전극; 및상기제1 전극과상기제2 전극사이에개재되는가변저항층을포함하고, 상기제1 전극은, 상기제1 베이스층에포함된원소및 상기제2 베이스층에포함된원소의합금을포함할수 있다.
摘要翻译：提供了一种电子设备。根据本发明实施例的电子器件是包括半导体存储器的电子器件，其中半导体存储器包括：层间绝缘层，交替层叠在衬底上;第一导电基底层; 绝缘的第二基层和第一电极，交替地堆叠在所述基板上，以与所述层间绝缘层的所述侧壁和所述第一基层的侧壁接触; 第一电极的侧壁上的第二电极; 以及介于所述第一电极和所述第二电极之间的可变电阻层，其中所述第一电极包括包含在所述第一基层中的元素和包含在所述第二基层中的元素的合金你可以。

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