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热词
    • 93. 发明公开
    • 기판상의 필름영역과 그 에지영역에서의 실질적인 균일성을제공하기 위한 필름영역의 레이저 결정 가공을 위한 방법과 시스템 및 그 필름영역을 가진 구조물
    • 用于激光结晶处理的基板上的膜区域的处理和系统,以在这些区域和边缘区域内提供重大的均匀性,以及这样的膜片区域的结构
    • KR1020050039856A
    • 2005-04-29
    • KR1020057002868
    • 2003-08-19
    • 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕
    • 임제임스에스.
    • H01L29/786C30B13/06C30B13/16
    • H01L21/02686B23K26/066B23K26/067G03F7/70041G03F7/70725H01L21/02678H01L21/2026H01L21/268H01L27/1285H01L27/1296H01L29/78675
    • A process and system for processing a thin film sample, as well as the thin film structure are provided. In particular, a beam generator (110) can be controlled (100) to emit successive irradiation beam pulses (164) at a predetermined repetition rate. Each irradiation beam pulse may be masked to define a first plurality of beamlets and a second plurality of beamlets. The first and second plurality of beamlets of each of the irradiation pulses being provided for impinging the film sample (170) and having an intensity which is sufficient to at least partially melt irradiated portions of the section of the film sample. A particular portion of the section of the film sample is irradiated with the first beamlets of a first pulse of the irradiated beam pulses to melt first areas of the particular portion, the first areas being at least partially melted, leaving first unirradiated regions between respective adjacent ones of the first areas, and being allowed to resolidify and crystallize. After the irradiation of the particular portion with the first beamlets, the particular portion is again irradiated with the second beamlets of a second pulse of the irradiated beam pulses to melt second areas of the particular portion, the second areas being at least partially melted, leaving second unirradiated regions between respective adjacent ones of the second areas, and being allowed to resolidify and crystallize. The first irradiated and re-solidified areas and the second irradiated and re-solidified areas are intermingled with one another within the section of the film sample. In addition, the first areas correspond to first pixels, and the second areas correspond to second pixels.
    • 提供了一种用于处理薄膜样品的方法和系统,以及薄膜结构。 特别地,光束发生器(110)可被控制(100)以预定的重复频率发射连续的照射光束脉冲(164)。 每个照射束脉冲可以被掩蔽以限定第一多个子束和第二多个子束。 每个照射脉冲的第一和第二多个子束被提供用于撞击膜样品(170),并具有足以至少部分地熔化膜样品部分的照射部分的强度。 用所述照射束脉冲的第一脉冲的第一子束照射所述膜样品的所述部分的特定部分,以熔化所述特定部分的第一区域,所述第一区域至少部分地熔化,从而在相邻的相邻区域之间留下第一未照射区域 第一个地区,被允许重新确定和结晶。 在用第一子束照射特定部分之后,特定部分再次用照射束脉冲的第二脉冲的第二子束照射以熔化特定部分的第二区域,第二区域至少部分地熔化,留下 在相邻的相邻的第二区域之间的第二未照射区域,并被允许再凝固和结晶。 第一次照射和再固化的区域以及第二次照射和再固化的区域在膜样品的部分内彼此混合。 此外,第一区域对应于第一像素,第二区域对应于第二像素。
    • 98. 发明公开
    • 장치 제조용 리소그래피 시스템 및 제조 방법
    • 光刻系统和器件制造的制造方法
    • KR1020040029982A
    • 2004-04-08
    • KR1020037014633
    • 2002-03-27
    • 울트라테크 인크.
    • 메이스버거댄마클데이비드에이
    • H01L21/027
    • G03F7/70725G03F7/70041G03F7/70225G03F7/70425G03F7/7055G03F7/70558
    • 새로운 "플래쉬-온-더-플라이" 작동 모드를 채용할 수 있는 비용-효과적인 장치 제조용 리소그래피 시스템 및 방법에 대한 것으로, 단일 조광 펄스로 노광 필드를 형성한다. 이 시스템은 펄스 조광 소스 (14), 조명 시스템 (24), 마스크 (M), 프로젝션 렌즈 (40), 및 이미지-수용 표면 (WS) 을 가진 작업편 (W) 을 지지하는 작업편 스테이지 (50) 를 포함한다. 조광 소스 제어기 (16) 와 메트롤로지 장치 (62) 를 포함하는 작업편 스테이지 위치 제어 시스템 (60) 은 인접 조광 펄스가 인접 노광 필드 (EF) 를 형성하도록 조광 펄스에 의한 마스크의 노광을 조절하고 제어하기 위해 사용된다. 조광 소스로부터의 펄스간 균일도가 결여된 경우에는, 노광 도즈의 소정의 펄스간 균일도를 얻기 위해 펄스 안정화 시스템 (18) 이 선택적으로 사용될 수 있다. 단일 노광 펄스를 이용하여 노광되는 고속성은 매우 높은 처리량을 얻을 수 있도록 하며, 한편으로, 소형-이미지-필드 프로젝션 렌즈가 반도체 집적 회로 등과 같은 장치의 제조시에 비용-효과적인 방법으로 사용될 수 있도록 한다. 이 시스템은 또한 종래의 "스텝-앤-리피트" 작동 모드에서도 사용될 수 있어서, 이 시스템의 소유자는 임의의 응용분야에 대하여 가장 비용-효과적인 작동 모드를 결정할 수 있다.