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1. 发明专利

JP2018517295A 格子整合クラッド層を有する高い閉じ込め係数のIII窒化物端面発光レーザーダイオードに関する方法およびデバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018517295A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017559826
申请日：2016-05-19
申请人：イェールユニバーシティー , Yale University
发明人：ハン,ジャン , リー,ユーフェン , ユエン,グー
IPC分类号： H01S5/343 , H01L21/205 , H01L21/465 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2009 , H01L21/306 , H01S5/0213 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/2081 , H01S5/305 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3214 , H01S5/3408 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：高い閉じ込め係数および格子整合多孔質クラッド層を有する端面発光レーザーダイオードが記載される。該レーザーダイオードは、III窒化物材料の層から形成され得る。クラッド層は、電気化学的にエッチングされて、デバイスの能動接合により高い屈折率コントラストを有する多孔質クラッド層を形成し得る。透明導電性酸化物層を堆積させて、高い屈折率コントラストおよび低い抵抗を有する上面クラッド層を形成し得る。

2. 发明专利

JP2018056212A 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018056212A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016187517
申请日：2016-09-26
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：中原宏治 , 北谷健
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/12 , H01S5/343 , G02B6/42 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , G02B6/42 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/24 , H01S5/3213 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S2301/166
摘要：【課題】しきい電流が小さく緩和振動周波数が高く、長期信頼性を有する光半導体素子を提供する。【解決手段】光半導体素子は、InP半導体基板と、InP半導体基板の上方に配置され、多重量子井戸層を含む、下部メサ構造と、下部メサ構造上に配置される、クラッド層を含む、上部メサ構造と、下部メサ構造の両側面を埋め込む、埋め込み半導体層と、上部メサ構造の両側面を接して覆う、絶縁膜と、を備え、下部メサ構造は、前記多重量子井戸層の上方に、第1半導体層を含み、上部メサ構造は、前記クラッド層の下方に、前記クラッド層とは組成が異なる第2半導体層を含む。【選択図】図2

4. 发明专利

JP5998701B2 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置有权
公开(公告)号：JP5998701B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2012162279
申请日：2012-07-23
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：武田一隆 , 近藤崇
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0654 , H01S5/18358 , H01S5/30 , H01S5/3432 , H04B10/503 , H01S2301/163 , H01S5/2009

5. 发明专利

JP2016157910A 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置有权
标题翻译：表面发射半导体激光器，表面发射半导体激光阵列，表面发射半导体激光器件，光传输器件和信息处理器件
公开(公告)号：JP2016157910A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015127174
申请日：2015-06-25
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：近藤崇 , 村上朱実 , 武田一隆 , 城岸直輝 , 早川純一朗 , 櫻井淳
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/343 , H01S5/183
CPC分类号： G02B26/10 , G02B19/0052 , H01S5/18358 , H01S5/2009 , H04B10/503 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/18313 , H01S5/343
摘要：【課題】発光効率が改善された長共振器構造の面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100上に、n型の下部DBR102、共振器延長領域104、第1のキャリアブロック層105Aおよび第2のキャリアブロック層105Bを含むキャリアブロック層105、活性領域106、電流狭窄層110、上部DBR108を含んで構成される。第1のキャリアブロック層105Aは、第2のキャリアブロック層105Bよりもバンドギャップが大きく、第2のキャリアブロック層105Bは、第1のキャリアブロック層105Aよりも膜厚が大きい。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有提高的发光效率的长谐振器结构的表面发射半导体激光器。解决方案：表面发射半导体激光器10包括在基板100上：n型下DBR 102; 谐振器延伸区域104; 包括第一载波块层105A和第二载波块层105B的载波块层105; 活性区域106; 电流限制层110; 和上DBR 108.第一载波块层105A的带隙大于第二载波块层105B的带隙。第二载体块层105B的膜厚大于第一载流子块层105A的膜厚。图2

6. 发明专利

JP2015099944A 半導体発光デバイス审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：JP2015099944A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2015036177
申请日：2015-02-26
申请人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド , Palo Alto Research Center Incorporated
发明人：デイビッドピー.ブア , クリストファーエル.チュア , ノーブルエム.ジョンソン , チホンヤン
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/34333 , H01L33/0045 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/1228 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/3216
摘要：【課題】上方接触層としても機能する非エピタキシャル・クラッド層を備えた、光学的損失の低い半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】本発明の半導体発光デバイス(20A)は、基板(22)と、基板上に形成された結晶性半導体クラッド層(26)と、結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造(30A)と、閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域(28)と、閉じ込めヘテロ構造上に形成され電気抵抗率が1Ω−cmよりも低い非エピタキシャル・クラッド層(32)とを備え、結晶性半導体クラッド層と閉じ込めヘテロ構造と非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、これらのクラッド層の平面において光を導く導波路を形成する。【選択図】図2A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体发光器件，其包括也起到上接触层的非外延包覆层，并且具有低的光损耗。解决方案：本发明的半导体发光器件（20A）包括：基板（22）; 形成在所述衬底上的结晶半导体覆层; 形成在所述结晶半导体包层上的容纳异质结构（30A）形成在所述容纳异质结构中的活性区域（28）和形成在容纳异质结构上并具有低于1Ω·cm·cm的电阻率的非外延覆层（32）。结晶半导体包覆层，容纳异质结构和非外延包覆层一起形成在这些包层的表面上引导光的波导。

7. 发明专利

JP2014232892A ミスフィット転位を有する部分的または完全に弛緩したＡｌＩｎＧａＮ層による半極性窒化物量子井戸の異方性ひずみ制御审中-公开
标题翻译：通过部分或完全放松的AlInGaN层与杂散分离的二极管量子阱中的各向异性应变控制
公开(公告)号：JP2014232892A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：JP2014180867
申请日：2014-09-05
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア , Regents Of The Univ Of California , ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人： OTA HIROAKI , WU FENG , ANURAG TYAGI , CHAKRABORTY ARPAN , JAMES S SPECK , DENBAARS STEVEN P , NAKAMURA SHUJI , ERIN C YOUNG
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/12
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
摘要：【課題】好適なIII族窒化物ベースの光学素子のためのエピタキシャル構造を提供すること。【解決手段】本願は、下側にある層上に異方性歪みを有する活性層を備え、前記下側にある層内の格子定数および歪みが、前記活性層内の異方性歪みが下側にある層によって調節されるように、ミスフィット転位の存在によって少なくとも1つの方向に部分的または完全に緩和される、III族窒化物ベースの光学素子のためのエピタキシャル構造を提供する。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于基于III-Nitride的光学器件的优选的外延结构。解决方案：提供了一种用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的有源层，其中由于存在失配位错，底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

8. 发明专利

JP5627361B2 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ有权
标题翻译：二维光子晶体表面发射激光器
公开(公告)号：JP5627361B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2010207727
申请日：2010-09-16
申请人：キヤノン株式会社
发明人：靖浩長友 , 靖浩長友 , 祥一川島 , 祥一川島
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/105 , B82Y20/00 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2009 , H01S5/34 , H01S5/34333 , H01S2301/185

9. 发明专利

JP2014527707A シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層审中-公开
标题翻译：用于在衬底上形成的硅或氮化镓的类似厚的外延层的方法，以及使用该方法获得的层
公开(公告)号：JP2014527707A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2014517706
申请日：2012-06-28
申请人：ソイテック , オーエムエムアイシー , サントルナショナルドゥラルシェルシュスィヤンティフィック(セーエヌエルエス)Centre National De La Recherche Scientifique(Cnrs) , サントルナショナルドゥラルシェルシュスィヤンティフィック(セーエヌエルエス)Centre National De La Recherche Scientifique(Cnrs)
发明人：シェンクデイビッド , シェンクデイビッド , ババールアレクシス , ババールアレクシス , コルディエイヴォン , コルディエイヴォン , フレシネエリック , フレシネエリック , ケナールマーク , ケナールマーク , ロンディダニエル , ロンディダニエル
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02636 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要：本発明は、GaNの単結晶層(3;3’、3”)を、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数未満の基板(1)上に、エピタキシーを用いて形成するための方法であって、下記のステップ:(b)エピタキシャル温度で緩和したGaNの層(3a)を3次元エピタキシャル成長させるステップと、(c1)BwAlxGayInzNの中間層(4a)を成長させるステップ、(c2)BwAlxGayInzNの層(3b)を成長させるステップ、(c3)BwAlxGayInzNの中間層(4b)を成長させるステップであって、形成された層(3b、4a、4b)の少なくとも1つがアルミニウムおよびガリウムを含む少なくとも3元III−N合金であるステップ(c1)から(c3)と、(d)前記GaNの層(3;3’、3”)を成長させるステップとを含む方法に関する。
摘要翻译：本发明是GaN的单晶层;在所述（3 3”，3“），在所述基板的热膨胀系数小于GaN的热膨胀系数（1），用于通过使用外延形成方法下列步骤：（b）该GaN的步骤是松弛外延温度层（3a）中是三维外延生长，生长BwAlxGayInzN（4a）中，（C2）BwAlxGayInzN层（3b的（C1）的中间层）生长，（C3）BwAlxGayInzN的中间层（生长4b）中，所形成的层（图3b，4a的步骤中，至少三元III-N的至少一个包括铝和镓4B）从步骤（c1）和（C3），（d）中的合金，所述的GaN层;方法包括生长（3 3”，3“）的步骤。

10. 发明专利

JP2014131019A Nitride semiconductor laser element 有权
标题翻译：氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：JP2014131019A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2013242961
申请日：2013-11-25
申请人： Nichia Chem Ind Ltd , 日亜化学工業株式会社
发明人： MASUI SHINGO
IPC分类号： H01S5/20 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor laser element with improved internal quantum efficiency.SOLUTION: A nitride semiconductor laser element has an active layer 12 between an n-type semiconductor layer 11 and a p-type semiconductor layer 13. The n-type semiconductor layer has an n-side optical guide layer. The active layer has two or more well layers and at least one barrier layer provided between the well layers. The barrier layer has a barrier layer having a band gap energy higher than a band gap energy of the n-side optical guide layer. The p-type semiconductor layer has an electron barrier layer having a band gap energy higher than any of those of all the barrier layers included in the active layer, and includes a p-side optical guide layer disposed between the electron barrier layer and a final well layer that is a well layer closest to the p-type semiconductor layer of the two or more well layers. The p-side optical guide layer has a first region disposed on the final well layer side and having a band gap energy lower than that of the n-side optical guide layer and a second region disposed on the electronic barrier layer side and having a band gap energy higher than that of the n-side optical guide layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改善的内部量子效率的氮化物半导体激光元件。解决方案：氮化物半导体激光元件在n型半导体层11和p型半导体层13之间具有有源层12。型半导体层具有n侧光导层。有源层具有两个或更多个阱层，以及设置在阱层之间的至少一个势垒层。阻挡层具有阻挡层，该阻挡层的带隙能量高于n侧光导层的带隙能量。 p型半导体层具有比有源层中包含的所有势垒层的能隙高的带隙能量的电子势垒层，并且包括设置在电子势垒层和最终导电层之间的p侧导光层阱层是最靠近两个或更多个阱层的p型半导体层的阱层。 p侧光导层具有设置在最终阱层侧的具有低于n侧光导层的带隙能量的第一区域和设置在电子势垒层侧上的带隙能量的第二区域，间隙能量高于n侧光导层的间隙能量。

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