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1. 发明专利

JP6379696B2 量子カスケード半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP6379696B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2014116710
申请日：2014-06-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：辻幸洋
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/026 , H01S5/0267 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/34313

2. 发明专利

JP2018098262A 量子カスケード半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018098262A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016238723
申请日：2016-12-08
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：橋本順一
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/227 , H01S5/16 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/02469 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/3401 , H01S5/34313 , H01S2301/176
摘要：【課題】端面コート膜として半導体膜を用いる量子カスケード半導体レーザを提供する。【解決手段】量子カスケード半導体レーザ11は、第1軸Ax1の方向に延在するコア層27aと、第1軸に交差する第2軸Ax2の方向に延在する端面19a、19bとを含み、基板17の主面上の設けられた半導体メサ19cと、半導体メサの端面上に設けられコア層に接触を成す第1半導体膜15aを含む反射層15と、を備え、第2軸は、基板の主面に交差する方向に延在し、コア層は、超格子構造を有し、超格子構造は、量子井戸層及びバリア層を含み、反射層の第1半導体膜は、量子井戸層のバンドギャップに等しい又はより小さいバンドギャップを有する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017216418A 量子カスケードレーザ集積素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017216418A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016111022
申请日：2016-06-02
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：吉永弘幸
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3401 , B82Y20/00 , G01N21/1702 , G01N21/39 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/4087 , H05B37/02 , G01N2021/1704
摘要：【課題】所望の厚さのコア層及び上部クラッド層を提供可能な構造を有する量子カスケードレーザ集積素子を提供する。【解決手段】量子カスケードレーザ集積素子11は、第1軸Ax1の方向に延在する第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17と、第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17上にそれぞれ設けられ第1軸Ax1の方向に延在する第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37を含み、第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17の各々における上面15a及び側面15b上に設けられた被覆領域19と、第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37上にそれぞれに設けられ第1電極41及び第2電極43を備える。第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37の一方は、他方から隔置される。被覆領域19は、電流ブロック半導体領域25及び第1導電型半導体領域27を含む。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6206498B2 光半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6206498B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2015529302
申请日：2013-08-02
申请人：富士通株式会社
发明人：植竹理人 , 松田学
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2205 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3013 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2213 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/34306 , H01S5/4031

5. 发明专利

JP2017022234A 量子カスケードレーザ审中-公开
标题翻译：量子级联激光器
公开(公告)号：JP2017022234A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137922
申请日：2015-07-09
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：橋本順一 , 塩▲崎▼ 学 , 吉永弘幸
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/026 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/0014 , H01S5/02461
摘要：【課題】高い反射率を分布反射領域に実現できる量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】量子カスケードレーザは、化合物半導体からなる半導体基板13と、導波路軸に延在する導波路構造を含むレーザ本体領域15と、分布反射領域17とを備え、レーザ本体領域15及び分布反射領域17は、導波路軸の方向に配列されている。分布反射領域17は、1又は複数の低屈折率部31bと、1又は複数の高屈折率部31aを備え、高屈折率部31aの屈折率は、低屈折率部31bの屈折率より高く、高屈折率部31aは半導体基板13の主面13aに交差する交差軸の方向に延在する半導体壁33を含み、半導体壁33は、頂部33b及び底部33aを含み、半導体壁33において、頂部33b、主面13a、及び底部33aは、この順に差軸の方向に配列されている。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种量子级联激光器，可以实现高反射率的分布反射区。量子级联激光器包括由化合物半导体，其包括延伸到波导轴的波导结构的激光主体区15的半导体衬底13，以及分布反射区17，激光主体区15和分配反射区域17被布置在波导轴的方向。分布反射区17，以及一个或多个低折射率部分31b，包括一个或多个高折射率部31a，高折射率部31a的折射率比低折射率部31b的折射率高，高折射率部31a包括半导体壁33的方向延伸相交的轴线相交的半导体基板13的主面13a中，半导体壁33包括顶部33b和底部部分33a，在半导体壁33，顶33B 中，主面13a，以及底部33A被布置在Sajiku的方向依次。点域1

6. 发明专利

JP2016111118A 半導体レーザ及び半導体レーザアレイ有权
标题翻译：半导体激光和半导体激光阵列
公开(公告)号：JP2016111118A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014245704
申请日：2014-12-04
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：金子俊光
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/22 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1215 , H01S5/1209 , H01S5/06258 , H01S5/124 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/4087
摘要：【課題】本発明は、単一波長でレーザ発振するとともに、出力光強度を向上できる半導体レーザ及び半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】半導体レーザ1Aは、半導体基板10の主面上に設けられ、利得を有し、複数の回折格子部41〜49と複数の回折格子部41〜49の間に設けられるスペース部からなる第1回折格子層を有する第1領域21と、第1領域21と光接合され、回折格子が連続して形成される第2回折格子層を有する第2領域22と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供半导体激光器和半导体激光器阵列，其中在单个波长处发生激光振荡，同时增强输出光强度。解决方案：半导体激光器1A包括设置在主表面上的第一区域21 具有增益的半导体衬底10，并且具有由多个光栅41-49组成的第一光栅层和设置在多个光栅41-49之间的空间以及经受光电连接到第一区21的第二区22 并且具有连续形成光栅的第二光栅层。选择图：图1

7. 发明专利

JP2016092155A 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器和半导体激光器制造方法
公开(公告)号：JP2016092155A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014223689
申请日：2014-10-31
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：奥田哲朗
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/2275 , H01S5/2222 , H01S5/2272 , H01S2304/04 , H01S3/08022 , H01S5/06226 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/34306
摘要：【課題】半導体レーザの特性を向上させる。【解決手段】n型クラッド層NCLDと、活性層MQWと、p型クラッド層PCLDと、を有するメサ型の半導体部Mの両側にブロック層BLを設ける。そして、このブロック層BLは、メサ型の半導体部Mの側面およびp型の半導体基板PS上に形成されたp型ブロック層PBLと、この上に形成された高抵抗層HR1と、この上に形成されたn型ブロック層NBLと、を有する。この高抵抗層HR1は、p型ブロック層PBLより抵抗が大きい。このように、ブロック層BLを構成するp型ブロック層PBLとn型ブロック層NBLとの間に高抵抗層HR1を設けることにより、p型ブロック層PBLの膜厚を抑え、漏れ電流(正孔の流れ)を低減することができる。また、n型クラッド層NCLDとn型ブロック層NBLとの距離を確保することができ、漏れ電流(電子の流れ)を防止することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体激光器的特性。解决方案：半导体激光器包括：具有n型覆盖层NCLD，有源层MQW和p型覆盖层PCLD的台面半导体部分M; 以及设置在台面半导体部分M的两侧的块层BL。块层BL具有形成在台面半导体部分M的侧面上的p型阻挡层PBL和p型半导体衬底PS; 形成在p型阻挡层PBL上的高电阻层HR1; 以及形成在高电阻层HR1上的n型阻挡层NBL。高电阻层HR1的阻抗大于p型阻挡层PBL的电阻。如上所述，通过在构成阻挡层BL的p型块层PBL和n型块层NBL之间设置高电阻层HR1，能够降低p型块层PBL的膜厚，可以减小漏电流（空穴流）。此外，可以确保n型覆盖层NCLD和n型阻挡层NBL之间的距离，并且可以防止漏电流（电子流）。图示：图1

8. 发明专利

JP5916414B2 光半導体装置有权
公开(公告)号：JP5916414B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2012026749
申请日：2012-02-09
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：中原宏治 , 若山雄貴 , 北谷健 , 篠田和典
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/3403 , B82Y20/00 , H01S5/2201 , H01S5/2275 , H01S5/3213 , H01S2301/176 , H01S5/0021 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2213 , H01S5/2222 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/3095 , H01S5/3201 , H01S5/34306

9. 发明专利

JP2015230974A 量子カスケード半導体レーザ审中-公开
标题翻译： QUANTUM CASCADE SEMICONDUCTOR激光
公开(公告)号：JP2015230974A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014116710
申请日：2014-06-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：辻幸洋
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/026 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/34313 , H01S5/0267 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/2224
摘要：【課題】改善された反射構造を有する分布ブラッグ反射器を含む量子カスケード半導体レーザが提供される。【解決手段】この量子カスケード半導体レーザ11によれば、半導体積層15の第1端面15aに光学的に結合される第1側面17aaを有する半導体壁17aにおいて、量子カスケードコア半導体層21の第1部分25aの側面及び第2部分25bの側面は、それぞれ、逆メサ形状及び順メサ形状を有するので、半導体壁17aは、厚い量子カスケードコア半導体層21の側面において窪んでいる。順メサ形状及び逆メサ形状を有する窪み構造により、半導体壁17a、19aの側面における反射に、発散的というよりも収束的な性質を付与でき、この窪み構造は、第1ブラッグ反射器17及び第2ブラッグ反射器19が半導体積層15により多くの光を戻すことに寄与する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包含具有改进的反射结构的分布布拉格反射体的量子级联半导体激光器。解决方案：根据量子级联半导体激光器11，在具有第一侧表面17aa的半导体壁17a中，光学耦合到半导体叠层15的第一端面15a，量子级联芯半导体层21的第一部分25a的侧表面和第二部分25b的侧表面分别具有逆台面形状和正向台面形状，并且因此半导体壁17a凹陷在厚量子级联芯半导体层21的侧表面上。具有正台面形状和反台面形状的凹陷结构可以从半导体壁17a，19a的侧表面提供反射，收敛性而不是发散性，并且该凹陷结构有助于第一布拉格反射器17的作用并且第二布拉格反射器19通过半导体层15返回大量的光。

10. 发明专利

JP2015050202A 光半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光学半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015050202A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013178599
申请日：2013-08-29
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社 , Sumitomo Electric Device Innovations Inc
发明人： TAKEUCHI TATSUYA
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0422 , H01S5/0206 , H01S5/2068 , H01S5/2201 , H01S5/2205 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34306
摘要：【課題】素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10、n型クラッド層12、活性層16およびp型クラッド層18を含むメサ構造と、メサ構造の側面から基板のメサ構造以外の平面部にかけて、平面部における厚さが5nm〜45nmのp型半導体層20と、p型半導体層20上に設けられ、メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層と、を具備し、平面部において、p型半導体層の厚みとp型半導体層のp型ドーパントの濃度との積は、2.5?1019nm/cm3以下であり、メサ構造の活性層より下の部分における側面の少なくとも一部の基板の主面に対する角度&thetas;1は、活性層の側面の主面に対する角度&thetas;2より小さく、メサ構造の角度が変わる部分は、活性層の下端から0.1μm以上0.5μm以下離れている光半導体装置、およびその製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制元件容量的同时抑制泄漏电流的光半导体器件及其制造方法。解决方案：光学半导体器件包括：台面结构，其包括衬底10，型覆盖层12，有源层16和p型覆盖层18; p型半导体层20，其从台面结构的侧面存在于除了台面结构之外的基板的平面部分，并且在平面部分中具有5nm至45nm的厚度; 以及设置在p型半导体层20上并嵌入台面结构的高电阻半导体层。在平面部分中，p型半导体层的厚度与p型半导体层中p型掺杂剂的浓度的乘积为2.5×10nm / cm以下。有源层下面相对于衬底的主表面的台面结构的侧面的至少一部分的角度和角度小于有源层的侧面相对于基材的主表面; 并且台面结构的角度变化的部分与有源层的下端隔开0.1μm以上且0.5μm以下。还公开了一种用于制造光学半导体器件的方法。

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