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1. 发明专利

JP5929259B2 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置有权
标题翻译：表面发射激光器元件，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：JP5929259B2
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：JP2012020444
申请日：2012-02-02
申请人：株式会社リコー
发明人：伊藤彰浩 , 原坂和宏 , 佐藤俊一 , 軸谷直人
IPC分类号： B41J2/44 , G02B26/10 , H01S5/183
CPC分类号： G03G15/04072 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S2301/185 , H01S5/0014 , H01S5/0421 , H01S5/0655 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423

2. 发明专利

JP2010245491A Semiconductor laser 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2010245491A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2009121286
申请日：2009-05-19
申请人： Qd Laser Inc , 株式会社Qdレーザ
发明人： AKIYAMA TOMOYUKI , SUGAWARA MITSURU , MAEDA YASUNARI , MOCHIDA REIO , TANAKA TAMOTSU , NISHI KENICHI
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/3213 , H01S5/3412 , H01S2301/18 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser. SOLUTION: The semiconductor laser includes a first conductivity-type lower clad layer 12 having a first AlGaAs layer 81 whose Al composition ratio is 0.4 or more; an active layer 14, which is disposed on the lower clad layer 12 and is provided with a plurality of the quantum dots: an upper clad layer 18, having a second AlGaAs layer which is disposed on the active layer 14 and provided with a second conductivity-type opposite to the first conductivity-type and whose Al composition ratio is 0.4 or more. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在量子点激光器中，提供增强光限制并允许光束形状近似为圆形的半导体激光器。解决方案：半导体激光器包括具有Al组分比为0.4或更大的第一AlGaAs层81的第一导电型下包层12; 有源层14设置在下包层12上并且设置有多个量子点：具有第二AlGaAs层的上覆层18，该第二AlGaAs层设置在有源层14上并具有第二导电性型，与第一导电型相反，Al组成比为0.4以上。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2010192650A Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission apparatus, and optical information processing apparatus 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光器，表面发射半导体激光器件，光学传输装置和光信息处理装置
公开(公告)号：JP2010192650A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：JP2009035078
申请日：2009-02-18
申请人： Fuji Xerox Co Ltd , 富士ゼロックス株式会社
发明人： OTOMA HIROKI , SAKURAI ATSUSHI , ISHII RYOJI
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/18311 , H01S5/18391 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2301/166 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface-emitting semiconductor laser for individually controlling both the polarization and spread angle of a laser beam, while achieving compatibility between the characteristics of both.
SOLUTION: The surface-emitting semiconductor laser includes an n-type GaAs semiconductor substrate, an n-type lower DBR, an active region, a p-type current constricting layer, a p-type upper DBR 108, a p-type electrode 112, and an n-side electrode on the backside of the substrate. The oxidation aperture 106b of the current constricting layer has an oval shape having a long axis and a short axis. An opening 112 formed in the p-side electrode has an oval shape having a long axis and a short axis in the same direction of the orientation of the oxidation aperture. The end surface shape 112a of the opening 112 in the long axis direction is worked to be tapered.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供用于单独控制激光束的偏振和扩展角的表面发射半导体激光器，同时实现两者的特性之间的兼容性。解决方案：表面发射半导体激光器包括n型GaAs半导体衬底，n型下DBR，有源区，p型电流限制层，p型上DBR 108，型电极112和在基板背面的n侧电极。电流收缩层的氧化孔106b具有长轴和短轴的椭圆形状。形成在p侧电极中的开口112具有与氧化孔的取向相同的方向具有长轴和短轴的椭圆形状。开口112的长轴方向的端面形状112a被加工成锥形。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JPWO2005124952A1 半導体発光装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2005124952A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：JP2006514749
申请日：2005-06-15
申请人：ソニー株式会社
发明人：内田　史朗 , 史朗内田 , 東條　剛 , 剛東條
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
摘要：レーザビームのアスペクト比を改善して円形に近づけることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供するため、基板10に、第1導電型の第1クラッド層11、活性層12、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状RDとなっている第2導電型の第2クラッド層17とが積層しており、このリッジ形状の部分の前記第2クラッド層が、活性層に近い側であってバンドギャップの高い第1リッジ形状層15と、活性層から遠い側であってバンドギャップの低い第2リッジ形状層16を含む構造となっている半導体発光装置とする。基板にエピタキシャル成長法により、第1クラッド層、活性層および第2導電型の第2クラッド層を積層して形成し、第2クラッド層の一部をリッジ形状に加工し、第2クラッド層を形成するには、リッジ形状となる部分に第1リッジ形状層と第2リッジ形状層を含むようにして製造する。

5. 发明专利

JP2005019679A Semiconductor laser device 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：JP2005019679A
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：JP2003182401
申请日：2003-06-26
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TAKASE TEI
IPC分类号： H01S5/30 , H01S3/04 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/34
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device which attains a low aspect ratio without lowering a kink level.
SOLUTION: The semiconductor laser device is configured such that an active layer is provided between a semiconductor layer of one conductive type and a semiconductor layer of the other conductive type having a ridge, and that a window region, i.e. a non-gain region is provided at each of opposite ends thereof. An equivalent index difference between a ridge and both ends thereof in the window regions is made larger than that between a ridge and both ends thereof in a gain region excepting the window regions.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在不降低扭结电平的情况下实现低纵横比的半导体激光器件。解决方案：半导体激光器件被配置为使得有源层设置在一个导电类型的半导体层和具有一个脊的另一个导电类型的半导体层之间，并且窗口区域即非增益区域设置在其每个相对端。在窗口区域中的脊与其两端之间的等效折射率差被制成大于除了窗口区域之外的增益区域的脊与其两端之间的折射率差。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

6. 发明专利

JP2018098490A 半導体レーザ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018098490A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017202814
申请日：2017-10-19
申请人：聯亜光電工業股▲ふん▼有限公司 , LandMark Optoelectronics Corporation
发明人：邱舒偉 , 馬英傑 , 林蔚
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/3211 , H01S5/1014 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/2031 , H01S5/222 , H01S2301/185
摘要：【課題】ファーフィールドの垂直ビーム発散角及び水平ビーム発散角を改善することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】基板と、第1型被覆層と、第1型導波層と、活性層と、第2型導波層と、第2型被覆層と、キャッピング層とを含む半導体レーザ装置。活性層は、発光部141及び光出射部142を含み、発光部141がレーザ光を発生し、レーザ光が発光部141から光出射部142への方向に沿って出射され、且つ光出射部142が第1不活性領域142A、光出射領域142B、及び第2不活性領域142Cを含み、光出射領域142Bの屈折率が第1不活性領域142Aの屈折率より低く、光出射領域142Bの屈折率が第2不活性領域142Cの屈折率より低く、光出射領域142Bの一部の幅が該方向に沿って連続的に増加する。【選択図】図2A

7. 发明专利

JP2013021205A Plane-emitting laser diode 审中-公开
标题翻译：平面发射激光二极管
公开(公告)号：JP2013021205A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2011154481
申请日：2011-07-13
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： MOTODA TAKASHI
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/1032 , H01S5/026 , H01S5/1071 , H01S5/1203 , H01S5/1221 , H01S5/18386 , H01S5/187 , H01S5/32341 , H01S5/4006 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plane-emitting laser diode capable of emitting high-output light whose parallel far-field pattern and vertical far-field pattern are the same.SOLUTION: An n-type clad layer 2, an activation layer 3, and a p-type clad layer 4 are sequentially stacked on an n-type semiconductor substrate 1. A secondary diffraction grating 6 is provided in the p-type clad layer 4. The secondary diffraction grating 6 is in a concentrically circular pattern. An activation region 7, which includes the n-type clad layer 2, the activation layer 3, the p-type clad layer 4, and a p-type contact layer 5 is also in a circular pattern.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够发射平行远场图案和垂直远场图案相同的高输出光的平面发射激光二极管。解决方案：n型覆盖层2，活化层3和p型覆盖层4依次层叠在n型半导体基板1上。次级衍射光栅6设置在p型二次衍射光栅6是同心圆形图案。包括n型覆盖层2，活化层3，p型覆盖层4和p型接触层5的激活区域7也是圆形图案。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2009267377A Nitride-based semiconductor laser element and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：基于氮化物的半导体激光器元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2009267377A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009067213
申请日：2009-03-19
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： MIYAKE YASUHITO , HIROYAMA RYOJI , HATA MASAYUKI , KUNO YASUMITSU
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/2077 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride-based semiconductor laser element having a stable horizontal transverse mode. SOLUTION: This nitride-based semiconductor laser element 30 includes a light-emitting element layer 15 formed on a main surface of an n-type GaN substrate 11 and having a light-emitting layer. The light-emitting element layer 15 includes a first side surface 15a formed by a (000-1) plane and a second side surface 15b inclined with respect to the first side surface 15a; and a ridge 35 and a dummy ridge 36, extending perpendicular to a [0001] direction in an in-plane direction of the main surface of the n-type GaN substrate 11, are formed by a region surrounded by the first side surface 15a and the second side surface 15b. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有稳定水平横向模式的氮化物基半导体激光元件。解决方案：该氮化物基半导体激光元件30包括形成在n型GaN衬底11的主表面上并具有发光层的发光元件层15。发光元件层15包括由（000-1）面形成的第一侧面15a和相对于第一侧面15a倾斜的第二侧面15b。并且由n型GaN衬底11的主表面的面内方向垂直于[0001]方向延伸的脊35和虚设脊36由第一侧面15a和第二侧面15b。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2006269759A Window structure semiconductor laser device and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：窗口结构半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2006269759A
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：JP2005085903
申请日：2005-03-24
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： WATANABE MASANORI
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a window structure semiconductor layer for which the radiation angle θv of vertical radiation light is reduced while suppressing the increase of a threshold current, the axial deviation ϕv of the vertical radiation light is reduced further, and the vertical radiation light is close to a Gaussian distribution shape in order to improve the utilization efficiency of radiation light.
SOLUTION: In an AlGaInP-based window structure semiconductor laser device, a window length is turned to be ≥48 μm and ≤80 μm, a waveguide light shape is converted at a window, and a vertical radiation angle is reduced. Thus, while suppressing the increase of an oscillation threshold current, θv is reduced to be ≥9° and ≤14° compared to a conventional case, and the axial deviation of the vertical radiation light is turned to be within -1° to 1°. Also, preferably, a quantum well layer thickness is turned to be ≤6.5 nm. Thus, since a vertical radiation angle conversion amount at the window can be increased, θv is lowered. Also, preferably, a second annealing process is performed after forming the window in order to suppress light loss increase at the window.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在抑制阈值电流增加的同时降低垂直辐射光的辐射角度θv的窗口结构半导体层，垂直辐射光的轴向偏差φv进一步降低，并且垂直辐射光接近高斯分布形状，以提高辐射光的利用效率。解决方案：在基于AlGaInP的窗口结构半导体激光器件中，窗口长度被变为≥48μm且≤80μm，在窗口处转换波导形状，并降低垂直辐射角。因此，与常规情况相比，在抑制振荡阈值电流的增加的同时，θv相对于≥9°，≤14°，垂直放射线的轴向偏差为-1°〜1° 。此外，优选地，量子阱层厚度变为≤6.5nm。因此，由于可以增加窗口处的垂直辐射角转换量，所以θv降低。此外，优选地，在形成窗口之后执行第二退火处理，以便抑制窗口处的光损失增加。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2005033077A Semiconductor laser apparatus 审中-公开
标题翻译：半导体激光设备
公开(公告)号：JP2005033077A
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：JP2003272287
申请日：2003-07-09
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： UEDA TETSUO , KUME MASAHIRO , KAWADA TOSHIYA , KIDOGUCHI ISAO
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/30 , H01S5/323 , H01S5/343 , H01S5/40
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser apparatus capable of expanding a horizontal spread angle of laser light independently of other characteristics.
SOLUTION: In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide. By providing the current blocking layer 19 on the side of the light exit end surface largely to the degree where carriers flowing in from a current injection region do not reach the light exit end surface, a light intensity distribution of a near field image at the light exit end surface is concentrated, and hereby the horizontal spread angle of emitted laser light is expanded. The structure can optimize the thickness of the cladding layer and the size of the current injection region, and independently therefrom can expand the horizontal spread angle.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供一种能够独立于其他特性而扩大激光的水平扩展角的半导体激光装置。解决方案：在半导体激光装置1中，电流阻挡层19覆盖在光学谐振器的长度方向上延伸的ap型第二包层17和ap型覆盖层18，表面，但是在相对侧的小面积上形成光波导中的电流非注入区域。通过在光出射端面的侧面设置电流阻挡层19，使得从电流注入区域流入的载流子未到达光出射端面的程度大，在光的近场图像的光强度分布出口端面集中，因此发射激光的水平扩展角度扩大。该结构可以优化包层的厚度和电流注入区域的尺寸，并且独立于此可以扩大水平扩展角。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

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