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1. 发明专利

KR20210026150A KR20210026150A - Light emitting diode(LED) display device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210026150A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190106553A
申请日：2019-08-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이승준 , 권규오 , 최정훈
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/58
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/0045 , H01L33/50 , H01L33/58
摘要： 본 출원은 마이크로-LED 표시장치에 관한 것으로, 특히 색섞임이 방지되어 고색재현율을 갖는 마이크로-LED 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 반사절연막의 오목부로부터 돌출되는 제 2 반도체층의 외측면을 실리콘패턴이 감싸도록 위치시키는 것이다. 이를 통해, 마이크로-LED 상부로 위치하는 색변환패턴의 각 서브픽셀 별 사이로 별도의 블랙매트릭스를 위치하지 않아도 각 서브픽셀의 경계에서 빛샘이 발생하거나 또는 이웃하여 위치하는 서브픽셀로 입사되어 발생되는 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 블랙매트릭스 형성을 위한 공정을 생략할 수 있어, 공정의 단순화 및 공정비용 절감의 효과를 가져올 수 있으며, 또한, 블랙매트릭스 삭제를 통해 블랙매트릭스에 의해 마이크로-LED로부터 발광된 광 중 일부가 흡수되는 것을 방지할 수 있어, 마이크로-LED의 광 추출 효율 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 실리콘패턴에 의해 마이크로-LED를 구동하는 과정에서 발생되는 고온의 열을 외부로 신속하게 방열되도록 할 수 있어, 마이크로-LED의 열화에 의한 효율이 저감되는 것 또한 방지할 수 있다.

2. 发明专利

KR20210025217A KR20210025217A - Micro led transfer head and manufacturing method of micro led display using the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210025217A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190104906A
申请日：2019-08-27
申请人： (주)포인트엔지니어링
发明人： 안범모 , 박승호 , 송태환
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/52 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67144 , H01L21/52 , H01L21/67712 , H01L21/67721 , H01L21/6838 , H01L27/156 , H01L33/0045 , H01L2224/0344
摘要： 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사헤드에 있어서, 마이크로 LED의 흡착이 가능한 흡착 영역과 마이크로 LED의 흡착이 불가능한 비흡착 영역을 포함하는 흡착 부재; 상기 흡착 부재를 지지하는 지지 부재; 및 상기 흡착 부재의 외측에 형성되고, 상기 흡착 부재의 흡착면보다 돌출되도록 형성되는 돌출 부재를 포함하고, 상기 흡착 부재는 기판에 배치된 모든 상기 마이크로 LED에 대응하는 크기로 형성되며, 상기 흡착 부재의 제1 영역에 형성된 상기 흡착 영역이 상기 마이크로 LED를 흡착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사헤드가 제공될 수 있다.

3. 发明专利

JP6421928B2 発光装置およびプロジェクター审中-公开
公开(公告)号：JP6421928B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2014260944
申请日：2014-12-24
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：西岡大毅
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/02
CPC分类号： G03B21/2033 , G03B21/005 , H01L33/0045 , H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38

4. 发明专利

JP2018152575A 蛍光体を用いた発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018152575A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018086215
申请日：2018-04-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：新田充 , 長尾宣明 , 稲田安寿
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/79 , C09K11/80 , H01S5/40 , H01L33/50 , G02B5/20 , H01S5/022
CPC分类号： H01L33/504 , H01L27/15 , H01L33/0045 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：【課題】高出力かつ色制御が容易な蛍光体を用いた発光装置を提供する。【解決手段】LD発光装置60は、LD素子58と、波長変換部材61とを備える。波長変換部材は、Ceを発光中心として含み、かつ波長600nm以上700nm以下の範囲に発光スペクトルのピーク波長を有する、第1の蛍光体層62(赤色蛍光体)と、波長500nm以上600nm以下の範囲に発光スペクトルのピーク波長を有する第2の蛍光体層63とを含む。LD素子から第2の蛍光体層に照射されるレーザー光の光パワー密度は、0.5W/mm 2 以上150W/mm 2 以下である。第1の蛍光体層は、波長480nm以上550nm以下の範囲内に励起スペクトルのピークを有し、第2の蛍光体層が発する光によって励起される。【選択図】図26

5. 发明专利

JP2017517886A 光電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017517886A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016568438
申请日：2015-04-06
申请人：ザ・シランナ・グループ・プロプライエタリー・リミテッドThe Silanna Group Pty Limited , ザ・シランナ・グループ・プロプライエタリー・リミテッドThe Silanna Group Pty Limited
发明人：アタナコビク，ペタル
IPC分类号： H01L33/04 , C30B29/38
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0045 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/105 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/382 , H01L33/46
摘要：半導体構造を備えた光電子デバイスは、p型活性領域及びn型活性領域を含む。半導体構造は、専ら一つ以上の超格子からなり、各超格子は、複数個の単位格子からなる。各単位格子は、少なくとも二つの異なる実質的な単結晶層を備える。

6. 发明专利

JP6123561B2 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置有权
公开(公告)号：JP6123561B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2013164884
申请日：2013-08-08
申请人：ソニー株式会社
发明人：藤井賢太郎 , 大野智輝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/30 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/0045 , H01L33/0095

7. 发明专利

JP2017045745A 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター审中-公开
标题翻译：发光器件，制造发光器件的方法和投影仪
公开(公告)号：JP2017045745A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015164508
申请日：2015-08-24
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：今井保貴
IPC分类号： H01S5/22 , H01L33/06 , H01L33/14 , G03B21/00 , G03B21/14 , H01S5/16
CPC分类号： H04N9/3161 , H01L33/0045 , H01S5/162 , H04N9/3105 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/2213 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要：【課題】リーク電流を低減することができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置100は、電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層106と、活性層106を挟む第1クラッド層104および第2クラッド層108と、第1クラッド層104に電気的に接続された第1電極120と、第2クラッド層108に電気的に接続された第2電極122と、を含み、活性層106は、活性層106にて発生した光を導波させる光導波路を構成し、光導波路は、光導波路の端部に設けられ、かつ、活性層106よりもバンドギャップが大きい窓部4を有し、窓部4と第2電極122との間に設けられた第1層のキャリア濃度は、第2クラッド層108のキャリア濃度よりも低い。【選択図】図2
摘要翻译：提供一种能够减少漏电流的发光器件。发光器件100的光包括有源层106，可以是一个电流被注入以产生光，第一包层104和夹在中间的活性层106，第二包层108，第一包层104 波导和第一电极120电连接，第二电极122被电连接到所述第二包层108，其中，所述有源层106，在有源层106产生的光构成的光波导的光波导在光波导的端部设置，并具有具有较大的带隙比有源层106的窗部4中，窗部4和第二电极122之间其被设置在第一层的载流子浓度比所述第二金属包层108的载流子浓度低。 .The

8. 发明专利

JP2017038018A 発光素子、その制御方法、及びそれを用いた光干渉断層計审中-公开
标题翻译：发光元件，控制方法，以及使用其的光学相干断层
公开(公告)号：JP2017038018A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015159791
申请日：2015-08-13
申请人：キヤノン株式会社
发明人：須賀貴子
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/30 , H01L33/38 , G01N21/01 , G01N21/17 , A61B3/10 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0045 , G01B9/02091 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/38
摘要：【課題】光出力とスペクトル形状を短時間で簡便に精度良く制御することが可能となるスーパールミネッセントダイオードを提供する。【解決手段】下部電極110を備えた基板111上に、基板111側から下部クラッド層112、活性層113及び上部クラッド層114が順次積層された光導波路層と、活性層113にキャリアを注入するための上部電極116と、光導波路層が光出射面となる第一及び第二の端面101、105を有する発光素子100であって、第一の端面101からの出射光と第二の端面105からの出射光のビーム特性が異なり、第一の端面101からの出射光の光パワーの一部を受光して第一の光情報を生成する第一の受光部104と、第二の端面105からの出射光の光パワーの一部を受光して第二の光情報を生成する第二の受光部107と、第一及び第二の光情報に基づいて、上部電極116への電流注入量を制御する制御部120とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：为了提供一个超发光二极管可以容易地和精确地控制在短时间内的光输出和频谱形状。设置有基板111，在下部电极110从衬底注入111侧下覆层112，有源层113和上部包层114被顺序地堆叠的光波导层，该载体在有源层113 上部电极116对于具有第一和第二端部的发光元件100面对101和105，其中所述导光层是发光面，和从第一端表面101的第二端面出射的光105 通过接收从第一端面101，第二端面出射的光的光功率的一部分从所述第一光接收部分104，用于产生第一光信息发出的光的不同光束特性105 第二光接收部107，用于通过接收从发射的光的光功率的一部分，产生第二光信息，基于所述第一和第二光学信息，的电流的量注入到上部电极116 和控制单元120，用于控制。点域1

9. 发明专利

JP6040790B2 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター有权
标题翻译：的发光装置，超辐射发光二极管和投影仪
公开(公告)号：JP6040790B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2013018181
申请日：2013-02-01
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：西岡大毅
IPC分类号： H01L33/10 , F21S2/00 , G03B21/00 , G03B21/14 , H01L33/20
CPC分类号： G03B21/2033 , G03B21/2066 , H01L27/15 , H01L33/0045 , H04N9/3105 , H04N9/315 , H04N9/3164 , H01L27/153 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/58 , H01L33/60

10. 发明专利

JP2016129266A C方向において+/−15度より少ないミスカットを有するM面基板上の半極性III族窒化物光電子デバイス审中-公开
标题翻译： M-PLANE基板上的半极性III族氮化物光电器件，C型方向的偏差小于+/- 15度
公开(公告)号：JP2016129266A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2016074168
申请日：2016-04-01
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人：ポーシャンスー , キャスリーンエム. ケルチナー , ロバートエム. ファレル , ダニエルエー. ヘイガー , 太田裕朗 , アヌラグティアギ , ナカムラシュウジ , スティーブンピー. デンバーズ , ジェームズエス. スペック
IPC分类号： C30B29/38 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/0735 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S2304/04 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3404
摘要：【課題】C方向において+/−15度より少ないミスカットを有するM面基板上の半極性III族窒化物光電子デバイスの提供。【解決手段】GaNのミスカット上に成長された光電子デバイスであって、ミスカットは、GaNのm面から、GaNのc方向に、x度でミスカットされた(GaNの)半極性GaN結晶面を含み、ここで、−15
【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在M平面衬底上提供半极性III族氮化物光电子器件，其在C方向上的散射小于+/- 15度。解决方案：光电子器件是生长在在GaN的c方向上，从GaN的m面偏离（GaN）半导体的半极性GaN晶体平面的杂散GaN，其中-15

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