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1. 发明专利

JP6379696B2 量子カスケード半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP6379696B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2014116710
申请日：2014-06-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：辻幸洋
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/026 , H01S5/0267 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/34313

2. 发明专利

JP2017216418A 量子カスケードレーザ集積素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017216418A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016111022
申请日：2016-06-02
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：吉永弘幸
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3401 , B82Y20/00 , G01N21/1702 , G01N21/39 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/4087 , H05B37/02 , G01N2021/1704
摘要：【課題】所望の厚さのコア層及び上部クラッド層を提供可能な構造を有する量子カスケードレーザ集積素子を提供する。【解決手段】量子カスケードレーザ集積素子11は、第1軸Ax1の方向に延在する第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17と、第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17上にそれぞれ設けられ第1軸Ax1の方向に延在する第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37を含み、第1下部半導体メサ15及び第2下部半導体メサ17の各々における上面15a及び側面15b上に設けられた被覆領域19と、第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37上にそれぞれに設けられ第1電極41及び第2電極43を備える。第1上部半導体メサ35及び第2上部半導体メサ37の一方は、他方から隔置される。被覆領域19は、電流ブロック半導体領域25及び第1導電型半導体領域27を含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6206498B2 光半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6206498B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2015529302
申请日：2013-08-02
申请人：富士通株式会社
发明人：植竹理人 , 松田学
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2205 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3013 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2213 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/34306 , H01S5/4031

4. 发明专利

JP6206247B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6206247B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2014035359
申请日：2014-02-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：津波大介 , 河原弘幸 , 柳楽崇
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/34313 , H01S5/0265 , H01S5/0421 , H01S5/1028 , H01S5/2086 , H01S5/2275 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/1007 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/3202 , H01S5/34306

5. 发明专利

JPWO2015198377A1 半導体レーザ光源及び半導体レーザ光源の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015198377A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016528770
申请日：2014-06-23
申请人：富士通株式会社
发明人：木村　徳治 , 徳治木村 , 山本　剛之 , 剛之山本 , 高林　和雅 , 和雅高林 , 理人植竹 , 理人植竹
IPC分类号： H01S5/343 , H01L29/06 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/1064 , H01S5/2227 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3412 , H01S5/34313
摘要：第1の導電型の半導体材料により形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に、第1の導電型の半導体材料により形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された導波路層と、前記導波路層の上に形成された第2の導電型の半導体材料により形成された上部クラッド層と、を有し、前記導波路層は、光が導波するコア領域と、前記コア領域の両側において前記コア領域よりも薄く形成されたリブ領域とを有しており、前記コア領域には活性層として量子ドット層が形成されており、前記リブ領域には、前記量子ドット層が形成されていないものであって、前記コア領域の幅が一定のレーザ部と、前記レーザ部に接しているレーザ光のスポットサイズを変換するスポットサイズ変換部とを有しており、前記スポットサイズ変換部は、前記レーザ部に接している側から、スポットサイズ変換部の端部に向かって、前記コア領域の幅が徐々に狭くなっていることを特徴とする。

6. 发明专利

JPWO2014188552A1 光半導体集積素子及びその製造方法有权
标题翻译：它们的光学半导体集成器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014188552A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015517992
申请日：2013-05-23
申请人：富士通株式会社
发明人：和雅高林 , 剛之山本
IPC分类号： G02F1/025 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/026 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02F1/017 , G02F1/025 , G02F2001/212 , H01S5/0265 , H01S5/101 , H01S5/12 , H01S5/2213 , H01S5/2275 , H01S5/40
摘要：光半導体集積素子及びその製造方法に関し、素子製造困難性を解消するとともに、光の伝搬損失を低減する。少なくとも第1導電型下部クラッド層、導波路コア層及び上部クラッド層を積層した積層構造からなるストライプ状の導波路を備え、上部クラッド層を第2導電型上部クラッド層と導波路の主たる延在方向に対して垂直方向にずれて屈曲部を有するi型上部クラッド層とで形成する。
摘要翻译：它涉及一种光学集成半导体器件及其制造方法，以及消除装置制造困难，为了降低光的传播损失。至少一个第一导电型的下部包层，波导芯层和所述上部包层包括由堆叠的叠层结构的条形波导，主要沿上部包层的第二导电型的上部包层和波导具有弯曲部分的方向垂直的方向偏移的i型上覆层之间形成的。

7. 发明专利

JP2017022234A 量子カスケードレーザ审中-公开
标题翻译：量子级联激光器
公开(公告)号：JP2017022234A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137922
申请日：2015-07-09
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：橋本順一 , 塩▲崎▼ 学 , 吉永弘幸
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/026 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/0014 , H01S5/02461
摘要：【課題】高い反射率を分布反射領域に実現できる量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】量子カスケードレーザは、化合物半導体からなる半導体基板13と、導波路軸に延在する導波路構造を含むレーザ本体領域15と、分布反射領域17とを備え、レーザ本体領域15及び分布反射領域17は、導波路軸の方向に配列されている。分布反射領域17は、1又は複数の低屈折率部31bと、1又は複数の高屈折率部31aを備え、高屈折率部31aの屈折率は、低屈折率部31bの屈折率より高く、高屈折率部31aは半導体基板13の主面13aに交差する交差軸の方向に延在する半導体壁33を含み、半導体壁33は、頂部33b及び底部33aを含み、半導体壁33において、頂部33b、主面13a、及び底部33aは、この順に差軸の方向に配列されている。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种量子级联激光器，可以实现高反射率的分布反射区。量子级联激光器包括由化合物半导体，其包括延伸到波导轴的波导结构的激光主体区15的半导体衬底13，以及分布反射区17，激光主体区15和分配反射区域17被布置在波导轴的方向。分布反射区17，以及一个或多个低折射率部分31b，包括一个或多个高折射率部31a，高折射率部31a的折射率比低折射率部31b的折射率高，高折射率部31a包括半导体壁33的方向延伸相交的轴线相交的半导体基板13的主面13a中，半导体壁33包括顶部33b和底部部分33a，在半导体壁33，顶33B 中，主面13a，以及底部33A被布置在Sajiku的方向依次。点域1

8. 发明专利

JP2016171135A 光半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造光学半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016171135A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015048615
申请日：2015-03-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松本啓資
IPC分类号： H01S5/323 , G02F1/025 , G02B6/12 , G02B6/132 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/2081 , G02B6/136 , G02F1/17 , G02F1/2257 , H01L21/308 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02F2001/212 , H01S5/3219 , H01S5/34386
摘要：【課題】埋め込み型光素子のリッジ形成時にコア層の側面にハイメサリッジ型光素子のAl系材料が飛翔付着するのを防いで信頼性を改善する。【解決手段】変調器を形成する領域において内側にくり抜き部9を有する第2の絶縁膜8を形成し、この第2の絶縁膜8をマスクとして用いてエッチングすることで、くり抜き部9の下方において透明導波路層6及びp−InP上クラッド層7に凹部10を形成する。次に、Al系材料を有する変調器層11を形成し、凹部10内に形成された変調器層11を第3の絶縁膜13で覆った状態でエッチングして凹部10内以外に形成された変調器層11を除去する。凹部10内に形成された変調器層11を第4の絶縁膜14で覆った状態でエッチングして凹部10内に形成された変調器層11を露出させずに半導体レーザのリッジを形成する。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造光半导体装置的方法，该光半导体装置防止在高台阶型脊状光学元件的Al基材料的飞溅 - 粘附在芯层的形成时的芯层的侧表面嵌入式光学元件，从而提高可靠性。解决方案：在其中将形成调制器的区域中形成有其中具有切口部分9的第二绝缘膜8，并且通过使用第二绝缘膜8作为掩模进行蚀刻在透明波导层6中形成凹部10，在切口部9的下方形成p-InP上覆层7.接着，形成具有Al系材料的调制层11，在由第三绝缘膜13覆盖的同时蚀刻凹部10，以去除由凹部10内部形成的调制层11.形成在凹部10中的调制层11被第四绝缘膜14覆盖以形成半导体激光器的脊，而不会暴露形成在凹部10中的调制器层11.选择的图示：图7

9. 发明专利

JP2016092416A 半導体レーザの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光制造方法
公开(公告)号：JP2016092416A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2015212243
申请日：2015-10-28
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：石浦正巳
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/227 , H01S5/12
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/10 , H01S5/0265 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/2275 , H01S5/0261 , H01S5/50
摘要：【課題】歩留まりの向上可能な半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザの製造方法は、回折格子パターンを有する第1領域と、第1領域の共振器長方向に連結すると共に回折格子パターンが設けられない第2領域と、を備えた共振器パターンを形成する方法である。半導体レーザの製造方法は、第1領域の共振器長方向における長さがそれぞれ異なる複数の共振器パターンを、共振器長方向に交差する方向に複数隣接して設ける第1工程と、複数の共振器パターンのうち、選択された共振器パターンを残して、他を除去する第2工程と、を含む。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高产量的半导体激光器制造方法。解决方案：半导体激光器制造方法是形成谐振器图案的方法，该谐振器图案包括具有衍射光栅图案的第一区域和连接在谐振器中的第二区域第一区域的长度方向，并且不具有衍射光栅图案。所述半导体激光器制造方法包括：第一工序，在与所述谐振器长度方向交叉的方向上，沿着所述第一区域的谐振器长度方向设置彼此长度不同的多个谐振器图案，并且彼此相邻配置; 以及将选定的谐振器图案从多个谐振器图案中取出并移除另一个谐振器图案的第二过程。选择的图示：图4

10. 发明专利

JP2016092155A 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器和半导体激光器制造方法
公开(公告)号：JP2016092155A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014223689
申请日：2014-10-31
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：奥田哲朗
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/2275 , H01S5/2222 , H01S5/2272 , H01S2304/04 , H01S3/08022 , H01S5/06226 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/34306
摘要：【課題】半導体レーザの特性を向上させる。【解決手段】n型クラッド層NCLDと、活性層MQWと、p型クラッド層PCLDと、を有するメサ型の半導体部Mの両側にブロック層BLを設ける。そして、このブロック層BLは、メサ型の半導体部Mの側面およびp型の半導体基板PS上に形成されたp型ブロック層PBLと、この上に形成された高抵抗層HR1と、この上に形成されたn型ブロック層NBLと、を有する。この高抵抗層HR1は、p型ブロック層PBLより抵抗が大きい。このように、ブロック層BLを構成するp型ブロック層PBLとn型ブロック層NBLとの間に高抵抗層HR1を設けることにより、p型ブロック層PBLの膜厚を抑え、漏れ電流(正孔の流れ)を低減することができる。また、n型クラッド層NCLDとn型ブロック層NBLとの距離を確保することができ、漏れ電流(電子の流れ)を防止することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体激光器的特性。解决方案：半导体激光器包括：具有n型覆盖层NCLD，有源层MQW和p型覆盖层PCLD的台面半导体部分M; 以及设置在台面半导体部分M的两侧的块层BL。块层BL具有形成在台面半导体部分M的侧面上的p型阻挡层PBL和p型半导体衬底PS; 形成在p型阻挡层PBL上的高电阻层HR1; 以及形成在高电阻层HR1上的n型阻挡层NBL。高电阻层HR1的阻抗大于p型阻挡层PBL的电阻。如上所述，通过在构成阻挡层BL的p型块层PBL和n型块层NBL之间设置高电阻层HR1，能够降低p型块层PBL的膜厚，可以减小漏电流（空穴流）。此外，可以确保n型覆盖层NCLD和n型阻挡层NBL之间的距离，并且可以防止漏电流（电子流）。图示：图1

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