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1. 发明专利

JP2017208497A 量子カスケードレーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2017208497A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016101182
申请日：2016-05-20
申请人：シャープ株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：小谷晃央 , 荒川泰彦
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3421 , H01S5/2018 , H01S5/3402 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/173 , H01S2302/02 , H01S5/1096 , H01S5/18397 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/3408 , H01S5/3415 , H01S5/34306
摘要：【課題】電力効率の高い量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層され、量子井戸発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備え、単位積層体のそれぞれは、そのサブバンド準位構造において、発光上準位と、発光下準位と、緩和ミニバンドとを有し、緩和ミニバンドのエネルギー幅は、縦光学フォノンのエネルギーから、発光上準位と発光下準位の差を引いたエネルギーよりも小さく設定され、量子井戸発光層における発光上準位から発光下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成されるとともに、サブバンド間遷移を経た電子は、注入層に含まれる緩和ミニバンド内を緩和して、注入層から後段の単位積層体の量子井戸発光層へと注入されるように構成された、量子カスケードレーザ。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6390485B2 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6390485B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015063673
申请日：2015-03-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森田大介
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/22
CPC分类号： H01S3/10 , H01S5/0202 , H01S5/12 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S2301/173 , H01S2301/203

3. 发明专利

JP6371332B2 量子カスケードレーザ审中-公开
公开(公告)号：JP6371332B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2016101182
申请日：2016-05-20
申请人：シャープ株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：小谷晃央 , 荒川泰彦
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3421 , H01S5/1096 , H01S5/18397 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/3402 , H01S5/3408 , H01S5/3415 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/173 , H01S2302/02

4. 发明专利

JP2015503217A オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体レーザ审中-公开
标题翻译：制造方法及的光电子半导体器件的光电子半导体激光
公开(公告)号：JP2015503217A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014539267
申请日：2012-09-19
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：クリストフアイヒラー , クリストフアイヒラー , ソンケタウツ , ソンケタウツ
IPC分类号： H01S5/028 , C23C16/30 , H01L21/205 , H01S5/042 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/34333 , G02B1/11 , H01L33/58 , H01S5/0206 , H01S5/0264 , H01S5/0281 , H01S5/0286 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/16 , H01S2301/18
摘要：オプトエレクトロニクス半導体部品(1)を製造する方法であって、活性層を備えた半導体積層体(2)を成長基板(3)の上にエピタキシャル成長させるステップと、半導体積層体(2)と成長基板(3)において、フロントファセット(4)を形成するステップと、完成した半導体部品(1)において生成される放射(R)に対して、フロントファセット(4)の一部を遮光層(5)によって被覆するステップと、を含んでおり、遮光層(5)が指向性被覆法によって形成され、遮光層(5)が、被覆時、成長基板(3)によるシェーディングによって、もしくは、成長基板(3)に配置された、および/または成長基板(3)に並んで配置された少なくとも1つのダミーバー(6)によるシェーディングによって、またはその両方によって、構造化される、方法。
摘要翻译：光电半导体部件（1）WO制造方法在那里手，有源层WO与其他半导体层叠体（2）WO生长衬底（3）卢顶部的两个外延生长到步骤门，半导体层叠体（2）的资本生长衬底（在3）涂层，形成用于在完成的半导体器件（1）（R），由光屏蔽层的前端面（4）的部分产生的辐射前端面（4）（5）到步骤门，WO包括去笼，遮光层（5）的面向蛾性涂覆法Niyotte形成，遮光层（5）蛾，涂覆时间，生长衬底（3）る遮光Niyotte，Moshikuwa，生长衬底（3）2 根据引锭杆中的至少一个被布置在生长衬底（3）（6），或通过两者，在结构，如何布置和/或通过阴影。

5. 发明专利

JP5636773B2 半導体レーザ有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP5636773B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2010153770
申请日：2010-07-06
申请人：ソニー株式会社
发明人：俊之小幡 , 俊之小幡 , 秀和川西 , 秀和川西
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04

6. 发明专利

JP2013509696A Edge-emitting semiconductor laser 有权
公开(公告)号：JP2013509696A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：JP2012535694
申请日：2010-08-25
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：クリスティアンラウアー , アルバロゴメス−イグレシアス
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要：導波路領域４を有する半導体ボディ１０を備えた端面発光型半導体レーザにおいて、導波路領域４は、第１の導波路層２Ａと、第２の導波路層２Ｂと、第１の導波路層２Ａと第２の導波路層２Ｂとの間に配置されておりレーザ放射１７を生成する活性層３と、を備える。導波路領域４は、第１のクラッド層１Ａと、半導体ボディ１０の成長方向において導波路領域４の後に続く第２のクラッド層１Ｂ、との間に配置される。活性層３により放出されるレーザ放射の横モードを選択するための位相構造６が、半導体ボディ１０に配置される。位相構造６は、半導体ボディ１０の表面５から第２のクラッド層１Ｂの中に延在する凹部７を備える。第２のクラッド層１Ｂの半導体材料とは異なる半導体材料からなる第１の中間層１１が、第２のクラッド層１Ｂに埋め込まれる。凹部７の少なくとも一部分が半導体ボディ１０の表面５から第１の中間層１１の中まで延在する。

7. 发明专利

JP2012018963A Semiconductor laser 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2012018963A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010153770
申请日：2010-07-06
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： OBATA TOSHIYUKI , KAWANISHI HIDEKAZU
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser having an improved kink level of L-I characteristics and capable of stably obtaining high output in the horizontal transverse mode.SOLUTION: The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19. The impurity concentration of the layer (the n-type guide layer 13) closest to the active layer 15 in the n-type layers between the substrate 11 and the active layer 15 is higher than the impurity concentration (from 3×10cmor more to 1×10cmor less) of the n-type cladding layer 12 far from the active layer 15, that is, the n-type guide layer 13 is a high concentration region.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改善的L-I特性的扭结水平并且能够稳定地获得水平横向模式的高输出的半导体激光器。解决方案：半导体激光器在衬底11上包括n型包覆层12，n型引导层13，i型引导层14，有源层15，i型引导层16，电子势垒层17，p型超晶格覆盖层18和p型接触层19.最靠近n型的有源层15的层（n型引导层13）的杂质浓度衬底11和有源层15之间的层高于杂质浓度（从3×10 3 更远离远离有源层15的n型覆层12的1×10 21 cm > 3 或更小）也就是说，n型引导层13是高浓度区域。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP6255939B2 窒化物半導体レーザ素子有权
公开(公告)号：JP6255939B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2013242961
申请日：2013-11-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：枡井真吾
IPC分类号： H01S5/343 , H01L21/205 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3202 , H01S5/34333

9. 发明专利

JP2017524266A 改良されたレーザ構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017524266A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017510478
申请日：2015-08-21
申请人：ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・シェフィールド
发明人：テイラー，リチャード・ジェイムズ・エドワード , チャイルズ，デイヴィッド・ティー・ディー , ホッグ，リチャード
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/105 , H01S5/02453 , H01S5/026 , H01S5/042 , H01S5/0608 , H01S5/0612 , H01S5/0614 , H01S5/1021 , H01S5/1028 , H01S5/1032 , H01S5/18 , H01S5/18319 , H01S5/1833 , H01S5/187 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/34353 , H01S5/3436 , H01S5/34366 , H01S5/4012 , H01S5/4075 , H01S5/42 , H01S5/423
摘要：第1のフォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)と、第2のPCSELと、第1のPCSELと第2のPCSELとの間に、長さ方向の軸に沿って延在し、第1のPCSELと第2のPCSELをコヒーレントに結合できるように電気的に制御可能な結合領域とを備えてなるレーザ構造であって、各PCSELが、活性層と、フォトニック結晶と、フォトニック結晶内において長さ方向の軸と平行な配列面に分布する2次元の周期的配列であって、周囲のフォトニック結晶とは異なる屈折率を有する領域で構成された2次元の周期的配列とを備えるレーザ構造を提供する。

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