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1. 发明专利

JP2020057640A 発光装置およびプロジェクター审中-公开
公开(公告)号：JP2020057640A
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：JP2018185252
申请日：2018-09-28
申请人：セイコーエプソン株式会社 , 学校法人上智学院
发明人：野田貴史 , 岸野克巳
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/022 , H01L33/32 , H01L33/24 , H01L33/08 , G03B21/00 , G03B21/14 , F21S2/00 , F21Y115/10 , F21Y115/30 , H01S5/30
摘要：【課題】高い発光効率を有することができる発光装置を提供する。【解決手段】基体と、基体に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、を有し、柱状部は、第1半導体層32と、第1半導体層と導電型の異なる第2半導体層36と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられている発光層340と、を有し、第1半導体層は、ファセット面2と、c面4と、m面6と、を有し、発光層は、ファセット面に設けられているファセット面領域340aと、c面に設けられているc面領域340bと、を有し、発光層は、m面に設けられている領域を有しておらず、積層体の積層方向から見た平面視において、c面領域は、ファセット面領域よりも大きい、発光装置。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2020025020A 半導体レーザー素子とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020025020A
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：JP2018148755
申请日：2018-08-07
申请人：豊田合成株式会社 , 学校法人名城大学
发明人：大矢昌輝 , 上山智 , 竹内哲也 , 岩谷素顕 , 赤▲崎▼ 勇
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/30
摘要：【課題】光閉じ込め係数を向上させることにより高効率化を図った半導体レーザー素子とその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体レーザー素子100は、基板と、基板の上の六角柱形状の柱状半導体130と、柱状半導体130を覆う埋込半導体層140と、を有する。柱状半導体130は、六角筒形状を備える活性層を有する。活性層は、互いに対向する一対の長辺部132a、132bと、互いに対向する二対の短辺部132c、132d、132e、132fと、を有する。【選択図】図4

3. 发明专利

JP2020500416A 量子ドット構造の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020500416A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2019518435
申请日：2016-12-30
申请人：中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所 , SUZHOU INSTITUTE OF NANO−TECH AND NANO−BIONICS(SINANO),CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
发明人：張子暘 , 黄栄 , 黄源清
IPC分类号： H01L29/06 , B82Y40/00 , C30B29/42 , C30B29/40 , H01L29/20 , H01S5/30
摘要：【課題】本発明は量子ドット構造の製造方法を開示する。【解決手段】該方法は、基板に量子ドット膜層を製造することと、前記量子ドット膜層に第1保護膜を製造することと、前記第1保護膜にパターン化配列を製造することと、前記第1保護膜及び前記パターン化配列に第2保護膜を製造し、中間体を得ることと、前記中間体をアニーリング処理し、前記基板において量子ドット構造を得ることと、を含む。本発明にかかる量子ドット構造の製造方法により、パターン化配列をテンプレートとし、テンプレート選択領域アニーリングプロセスを用いて秩序量子ドット構造を製造し、後続の熱処理プロセスを利用し、一方では基板の表面に対する損傷を回避し、量子ドット構造の性能を向上させ、他方では量子ドットの密度及び位置を効果的に制御することができ、得られる量子ドット構造を量子ドットデバイスに適用させる時、性能により優れる。

4. 发明专利

JP2017092403A 発光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017092403A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015224441
申请日：2015-11-17
申请人：株式会社ソディック , Sodick Co Ltd
发明人： TSUBORI YUJI
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/30
摘要：【課題】電極が形成された発光素子とベースとの接合を保持することができる発光デバイスを提供すること。【解決手段】間接遷移型半導体からなるp層およびn層を有する発光素子と、発光素子の厚み方向一方の面に接合される第1電極と他方の面に接合される第2電極と、第1電極の発光素子と反対側の面に配置される緩衝部材と、第2電極の発光素子と反対側の面に配置されるベースと、第1電極と緩衝材との間に設けられ、それらを接合する第1接合部材と、第2電極とベースとの間に設けられ、それらを接合する第2接合部材と、を備え、第1接合部材は、融点が電圧印加後の発光素子の発熱温度よりも高く、緩衝部材は、発光素子よりも剛性が高く、第2接合部材は、融点が電圧印加後の発光素子の発熱温度よりも低く、第2電極を介して伝達される発光素子の熱によって加熱されることにより、固体から粘性を有する流体へと変化する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015526833A シリコン光源およびそれを応用したデバイス有权
标题翻译：硅源和设备应用它
公开(公告)号：JP2015526833A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015509508
申请日：2012-04-30
申请人：トゥビタク
发明人：カレム，セレフ
IPC分类号： H05B33/14 , H01L21/331 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/737 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/34 , H01S5/183 , H01S5/30
CPC分类号： H01L33/40 , H01L29/7831 , H01L33/002 , H01L33/0041 , H01L33/0054 , H01L33/346 , H01L2933/0016 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/304 , H01S5/3227
摘要：【課題】室温において、200nm未満の半値全幅(FWHM)および50%を超えるフォトルミネッセンス量子効率を有し、1320nmで単一波長を放射する、新規なシリコン(Si)半導体光源を提供する。【解決手段】ベースとなる半導体(4)は、重水、すなわち酸化ジュウテリウム(D2O)を含む酸蒸気により処理されたなの多孔質シリコン表面層(3)を含む。【選択図】図5(a)
摘要翻译：甲在室温下，具有半最大值（FWHM）和小于200nm的50％的比全宽度大的光致发光量子效率，它发射一个波长在1320纳米，提供一种新颖的硅（Si）半导体光源。甲底层半导体（4）包括重水，即做含酸性蒸气氧化氘处理（D 2 O）的多孔硅表面层（3）。背景技术图5（a）中

6. 发明专利

JP5715056B2 コロイド物質の製造方法、コロイド物質およびその使用有权
标题翻译：用于生产胶状物质，胶体物质和其使用
公开(公告)号：JP5715056B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2011526611
申请日：2009-09-10
申请人：ネクスドット
发明人：デュベルトレ,ブノワ , イテュリア,サンドリーヌ
IPC分类号： C01G11/02 , C09K11/88 , B01J13/00 , H05B33/14 , H01L31/06 , H01S5/30 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/66 , C01B19/04
CPC分类号： B01J13/0026 , B01J13/00

7. 发明专利

JP5150099B2 有权
公开(公告)号：JP5150099B2
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：JP2006515690
申请日：2004-06-25
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/02 , H01S5/30

8. 发明专利

JP5075319B2 Semiconductor laser element 有权
公开(公告)号：JP5075319B2
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：JP2004146718
申请日：2004-05-17
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：光基崔 , 準燮郭
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/00 , H01S5/227 , H01S5/30 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/32341

9. 发明专利

JP4978595B2 Nitride semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP4978595B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2008229414
申请日：2008-09-08
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：雅彦佐野 , 正司山本 , 満宏野中 , 和美鎌田
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L29/16 , H01L29/26 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/30 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2933/0016 , H01S2304/12 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： A method comprises a step for growing nitride semiconductor layers on a different material substrate; subsequently, a step for attaching a supporting substrate to the nitride semiconductor layers; and subsequently, a step for eliminating the different material substrate. A conductive layer is formed by a eutectic junction in the step for attaching. The step for eliminating the different material substrate is performed by laser irradiation, polishing, or chemical polishing. The method further comprises a step for breaking the nitride semiconductor layers into chips by etching an exposed surface of the nitride semiconductor layers after the step for eliminating the different material substrate. The method further comprises a step for forming an asperity portion on the exposed surface of the nitride semiconductor layers after the step for eliminating the different material substrate.

10. 发明专利

JP4843185B2 Semiconductor laser diode and a method of manufacturing the same current limit layer is formed 有权
公开(公告)号：JP4843185B2
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：JP2003174379
申请日：2003-06-19
申请人：サムソンエルイーディーカンパニーリミテッド.
发明人：寅準成 , 鏡虎河 , 準燮郭
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/30 , H01S5/00 , H01S5/20 , H01S5/223 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2063 , H01S5/32341

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