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1. 发明专利

JP5929259B2 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置有权
标题翻译：表面发射激光器元件，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：JP5929259B2
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：JP2012020444
申请日：2012-02-02
申请人：株式会社リコー
发明人：伊藤彰浩 , 原坂和宏 , 佐藤俊一 , 軸谷直人
IPC分类号： B41J2/44 , G02B26/10 , H01S5/183
CPC分类号： G03G15/04072 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S2301/185 , H01S5/0014 , H01S5/0421 , H01S5/0655 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423

2. 发明专利

JP5735216B2 窒化物半導体レーザ素子有权
标题翻译：氮化物半导体激光元件
公开(公告)号：JP5735216B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2010023003
申请日：2010-02-04
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：三好隆 , 岡田武史
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/34333 , H01S5/0655

3. 发明专利

JP5434201B2 Semiconductor laser 有权
公开(公告)号：JP5434201B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2009089306
申请日：2009-04-01
申请人：ソニー株式会社
发明人：修前田 , 健博谷口 , 孝博荒木田
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18391 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/34326 , H01S2301/166

4. 发明专利

JP2013509696A Edge-emitting semiconductor laser 有权
公开(公告)号：JP2013509696A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：JP2012535694
申请日：2010-08-25
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：クリスティアンラウアー , アルバロゴメス−イグレシアス
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要：導波路領域４を有する半導体ボディ１０を備えた端面発光型半導体レーザにおいて、導波路領域４は、第１の導波路層２Ａと、第２の導波路層２Ｂと、第１の導波路層２Ａと第２の導波路層２Ｂとの間に配置されておりレーザ放射１７を生成する活性層３と、を備える。導波路領域４は、第１のクラッド層１Ａと、半導体ボディ１０の成長方向において導波路領域４の後に続く第２のクラッド層１Ｂ、との間に配置される。活性層３により放出されるレーザ放射の横モードを選択するための位相構造６が、半導体ボディ１０に配置される。位相構造６は、半導体ボディ１０の表面５から第２のクラッド層１Ｂの中に延在する凹部７を備える。第２のクラッド層１Ｂの半導体材料とは異なる半導体材料からなる第１の中間層１１が、第２のクラッド層１Ｂに埋め込まれる。凹部７の少なくとも一部分が半導体ボディ１０の表面５から第１の中間層１１の中まで延在する。

5. 发明专利

JP4680065B2 Surface-emitting laser and the laser projection device 有权
公开(公告)号：JP4680065B2
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：JP2005516491
申请日：2004-12-21
申请人：パナソニック株式会社
发明人：顕洋森川 , 公典水内 , 研一笠澄
IPC分类号： H01S5/183 , G02F1/37 , H01S5/042 , H01S5/06 , H01S5/14 , H01S5/20 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/18386 , H01S3/109 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/14 , H01S5/18391 , H01S5/2086 , H01S5/4062 , H01S5/423 , H01S2301/166

6. 发明专利

JP2010245491A Semiconductor laser 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2010245491A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2009121286
申请日：2009-05-19
申请人： Qd Laser Inc , 株式会社Qdレーザ
发明人： AKIYAMA TOMOYUKI , SUGAWARA MITSURU , MAEDA YASUNARI , MOCHIDA REIO , TANAKA TAMOTSU , NISHI KENICHI
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/3213 , H01S5/3412 , H01S2301/18 , H01S2301/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser. SOLUTION: The semiconductor laser includes a first conductivity-type lower clad layer 12 having a first AlGaAs layer 81 whose Al composition ratio is 0.4 or more; an active layer 14, which is disposed on the lower clad layer 12 and is provided with a plurality of the quantum dots: an upper clad layer 18, having a second AlGaAs layer which is disposed on the active layer 14 and provided with a second conductivity-type opposite to the first conductivity-type and whose Al composition ratio is 0.4 or more. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在量子点激光器中，提供增强光限制并允许光束形状近似为圆形的半导体激光器。解决方案：半导体激光器包括具有Al组分比为0.4或更大的第一AlGaAs层81的第一导电型下包层12; 有源层14设置在下包层12上并且设置有多个量子点：具有第二AlGaAs层的上覆层18，该第二AlGaAs层设置在有源层14上并具有第二导电性型，与第一导电型相反，Al组成比为0.4以上。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4317357B2 Semiconductor laser device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4317357B2
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：JP2002333509
申请日：2002-11-18
申请人：シャープ株式会社
发明人：禎亮上田 , 一彦和田 , 啓介宮嵜 , 泰司森本 , 正毅辰巳
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/223 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00

8. 发明专利

JP4316172B2 Semiconductor laser element 有权
公开(公告)号：JP4316172B2
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：JP2001302225
申请日：2001-09-28
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：敏明福永
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/20 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/209

9. 发明专利

JP2009033009A Semiconductor laser device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2009033009A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：JP2007197119
申请日：2007-07-30
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： TAKAYAMA TORU , SATO TOMOYA , KIDOGUCHI ISAO
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To attain a semiconductor laser device with less decrease in external differential quantum efficiency, the laser device that is less likely to cause saturation of luminous efficiency, in a state of high power operation and that stably performs fundamental transverse-mode oscillation.
SOLUTION: The semiconductor laser device includes a resonator structure that include a first clad layer formed on the substrate, an active layer, and a second cladding layer, wherein the second cladding layer has a stripe section 20 extending between the front-end surface that extracts the laser beam and a rear-end surface, arranged on a side opposite to the front-end surface. The stripe section 20 has a first region 20a arranged on the side of the front-end surface; a second region 20b arranged on the side of the rear-end surface; and a varying region 20c arranged between the first region 20a and the second region 20b, such that the varying region 20c varies in its width. The effective refractive index difference between the inside and the outside of the stripe section in the varying region 20c is smaller than that between the inside and the outside of the stripe section in the first region 20a.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题为了获得外部差分量子效率降低较少的半导体激光器件，在高功率操作状态下不太可能引起发光效率饱和的激光器件，并且稳定地执行基本横向模式振荡。解决方案：半导体激光器件包括谐振器结构，其包括形成在衬底上的第一覆盖层，有源层和第二覆层，其中第二覆层具有在前端提取激光束的表面和布置在与前端表面相对的一侧的后端表面。条状部分20具有布置在前端表面侧的第一区域20a; 布置在后端表面侧的第二区域20b; 以及布置在第一区域20a和第二区域20b之间的变化区域20c，使得变化区域20c的宽度变化。变化区域20c中的条状部分的内侧和外部之间的有效折射率差小于第一区域20a中的条状部分的内部和外侧之间的有效折射率差。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2008153260A Optical semiconductor element and its fabrication process 有权
标题翻译：光学半导体元件及其制造工艺
公开(公告)号：JP2008153260A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2006336800
申请日：2006-12-14
申请人： Fujitsu Ltd , Univ Of Tokyo , 国立大学法人東京大学 , 富士通株式会社
发明人： HATORI NOBUAKI , YAMAMOTO TAKAYUKI , ARAKAWA YASUHIKO
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02284 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1203 , H01S5/1237 , H01S5/3412 , H01S2301/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor element in which an end face can be formed at a target position with good reproducibility and decline in coupling efficiency with an optical fiber can be suppressed. SOLUTION: An active layer (18) is formed on a semiconductor substrate having a pair of end faces (15A, 15B) that face the opposite directions mutually. An upper clad layer (19) having a refractive index smaller than that of the active layer is formed on the active layer. A grating (25) is arranged in the upper clad layer on the opposite sides of a distribution feedback region of a waveguide region (22) having end regions (22B) defined at the opposite ends and the distribution feedback region (22A) defined internally and extending from one end face to the other end face of the semiconductor substrate. A low refractive index region (26) having a refractive index lower than that of the upper clad layer is arranged in the upper clad layer on each side of the end region of the waveguide region. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以以良好的再现性在目标位置形成端面的光半导体元件，并且可以抑制与光纤的耦合效率的降低。解决方案：在具有相互面对相反方向的一对端面（15A，15B）的半导体衬底上形成有源层（18）。在有源层上形成折射率小于有源层的折射率的上覆盖层（19）。在具有在相对端限定的端部区域（22B）和内部限定的分布反馈区域（22A）的波导区域（22）的分布反馈区域的相对侧的上部包层中布置有光栅（25）从半导体衬底的一端面延伸到另一端面。折射率低于上包层的低折射率区域（26）布置在波导区域的端部区域的每一侧的上包层中。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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