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1. 发明专利

JP6410008B2 面発光レーザーおよび原子発振器审中-公开
公开(公告)号：JP6410008B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2013263467
申请日：2013-12-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：竹中敏 , 倉知祐司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/3201 , H01S2301/176

2. 发明专利

JP2015119142A 面発光レーザーおよび原子発振器有权
标题翻译：垂直孔表面发射激光和原子振荡器
公开(公告)号：JP2015119142A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013263463
申请日：2013-12-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：竹中敏 , 倉知祐司 , 小野昭次
IPC分类号： H01S5/042 , H03L7/26 , H01S1/06 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , G04F5/145 , H01S2301/176 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0623 , H01S5/0687 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/18352 , H01S5/18372 , H01S5/3201
摘要：【課題】特性の劣化を抑制しつつ歩留まりを高めることができる面発光レーザーを提供すること。【解決手段】面発光レーザー100は、基板10と、基板10上方に設けられた積層体2と、積層体2の少なくとも一部の上方に設けられた樹脂層(絶縁層)70と、少なくとも一部が積層体2上方に設けられた電極82と、ワイヤーボンディングされるパッド84と、電極82とパッド84とを電気的に接続する配線86と、を含み、積層体2は、第1ミラー層20と、活性層30と、第2ミラー層40と、を含み、積層体2は、第1歪付与部2aと、第2歪付与部2bと、第1歪付与部2aと第2歪付与部2bとの間に設けられ、活性層30で発生した光を共振させる共振部2cと、を有し、配線86は、第1歪付与部2aの少なくとも一部について、幅方向の全体を覆うように設けられ、配線86の幅は、第1歪付与部2aの幅よりも広く、電極82の幅よりも狭い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种垂直腔表面发射激光器，其能够在抑制特性劣化的同时提高产量。解决方案：垂直腔表面发射激光器100包括：衬底10; 设置在基板10上方的层叠体2; 设置在层叠体2的至少一部分上的树脂层（绝缘层）70; 以及在层叠体2上设置有至少一部分的电极82; 进行引线接合的焊盘84; 以及电连接电极82和焊盘84的布线86.层压体2包括：第一镜层20; 活性层30; 层叠体2包括：第一应变施加部2a; 第二应变施加部2b; 以及在第一应变施加部分2a和第二应变施加部分2b之间设置谐振部分2c并且谐振由有源层30产生的光。布线86设置成完全覆盖第一应变应变的至少一部分部分2a在宽度方向上。布线86的宽度大于第一应变施加部2a的宽度，并且小于电极82的宽度。

3. 发明专利

JP5636686B2 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザアレイの製造方法有权
标题翻译：表面发射激光器阵列，光学扫描装置，图像形成装置，和一种用于制造表面发射激光器阵列的方法
公开(公告)号：JP5636686B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2010023994
申请日：2010-02-05
申请人：株式会社リコー
发明人：東　康弘 , 康弘東 , 和宏原坂 , 和宏原坂
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0042 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/3434 , H01S5/3436 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H04N1/024

4. 发明专利

JP2011155087A Surface-emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：JP2011155087A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：JP2010014859
申请日：2010-01-26
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： SHIOSAKI MASATAKA , MAEDA OSAMU , ARAKIDA TAKAHIRO , SATO SUSUMU
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18338 , H01S5/18358
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface-emitting semiconductor laser forming trenches of different depths, with high accuracy using a simple method and being capable of stabilizing the polarization direction of laser beams in one direction. SOLUTION: First trenches 51 are formed to a contact layer 17, and a second trench 52 superimposing a part to the first trenches 51 in a planar shape. The etching depth of the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 of the second trench 52 is set in a depth penetrating an upper second DBR mirror layer containing an upper oxidizable layer in the laminating direction, but does not reach a lower second DBR mirror layer containing the lower oxidizable layer. The etching depth of the part 52A superposed to the first trenches 51 of the second trench 52 is made larger than the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 by the depths of the first trenches 51, and can be formed at a depth penetrating at least one layer, in the lower oxidizable layer in the laminating direction in this case. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用简单的方法以高精度形成不同深度的沟槽的表面发射半导体激光器，并且能够使激光束在一个方向上的偏振方向稳定。解决方案：第一沟槽51形成为接触层17，并且第二沟槽52以平面形状将一部分叠置到第一沟槽51。未叠加在第二沟槽52的第一沟槽51上的部分52B的蚀刻深度被设定为在层叠方向上穿透包含上部可氧化层的上部第二DBR镜像层的深度，但是不到达较低的第二 DBR镜层含有下部可氧化层。与第二沟槽52的第一沟槽51重叠的部分52A的蚀刻深度大于不在第一沟槽51上叠加在第一沟槽51的深度上的部分52B，并且可以形成为深度在这种情况下，在层叠方向的下部可氧化层中贯穿至少一层。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP4484134B2 Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser 有权
公开(公告)号：JP4484134B2
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：JP2003083706
申请日：2003-03-25
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人：英次宮井 , 光横山 , 進野田 , 孝二郎関根
IPC分类号： G02B6/12 , H01S5/18 , H01S5/10 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/105 , H01S5/18338

6. 发明专利

JP4184769B2 Surface-emitting type semiconductor laser and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4184769B2
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：JP2002342085
申请日：2002-11-26
申请人：株式会社東芝
发明人：瑞仙江崎 , 亨彦西垣 , 圭児高岡
IPC分类号： H01L21/316 , H01S5/183 , H01S3/08 , H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/18 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/18308 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/2063 , H01S5/3201 , H01S2301/166 , H01S2301/176

7. 发明专利

JP4050028B2 Surface-emitting semiconductor light-emitting element 有权
公开(公告)号：JP4050028B2
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：JP2001302640
申请日：2001-09-28
申请人：株式会社東芝
发明人：瑞仙江崎 , 圭児高岡
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/187 , H01S5/20 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/1833 , B82Y20/00 , H01S5/18313 , H01S5/18338 , H01S5/2086 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34326

8. 发明专利

JP2007173304A Surface emission semiconductor laser 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光
公开(公告)号：JP2007173304A
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：JP2005364912
申请日：2005-12-19
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： MAEDA OSAMU , SHIOSAKI MASATAKA
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S2301/166
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an easy-to-fabricate surface emission semiconductor laser in which only lateral mode oscillation can be suppressed selectively.
SOLUTION: The surface emission semiconductor laser comprises a resonator, a first current constriction layer 15 and a second current constriction layer 17. The resonator comprises an n-type DBR layer 11, an n-type guide layer 12, an active layer 13 having a light emitting region 13A, a p-type guide layer 14, the first current constriction layer 15, a spacer layer 16, the second current constriction layer 17, a p-type DBR layer 18 and a p-type contact layer 19 formed in this order on a substrate 10 and oscillates with a predetermined wavelength. The first current constriction layer 15 is formed in a part including the antinode of a standing wave and has a current injection region 15b in a region corresponding to the light emitting region 13A. The second current constriction layer 17 is formed thinner than the first current constriction layer 15 and has a current injection region 17b of smaller diameter than that of the current injection region 15b in a central region. The second current constriction layer 17 is formed in a part including the node of a standing wave.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种易于制造的表面发射半导体激光器，其中仅可以选择性地抑制横向振荡。解决方案：表面发射半导体激光器包括谐振器，第一电流限制层15和第二电流限制层17.谐振器包括n型DBR层11，n型引导层12，有源层具有发光区域13A，p型引导层14，第一电流限制层15，间隔层16，第二电流收缩层17，p型DBR层18和p型接触层19 在衬底10上依次形成并以预定的波长振荡。第一电流收缩层15形成在包括驻波的波腹的部分中，并且在对应于发光区域13A的区域中具有电流注入区域15b。第二电流收缩层17形成为比第一电流收缩层15薄，并且在中心区域具有直径小于电流注入区域15b的电流注入区域17b。第二电流收缩层17形成在包括驻波的节点的部分中。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2006261520A Surface emitting device and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：表面发射装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2006261520A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：JP2005079183
申请日：2005-03-18
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： ONISHI HAJIME , NISHIDA TETSURO
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L27/15 , H01S5/0207 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/06825 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/3081 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting device improving reliability by preventing electrostatic destruction and a manufacturing method thereof, with respect to the surface emitting device and the manufacturing method thereof.
SOLUTION: This surface emitting device 100 has a substrate 101 including a first surface 101a and a second surface 101b having a surface index different from the surface index of the first surface 101a; a light-emitting section 140 including a first conductive type first semiconductor layer 102 formed above the first surface 101a, an active layer 103 and a second conductive type second semiconductor layer 104; and a rectifying section 120 including a second conductive type first semiconductor layer 112 and a first conductive type second semiconductor layer 114 formed above the first semiconductor layer 112. The first semiconductor layer 102 of the light-emitting section 140 and the first semiconductor layer 112 of the rectifying section 120 are formed in the same process, and include the same impurities. The light-emitting section 140 and the rectifying section 120 are electrically connected in parallel, and the rectifying section 120 has a rectifying function opposite to that of the light-emitting section 140.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过防止静电破坏而提高可靠性的表面发射器件及其制造方法，涉及表面发射器件及其制造方法。解决方案：该表面发射器件100具有包括第一表面101a和表面指数不同于第一表面101a的表面指数的第二表面101b的基底101; 包括形成在第一表面101a上方的第一导电类型的第一半导体层102，有源层103和第二导电型第二半导体层104的发光部140; 以及整流部120，其包括形成在第一半导体层112上方的第二导电型第一半导体层112和第一导电型第二半导体层114.发光部140的第一半导体层102和第一半导体层112 整流部120以相同的工序形成，并且包括相同的杂质。发光部140和整流部120并联电连接，整流部120具有与发光部140的整流功能相反的整流功能。（C）2006，JPO＆NCIPI

10. 发明专利

JP2006202839A Optical element 有权
标题翻译：光学元件
公开(公告)号：JP2006202839A
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：JP2005010502
申请日：2005-01-18
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： KOYAMA TOMOKO
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/0264 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S2301/173
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element which can control the polarization of a light which is emitted by a surface-emitting semiconductor laser and can be manufactured easily.
SOLUTION: The optical element 100 includes the surface-emitting semiconductor laser 140, and a photodetecting element 120 which detects a part of a laser beam emitted from the surface-emitting semiconductor laser 140. The photodetecting element 120 is formed above the above surface-emitting semiconductor laser 140, and includes semiconductor layers 112, 113, and 114 each having one or a plurality of layers. The plane shape of at least one layer of the above semiconductor layers has an anisotropy.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以控制由表面发射半导体激光器发射的光的偏振并且可以容易地制造的光学元件。解决方案：光学元件100包括表面发射半导体激光器140和检测从表面发射半导体激光器140发射的激光束的一部分的光电检测元件120.光检测元件120形成在上述表面发射半导体激光器140，并且包括各自具有一个或多个层的半导体层112,113和114。至少一层上述半导体层的平面形状具有各向异性。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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