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    • 6. 发明专利
    • 発光素子の製造方法
    • 发光元件制造方法
    • JP2015035543A
    • 2015-02-19
    • JP2013166572
    • 2013-08-09
    • ソニー株式会社Sony Corp
    • KAZETAGAWA MUNEYUKIHAMAGUCHI TATSUFUMIKURAMOTO MASARU
    • H01S5/183H01S5/042H01S5/323
    • H01S5/18341B82Y20/00H01S5/0207H01S5/0216H01S5/0217H01S5/0425H01S5/18308H01S5/3013H01S5/34333H01S2304/04
    • 【課題】共振器の長さの均一化を図り得る構成、構造を有する発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法は、(a)発光素子製造用基板11における素子形成領域13の外側の領域14上に選択成長用のマスク層12を形成し、次いで、(b)素子形成領域13上に、第1化合物半導体層21、活性層23及び、第2化合物半導体層22が積層されて成る積層構造体20を形成した後、(c)第2化合物半導体層22に第2電極32及び第2光反射層42を形成し、次いで、(d)第2光反射層42を支持基板26に固定した後、(e)発光素子製造用基板11を除去して、第1化合物半導体層21の第1面及びマスク層12を露出させ、次いで、(f)第1化合物半導体層21の第1面上に、第1光反射層41及び第1電極31を形成する各工程を備えている。【選択図】図6
    • 要解决的问题:提供具有能够实现谐振器的长度均衡的结构的发光元件的制造方法。解决方案:发光元件制造方法包括以下步骤:(a)形成掩模层12,用于 在元件形成区域13外的区域14中的发光元件制造基板11上的选择性生长; 随后(b)在元件形成区域13上形成堆叠第一化合物半导体层21,有源层23和第二化合物半导体层22的叠层结构20。 随后(c)在第二化合物半导体层22上形成第二电极32和第二光反射层42; 随后(d)将第二光反射层42固定到支撑基板26上; 随后(e)去除发光元件制造衬底11以暴露第一化合物半导体层和掩模层12的第一表面; (f)在第一化合物半导体层21的第一表面上形成第一光反射层41和第一电极31。