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1. 发明专利

JPWO2012091062A1 絶縁層付きセラミック構造体、金属体付きセラミック構造体、荷電粒子線出射装置、および絶縁層付きセラミック構造体の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012091062A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012551022
申请日：2011-12-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：晃一岩本 , 晃一岩本
IPC分类号： H01J37/248 , H01B3/10 , H01B3/12
CPC分类号： H01J1/02 , C04B35/117 , C04B35/478 , C04B35/62655 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3234 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , H01B13/06 , H01J37/147 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
摘要：【課題】高い電圧が印加された場合であっても、リーク電流が発生し難いセラミック体を提供する。【解決手段】酸化アルミニウムの結晶相、およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有するセラミック体12と、セラミック体12の表面に設けられた、酸化珪素を主成分として含む絶縁層15とを有する絶縁層付きセラミック構造体11であって、セラミック体12は、絶縁層15によって被覆された第1表面部分を備える第1の領域13aと、第1の領域13a以外に配置された、表面抵抗率が1×106〜1×109Ω/□である第2の領域13bとを有し、第1の領域13aの表面抵抗率は、第2の領域13bの表面抵抗率よりも高い絶縁層付きセラミック構造体を提供する。

2. 发明专利

JP2014002835A Charged particle beam device 有权
标题翻译：充电颗粒光束装置
公开(公告)号：JP2014002835A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：JP2012135297
申请日：2012-06-15
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： TACHIBANA ICHIRO , SUZUKI NAOMASA
IPC分类号： H01J37/21
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/263 , H01J37/28 , H01J2237/04756 , H01J2237/0492 , H01J2237/063 , H01J2237/10 , H01J2237/15 , H01J2237/21 , H01J2237/244 , H01J2237/2602 , H01J2237/281
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To resolve a problem that, in the case that signal electrons are detected by energy selection by performing control so as to combine retarding and boosting for the purpose of deep-hole observation and the like, although magnetic variation of an objective lens must be used for focus adjustment, throughput is reduced because of a poor responsibility of magnetic variation.SOLUTION: A charged particle beam device comprises: an electron source generating a primary electron beam; an objective lens converging the primary electron beam; a deflector deflecting the primary electron beam; a detector detecting secondary electrons generated from a sample due to the irradiation of the primary electron beam or reflected electrons; an electrode having a hole through which the primary electron beam passes; a voltage control power supply applying a negative voltage to the electrode; and a retarding voltage control power supply applying a negative voltage to the sample to generate such an electric field that decelerates the primary electron beam on the sample. Focus adjustment is performed while making constant a difference between the voltage applied to the electrode and the voltage applied to the sample.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在通过进行控制的能量选择来检测信号电子以便进行深孔观察等的延迟和升压的组合的情况下，尽管目标的磁性变化必须使用镜头进行焦点调整，因为磁性变化的负担很小，所以吞吐量降低。解决方案：带电粒子束装置包括：产生一次电子束的电子源; 会聚该一次电子束的物镜; 偏转器偏转一次电子束; 检测器，其检测由于一次电子束或反射电子的照射而从样品产生的二次电子; 具有一次电子束通过的孔的电极; 向所述电极施加负电压的电压控制电源; 以及向样品施加负电压的延迟电压控制电源，以产生使样品上的一次电子束减速的电场。在施加到电极的电压和施加到样品的电压之间恒定地进行聚焦调整。

3. 发明专利

JP2013533573A Cleaning of the vacuum in the beam formation opening for the particulate reduction 有权
公开(公告)号：JP2013533573A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2013503736
申请日：2011-03-16
申请人：アクセリステクノロジーズ, インコーポレイテッド
发明人：コルヴィン，ニエル , ジャン，ジンチェン
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
摘要：イオン注入システムにおいて、微粒子混入を低減するための方法を提供する。イオン注入システムは、イオン源と、質量分析器と、分解口と、減速抑制板と、エンドステーションとを備えている。イオンビームは上記イオン源を用いて形成され、被加工物は、イオン注入をされるべく、外部環境と上記エンドステーションとの間を移動させられる。上記減速抑制板に印加される減速抑制電圧は、上記被加工物の移動と同時に調整され、これにより上記イオンビームは拡張および収縮する。上記分解口の１つ以上の表面、および／または上記分解口の下流に位置する１つ以上の部材はイオンビームを照射され、上記１つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が被加工物に混入するのを緩和することができる。混入は、すでに堆積された材料を除去するか、すでに堆積された材料を強力に上記１つ以上の表面に付着させることで、緩和することができる。

4. 发明专利

JP2012503295A Adjustable deflection optics used in the ion implantation 有权
公开(公告)号：JP2012503295A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2011527819
申请日：2009-09-17
申请人：アクセリステクノロジーズ, インコーポレイテッド
发明人：アイズナー，エドワード , ヴァンダーバーグ，ボー , グラフ，マイク
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/049 , H01J2237/12
摘要：イオン注入システムにおける利用に適している偏向部（２３６）は、そこを通過しているイオンビーム（１２４）を曲げたり、偏向したり、収束したり、拡散したり、加速したり、減速したり、そして／または除染したりするように、選択的にバイアスされ得る複数の電極（２３６ａおよび２３６ｂ）を備えている。上記電極は選択的にバイアスされ、こうしてそれらの一または複数がバイアスをかけられていない、または、オフの状態であるので、ビームパスの実効長は、所望の通りに（例えば、エネルギー、ドーズ量、または種等のビーム特性に基づいて）選択的に調整される。

5. 发明专利

JP2011507163A Electrical stress reduction techniques in the acceleration / deceleration system 有权
公开(公告)号：JP2011507163A
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：JP2010537157
申请日：2008-12-10
申请人：ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド
发明人：テクレットサディクカセン , ジェイロウラッセル
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/0206 , H01J2237/032 , H01J2237/038 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756
摘要：加速／減速システムにおける電気的ストレスを低減する技術が開示される。一つの特定の模範的な実施例では、この技術は加速／減速システムとして実現できる。この加速／減速システムは、荷電粒子ビームが通過し得るアパーチャを有する複数の電極を含む加速コラムを備えることができる。この加速／減速システムは、前記複数の電極にそれぞれ電気的に結合された複数の電圧グレーディング要素も備えることができる。この加速／減速システムは、更に、前記複数の電圧グレーディング要素の周囲の電界を緩和するために前記複数の電圧グレーディング要素に隣接して配置された複数の絶縁導体を備えることができる。

6. 发明专利

JP2010539656A Technology to control the charged particle beam 有权
公开(公告)号：JP2010539656A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：JP2010525024
申请日：2008-09-12
申请人：ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド
发明人：ルノーアンソニー , シーオルソンジョセフ , アールルビキピーター , ジェイロウラッセル
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H05H15/00
摘要：荷電粒子ビームを制御する技術を開示する。１つの特定の実施態様では、その技術は荷電粒子加速／減速システムとして実現できる。荷電粒子加速／減速システムは加速段を備えてもよい。加速段は荷電粒子ビームが通過できる開口部を有する複数の電極を含んでもよい。荷電粒子加速／減速システムは前記複数の電極に電気的に結合された複数の抵抗器も備えてもよい。荷電粒子加速／減速システムは、さらに、前記複数の電極及び前記複数の抵抗器に電気的に結合された複数のスイッチを備えてもよく、前記複数のスイッチの各々は、複数の動作モードでそれぞれ選択的に切り替えられるように構成できる。

7. 发明专利

JP4262158B2 Low vacuum scanning electron microscope 有权
公开(公告)号：JP4262158B2
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：JP2004206108
申请日：2004-07-13
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ
发明人：満彦山田 , 雅子西村
IPC分类号： H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J2237/04756 , H01J2237/188 , H01J2237/2538 , H01J2237/2608

8. 发明专利

JP4093662B2 Scanning electron microscope 有权
公开(公告)号：JP4093662B2
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：JP22299
申请日：1999-01-04
申请人：株式会社日立製作所
发明人：康継宇佐見 , 秀男戸所 , 真江角
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/28 , G01N23/225 , G01Q30/02 , H01J37/00 , H01J37/14
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J2237/0045 , H01J2237/0048 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/281 , H01J2237/31701

9. 发明专利

JP2007509469A Ion injector electrode 有权
公开(公告)号：JP2007509469A
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：JP2006535648
申请日：2004-10-15
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：デイヴィッド，ジョージアルモア， , リチャード，デイヴィッドゴールドバーグ， , クリストファーバーゲス， , アドリアン，ジェイ．マーレル，
IPC分类号： H01J37/317 , G21K5/10 , H01J37/08 , H01J37/12
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/12 , H01J2237/04756 , H01J2237/121 , H01J2237/31701
摘要：イオン注入器の性能を向上させることができるように、減速電極の１つ以上の開口部が成形されている複数の電極を備える減速レンズアセンブリを有するイオン注入器が提供される。一実施形態において、電極開口部は、概して楕円形状であり、該開口部を通過するビームの形状と概して一致する。別の態様においては、軸セグメントは、開口部の中心から該セグメントの端部における中間点まで該開口部の長さの４０％伸びている。該中心から該中間点までの各点で測定した該開口部の平均幅は、該開口部の最大幅よりも実質的に小さい。
【選択図】図５

10. 发明专利

JP2018530889A ビーム電流動作の広い範囲におけるイオンビームの制御审中-公开
公开(公告)号：JP2018530889A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2018518424
申请日：2016-10-03
申请人：ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド
发明人：シェンウーチャン , クリステンラウンズ , ウィリアムレーヴィット , ダニエルブロスナン
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3002 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/04924
摘要：本明細書において、加速器/減速器内で、イオンビームを制御するためのアプローチが提供される。例示的アプローチにおいて、イオン注入システムは、イオンビームを生成するためのイオン源と、端子に連結される端子抑制電極と、を含み、該端子抑制電極は、該端子抑制電極のアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第1の電圧源から第1の電位を前記イオンビームへ印加するように構成される。前記システムは、さらに、前記端子に連結され、前記端子抑制電極に隣接して配置されるレンズであって、該レンズは、該レンズのアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第2の電圧源から第2の電位を前記イオンビームへ印加するように構成されるレンズを含む。例示的アプローチにおいて、前記第1及び前記第2の電位は、各々、前記レンズは前記端子及び前記端子抑制電極から電気的に絶縁され、独立に制御され、したがって、増大したビーム電流動作範囲を可能にさせる。

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