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1. 发明专利

JP2012015458A Resistance-change semiconductor memory 审中-公开
标题翻译：电阻变化半导体存储器
公开(公告)号：JP2012015458A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2010153205
申请日：2010-07-05
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： INABA TSUNEO
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C5/06 , G11C5/08 , G11C11/00 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/56 , H01L27/228 , H01L27/2436
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To present a layout which reduces cell area and improves operation characteristics excellently.SOLUTION: The resistance-change semiconductor memory has first through fourth memory cells arranged in the first direction. Each of the first through fourth memory cells includes cell transistors T11, T12, T13, T14 having first source/drain connected with a first bit line BLA1 extending in the first direction, and a gate connected with word lines WL1, WL2, WL3, Wl4 extending in the second direction, and resistive memory elements M11, M12, M13, M14 having one end connected with the second source/drain of the cell transistors T11, T12, T13, T14 and the other end connected with second bit lines BLB1, BLB2, BLB3, BLB4 extending in the second direction. First sources/drains in the first and second memory cells are shared, and first sources/drains in the third and fourth memory cells are shared.
摘要翻译：要解决的问题：提出减少细胞面积并提高操作特性的布局。解决方案：电阻变化半导体存储器具有沿第一方向布置的第一至第四存储单元。第一至第四存储单元中的每一个包括具有与在第一方向上延伸的第一位线BLA1连接的第一源极/漏极的单元晶体管T11，T12，T13，T14，以及与字线WL1，WL2，WL3，W114连接的栅极在第二方向上延伸的电阻式存储元件M11，M12，M13，M14，其一端与单元晶体管T11，T12，T13，T14的第二源极/漏极连接，另一端与第二位线BLB1，BLB2连接，BLB3，BLB4沿第二方向延伸。共享第一和第二存储器单元中的第一源/漏极，并且共享第三和第四存储器单元中的第一源极/漏极。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JPS6118279B2 JPS6118279B2 - 失效
公开(公告)号：JPS6118279B2
公开(公告)日：1986-05-12
申请号：JP22870082
申请日：1982-12-28
申请人： Fujitsu Ltd
发明人： SATO YOSHIO , FURUMURA JUJI
IPC分类号： H01L29/82 , G11C11/02 , H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C11/02

3. 发明专利

JP4431265B2 Memory cell resistance state sensing circuit and the memory cell resistance state sensing method 有权
公开(公告)号：JP4431265B2
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：JP2000325971
申请日：2000-10-25
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：フレデリック・エイ・パーナー
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/15 , G11C7/06 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C16/28 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , G11C7/062 , G11C11/02 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C16/28

5. 发明专利

JP2018507554A 電磁変換デバイスおよびそれを含む情報メモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2018507554A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017541666
申请日：2016-01-20
申请人：インスティテュートオブフィジックス, チャイニーズアカデミーオブサイエンシーズ
发明人：スン,ヤン , チャイ,イーション , シャン,ダーシャン
IPC分类号： H01L29/82 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/20 , H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/02 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01L29/82 , H01L41/02 , H01L41/083 , H01L41/1871 , H01L41/1875 , H01L41/20 , H01L43/10
摘要：本発明は、電磁変換デバイスであって、中間層と、中間層の両側に位置する電極層とを含み、中間層が磁電層である、電磁変換デバイスを提供する。電磁変換デバイスは、電荷と磁束との直接変換を実現し、それゆえ、電子回路および情報機能デバイスの設計に新たな自由度を提供すべく第4の基本回路素子として使用することができる。さらに、電磁変換デバイスをメモリ素子として使用して不揮発性の磁電情報メモリを形成することができる。

6. 发明专利

JP2014107364A Plasma etching method 有权
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：JP2014107364A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012258087
申请日：2012-11-27
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： YOSHIDA ATSUSHI , YAMAMOTO NAOHIRO , SUYAMA ATSUSHI , YAMADA KENTARO , FUJITA DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G11C11/02 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma etching method of a magnetic film which allows for formation of a vertical shape without compromising the device characteristics.SOLUTION: A plasma etching method for plasma etching a sample having a lamination film containing a movable layer of a magnetic film, a barrier layer of an insulation material, and a fixed layer of a magnetic film, by using a hard mask including at least one film of Ta or TiN includes a first step for etching the lamination film by using Ngas, and a second step for etching the lamination film by using a mixture gas of Ngas and a gas containing a carbon element, following the first step.
摘要翻译：要解决的问题：提供允许形成垂直形状而不损害器件特性的磁性膜的等离子体蚀刻方法。解决方案：等离子体蚀刻方法，用于等离子体蚀刻具有层压膜的样品，该层压膜含有可移动层磁性膜，绝缘材料的阻挡层和磁性膜的固定层，通过使用包括至少一种Ta或TiN的膜的硬掩模包括用于通过使用Ngas蚀刻层压膜的第一步骤和第二步骤在第一步骤之后，通过使用Ngas的混合气体和含有碳元素的气体来蚀刻层压膜的步骤。

7. 发明专利

JP2013201220A Magnetic memory 有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP2013201220A
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：JP2012067899
申请日：2012-03-23
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SHIMOMURA NAOHARU
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/02 , G11C11/161
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic memory and a method for reading out from it that can prevent read disturbance.SOLUTION: A magnetic memory of an embodiment comprises a memory cell including: a first MTJ element comprising a first storage layer including a magnetic layer having direction variable magnetization, a first reference layer including a magnetic layer having direction invariable magnetization, and a first tunnel barrier layer provided between the first storage layer and the first reference layer; and a second MTJ element comprising a second storage layer including a magnetic layer having direction variable magnetization and magnetically coupling with the first storage layer, a second reference layer including a magnetic layer having direction invariable magnetization parallel to the magnetization of the first reference layer, and a second tunnel barrier layer provided between the second storage layer and the second reference layer, and arranged in parallel to the first MTJ element in the direction orthogonal to the lamination direction of the layer of the first MTJ element.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以防止读取干扰的磁存储器和从其读出的方法。解决方案：实施例的磁存储器包括：存储单元，包括：第一MTJ元件，包括第一存储层，包括磁性具有方向可变磁化的层，包括具有方向不变磁化的磁性层的第一参考层和设置在第一存储层和第一参考层之间的第一隧道势垒层; 以及第二MTJ元件，包括第二存储层，所述第二存储层包括具有方向可变磁化和与所述第一存储层磁耦合的磁性层;第二参考层，包括具有与所述第一参考层的磁化强度平行的方向不变磁化的磁性层;以及第二隧道势垒层，设置在第二存储层和第二参考层之间，并且在与第一MTJ元件的层的层叠方向正交的方向上与第一MTJ元件平行布置。

8. 发明专利

JP2018505555A 磁気メモリ素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018505555A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017536563
申请日：2016-05-12
申请人：コリアユニバーシティリサーチアンドビジネスファウンデーション , KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION
发明人：リー,キョンジン , リー,ヒョヌ , パク,ビョングク
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： G11C11/02 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：磁気メモリ素子は、固定磁性層、絶縁層及び自由磁性層がそれぞれ順に積層されたトンネル接合単位セル、前記単位セルに面内電流を供給し、前記自由磁性層に隣接して配置された反強磁性(antiferromagnetic)層及び前記反強磁性層に隣接して配置され、面内磁気異方性を有する強磁性層を有する導線体及び前記トンネル接合単位セルそれぞれに独立的に選択電圧を印加する電圧印加部を含み、前記面内電流及び前記選択電圧によってトンネル接合単位セルのそれぞれの磁化方向を選択的に変化させることができる。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2012178541A Magnetic memory 有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP2012178541A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：JP2011237544
申请日：2011-10-28
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： KARIYADA HIDETSUGU , SUEMITSU KATSUMI , TANIGAWA HIRONOBU , MORI KAORU , SUZUKI AKIHIRO , NAGAHARA KIYOKAZU , OZAKI KOSUKE , OSHIMA NORIKAZU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/161 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic memory in which a data storage layer has strong vertical magnetic anisotropy and magnetic coupling is strong between the data storage layer and a magnetization fixed layer provided below the data storage layer.SOLUTION: A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy. The underlying layer 40 includes a first magnetic underlying layer 41 formed from a magnetic material and a non-magnetic underlying layer 42 formed on the first magnetic underlying layer 41. A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种数据存储层在数据存储层和设置在数据存储层下方的磁化固定层之间具有强垂直磁各向异性并且磁耦合强的磁存储器。解决方案：磁存储器包括具有垂直磁各向异性并且其中磁化方向固定的磁化固定层50a和50b，层间绝缘层60，形成在磁化固定层50a的上表面上的下层40和 50b和层间绝缘层60，以及形成在下层40的上表面上并具有垂直磁各向异性的数据存储层10。下层40包括由磁性材料形成的第一磁性下层41和形成在第一磁性下层41上的非磁性下层42.调整第一磁性下层41的厚度以防止第一磁性底层层41在层间绝缘层60上呈现面内磁各向异性。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4568926B2 Magnetic functional element and a magnetic recording device 有权
公开(公告)号：JP4568926B2
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：JP20084099
申请日：1999-07-14
申请人：ソニー株式会社
发明人：和宏別所 , 洋岩崎
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/00 , G11B5/62 , G11B5/64 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/56 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/09 , H01L41/12 , H01L41/20 , H01L43/06
CPC分类号： G11B5/65 , G11B5/00 , G11B5/62 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5607 , Y10S428/90 , Y10T428/24942

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