专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6304600B2 磁性材料とその製造方法有权
公开(公告)号：JP6304600B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014551944
申请日：2013-11-11
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 佐藤英夫 , 山ノ内路彦 , 池田正二 , 大野英男
IPC分类号： H01F41/30 , H01F41/18 , H01F10/32 , H01F10/14 , H01F10/16
CPC分类号： H01F1/047 , B32B15/01 , H01F1/04 , H01F7/02 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/265 , H01F41/14 , Y10T428/12944

2. 发明专利

JP6296155B2 異方性磁気抵抗素子、磁気センサおよび電流センサ有权
公开(公告)号：JP6296155B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2016523529
申请日：2015-05-27
申请人：株式会社村田製作所
发明人：牛見義光 , 米田年麿 , 島津武仁
IPC分类号： G01R33/09 , G01R15/20 , H01L43/08
CPC分类号： G01R15/20 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01L43/08 , H01L43/10

3. 发明专利

JPWO2014157526A1 磁性シート、それを用いた電子機器、および、磁性シートの製造方法审中-公开
标题翻译：磁性片，使用其的电子装置和方法，用于制造磁性片
公开(公告)号：JPWO2014157526A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508700
申请日：2014-03-27
申请人：日立金属株式会社
发明人：渡辺　光弘 , 光弘渡辺 , 三木　裕彦 , 裕彦三木 , 真貴中村 , 真貴中村
IPC分类号： H01F1/16 , H01F1/00 , H01F41/02 , H05K9/00
CPC分类号： H01F10/26 , G01C17/28 , H01F1/14775 , H01F1/16 , H01F10/14 , H01F10/142 , H01F27/365
摘要：樹脂フィルム上に粘着層を介してFe基金属磁性材料からなる薄板状磁性体を保持した磁性シートであって、前記薄板状磁性体の単層の厚みが15μm〜35μmであり、前記薄板状磁性体は、周波数500kHzでの交流比透磁率μrが220以上770以下である磁性シート。
摘要翻译：通过在树脂膜的磁性片保持的片状磁性材料的粘接剂层的Fe系金属磁性材料，薄板磁性构件的单个层的厚度是15Myuemu〜35myuemu，薄板磁体中，频率为500kHz的交流相对磁导率μr为220以上770以下的磁性片。

4. 发明专利

JP2016194147A 磁気記録媒体に適した磁性膜及びその製造方法有权
标题翻译：用于磁记录介质的磁性膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2016194147A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2016041146
申请日：2016-03-03
申请人： JX金属株式会社
发明人：高見英生 , 佐藤敦 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C14/58 , C23C14/06 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/851 , H01F10/14 , H01F41/18 , C22C5/04 , C23C14/14
CPC分类号： C22C5/02 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/58 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/851 , H01F10/14 , H01F41/18
摘要：【課題】スパッタリングで形成した磁性薄膜であって、L1 0 規則構造を発現するための熱処理温度を低下させる方法の提供。【解決手段】Fe及びPtを含む磁性金属と非磁性材料とからなる膜であって、さらにMgを含有し、原子数比で(Fe 1−α Pt α ) 1−β Mg β (α、βは、0.35≦α≦0.55、0.01≦β≦0.2を満たす数)で表される組成を有する磁性膜。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低用于在通过溅射形成的磁性薄膜中表现L1规则结构的热处理温度的方法。解决方案：一种磁性膜，其是包含Fe和Pt的磁性金属的膜，（FePt）Mg（α，β分别满足0.35≤α≤0.55,0.01≤β≤0.2）的原子比表示的组成，进一步含有Mg，选择图示：无

5. 发明专利

JP2014531742A 接着剤を用いて積層したナノコンポジット膜を使用する磁気装置审中-公开
标题翻译：使用纳米复合膜的磁性装置层压用粘合剂
公开(公告)号：JP2014531742A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014526204
申请日：2012-08-16
申请人：ジョージアテックリサーチコーポレーション , ジョージアテックリサーチコーポレーション
发明人：ラージプルガーサ、マーコンデヤ , ラージプルガーサ、マーコンデヤ , タムマラ、リャオ、アール． , サンダラム、ベンカテッシュ , クムバート、ニテス , スリドハール、ウピリ , エリュール、ジョセフ , ミシャーラ、ディブヤジャット
IPC分类号： H01F17/04 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F17/00 , H01F41/18 , H01F41/34
CPC分类号： H01F27/306 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/265 , H01F17/0013 , H01F41/02 , H01F2017/0066 , Y10T29/4902
摘要：例示的な実施形態では、ナノ磁性構造およびその作製方法を提供し、ナノ磁性構造は、デバイス基板と、デバイス基板上に配置された複数のナノ磁性コンポジット層とを備え、複数のナノ磁性コンポジット層の各々の間には接着剤層が介在する。複数のナノ磁性コンポジット層内で金属巻線を一体化させてインダクタコアを形成し、ナノ磁性構造は、厚み範囲が約5から約100ミクロンである。【選択図】図6
摘要翻译：在一个示例性实施例中，提供了一种纳米磁性结构及其制造方法，纳米磁性结构包括器件衬底，以及设置在装置基板上的多个纳米磁性复合层，多个纳米磁性复合层的粘合剂层的每个之间。通过整合金属绕组，以形成在多个纳米磁性复合层的一个电感器芯，纳米磁性结构具有从约5至约100微米的厚度范围内。点域6

8. 发明专利

JP2012531691A How to change the direction of magnetization of the ferromagnetic layer 审中-公开
公开(公告)号：JP2012531691A
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：JP2012516822
申请日：2010-06-22
申请人：ユニベルシテピエールエマリーキュリー(パリシズエム) , サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク
发明人：マランゴロ，マッシミリアノ , サッキ，マウリツィオ
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/73 , H01F10/14 , H01F10/28
CPC分类号： H01F41/32 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B11/10504 , G11B11/10586 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , H01F10/14
摘要：本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。
【選択図】図１

9. 发明专利

JP4998292B2 Magnetic thin film and the thin-film magnetic device 有权
公开(公告)号：JP4998292B2
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：JP2008020193
申请日：2008-01-31
申请人： Tdk株式会社
发明人：琢政井
IPC分类号： H01F10/13 , H01F10/14
CPC分类号： H01F10/132 , H01F10/138 , H01F10/14 , H01F10/265 , H01F17/0006 , H01F41/042 , H01F41/046 , Y10T428/2495

10. 发明专利

JP2009182168A Magnetic thin film and thin-film magnetic device 有权
标题翻译：磁薄膜和薄膜磁性器件
公开(公告)号：JP2009182168A
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：JP2008020193
申请日：2008-01-31
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： MASAI MIGAKU
IPC分类号： H01F10/13
CPC分类号： H01F10/132 , H01F10/138 , H01F10/14 , H01F10/265 , H01F17/0006 , H01F41/042 , H01F41/046 , Y10T428/2495
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic thin film that more effectively improves magnetic permeability in a soft magnetic thin film. SOLUTION: On a Co amorphous soft magnetic film 121 which is a soft magnetic film having magnetic permeability higher than that of a Fe soft magnetic film 122, the Fe soft magnetic film 122 is formed, which facilitates magnetization reversal in the Fe system soft magnetic film 122 and increases magnetic permeability of a magnetic thin film (a lower magnetic film 12A and upper magnetic film 12B) as a whole. A ratio of film thickness between the Co amorphous soft magnetic film 121 and the Fe soft magnetic film 122 is set in a suitable range (≥0.005 and ≤0.030), thereby decreasing the impact of stress from the Co amorphous soft magnetic film 121 to the Fe soft magnetic film 122 and suppressing the reduction of magnetic permeability of the magnetic thin film as a whole under impact of stress. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种更有效地提高软磁性薄膜的磁导率的磁性薄膜。解决方案：在具有比Fe软磁膜122的磁导率高的软磁性膜的Co非晶软磁膜121上形成Fe软磁膜122，这有助于Fe系统中的磁化反转软磁膜122，并且整体上增加磁性薄膜（下部磁性膜12A和上部磁性膜12B）的磁导率。 Co非晶软磁性膜121与Fe软磁性膜122之间的膜厚比设定在适当的范围（≥0.005以上且≤0.030以下），能够降低Co非晶磁性体膜121的应力对 Fe软磁性膜122，并且在应力冲击下整体上抑制磁性薄膜的磁导率的降低。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式