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1. 发明专利

JP2012178541A Magnetic memory 有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP2012178541A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：JP2011237544
申请日：2011-10-28
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： KARIYADA HIDETSUGU , SUEMITSU KATSUMI , TANIGAWA HIRONOBU , MORI KAORU , SUZUKI AKIHIRO , NAGAHARA KIYOKAZU , OZAKI KOSUKE , OSHIMA NORIKAZU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G01R33/091 , G01R33/098 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/161 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic memory in which a data storage layer has strong vertical magnetic anisotropy and magnetic coupling is strong between the data storage layer and a magnetization fixed layer provided below the data storage layer.SOLUTION: A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy. The underlying layer 40 includes a first magnetic underlying layer 41 formed from a magnetic material and a non-magnetic underlying layer 42 formed on the first magnetic underlying layer 41. A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种数据存储层在数据存储层和设置在数据存储层下方的磁化固定层之间具有强垂直磁各向异性并且磁耦合强的磁存储器。解决方案：磁存储器包括具有垂直磁各向异性并且其中磁化方向固定的磁化固定层50a和50b，层间绝缘层60，形成在磁化固定层50a的上表面上的下层40和 50b和层间绝缘层60，以及形成在下层40的上表面上并具有垂直磁各向异性的数据存储层10。下层40包括由磁性材料形成的第一磁性下层41和形成在第一磁性下层41上的非磁性下层42.调整第一磁性下层41的厚度以防止第一磁性底层层41在层间绝缘层60上呈现面内磁各向异性。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2015008216A 磁気シールド、半導体装置および半導体パッケージ有权
标题翻译：磁性屏蔽，半导体器件和半导体封装
公开(公告)号：JP2015008216A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013132750
申请日：2013-06-25
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社 , Renesas Electronics Corp
发明人： SUZUKI AKIHIRO
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/16 , H01L21/8246 , H01L23/00 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/02
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , H01L23/552 , H01L24/73 , H01L27/228 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , Y10T428/1107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】磁気シールドの外部磁界に対する遮蔽性を向上させる。【解決手段】磁気シールドMS1は、残留磁化として面内方向の磁化を有しており、かつ垂直方向の磁界を加えることにより磁化方向に垂直成分が生じる。残留磁化として面内方向の磁化を有する磁気シールドMS1に対し、垂直磁気異方性が付与されている。この場合、磁気シールドMS1の膜厚方向に働く反磁界は、磁気シールドMS1に付与される垂直磁気異方性と打ち消しあう。このため、磁気シールドMS1に対して垂直方向の外部磁界を加えることにより、磁気シールドMS1の磁化方向には垂直成分が生じることとなる。すなわち、磁気シールドMS1において垂直方向の外部磁界による磁化変化が生じやすくなり、垂直方向の外部磁界に対し十分な透磁率を実現することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高磁屏蔽对外部磁场的屏蔽性能。解决方案：磁屏蔽MS1在面内方向上具有磁化作为剩余磁化，并通过添加磁化方向产生磁化方向的垂直分量垂直方向的磁场。向具有在面内方向的磁化强度的磁屏蔽MS1作为剩余磁化提供垂直磁各向异性。在这种情况下，作用在磁屏蔽MS1的膜厚度方向上的抗磁场和给予磁屏蔽MS1的垂直磁各向异性相互抵消。因此，通过在磁屏蔽MS1的垂直方向上添加外部磁场，在磁屏蔽MS1的磁化方向上产生垂直成分。也就是说，在磁屏蔽MS1中容易发生由垂直方向的外部磁场引起的磁化变化，并且可以实现在垂直方向上的外部磁场的足够的磁导率。

3. 发明专利

JP2013175598A Domain wall motion element manufacturing method 审中-公开
标题翻译：域墙运动元件制造方法
公开(公告)号：JP2013175598A
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：JP2012039173
申请日：2012-02-24
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： TANIGAWA HIRONOBU , OZAKI KOSUKE , SUZUKI AKIHIRO , KARIYADA HIDETSUGU
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reliably perform initialization of a domain wall motion element whose magnetization state changes through domain wall motion.SOLUTION: A domain wall motion element manufacturing method includes: a step (A) for forming a first pinning layer and a second pinning layer whose magnetization directions are respectively fixed in a first direction and a second direction that are opposite to each other; and a step (B) for forming, after the step (A), a magnetization free layer that magnetically couples with both of the first pinning layer and the second pinning layer. Here, in the magnetization free layer, a first magnetization fixed region that magnetically couples with the first pinning layer, a second magnetization fixed region that magnetically couples with the second pinning layer, and a domain wall motion region sandwiched between the first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region are formed. The domain wall motion element manufacturing method further includes a step (C) for setting a magnetization direction of the domain wall motion region in the first direction or the second direction.
摘要翻译：要解决的问题：可靠地执行其磁化状态通过畴壁运动而改变的畴壁运动元件的初始化。解决方案：畴壁运动元件制造方法包括：步骤（A），用于形成第一钉扎层和第二钉扎其磁化方向分别固定在彼此相对的第一方向和第二方向上; 和步骤（B），用于在步骤（A）之后形成与第一钉扎层和第二钉扎层两者磁耦合的无磁化层。这里，在无磁化层中，与第一钉扎层磁耦合的第一磁化固定区域，与第二钉扎层磁耦合的第二磁化固定区域和夹在第一磁化固定区域和第一磁化固定区域之间的畴壁运动区域形成第二磁化固定区域。畴壁运动元件制造方法还包括用于设定第一方向或第二方向上的畴壁运动区域的磁化方向的步骤（C）。

4. 发明专利

JP2014036146A Semiconductor device and manufacturing method of the same 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014036146A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012177174
申请日：2012-08-09
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： MORI KAORU , SUZUKI AKIHIRO , KARIYADA HIDETSUGU , SUEMITSU KATSUMI
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an initialization technique regarding a domain wall motion element, which is suitable for the case where a CoFeB film having perpendicular magnetic anisotropy is used as a domain wall motion layer.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a CoFeB film having perpendicular magnetic anisotropy; a first magnetization hard layer which has perpendicular magnetic anisotropy and is magnetically coupled with a first magnetization fixed region of the CoFeB film; a second magnetization hard layer which has perpendicular magnetization anisotropy and is magnetically coupled with a second magnetization fixed region of the CoFeB film; and a magnetization direction control layer having perpendicular magnetization anisotropy stronger than that of the second magnetization hard layer. The second magnetization hard layer is formed on the magnetization direction control layer via a non-magnetic layer and antiferromagnetically coupled with the magnetization direction control layer via the non-magnetic layer. A thickness of the magnetization direction control layer is smaller than a thickness of the second magnetization hard layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于具有垂直磁各向异性的CoFeB膜作为畴壁运动层的畴壁运动元件的初始化技术。解决方案：一种半导体器件包括：CoFeB膜具有垂直磁各向异性; 具有垂直磁各向异性并与CoFeB膜的第一磁化固定区磁耦合的第一磁化硬化层; 具有垂直磁化各向异性并与CoFeB膜的第二磁化固定区磁耦合的第二磁化硬化层; 磁化方向控制层具有比第二磁化硬化层更强的垂直磁化各向异性。第二磁化硬化层经由非磁性层形成在磁化方向控制层上，并经由非磁性层与磁化方向控制层反铁磁耦合。磁化方向控制层的厚度小于第二磁化硬化层的厚度。

5. 发明专利

JP2013232497A Magnetic material device and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：磁性材料装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2013232497A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2012103288
申请日：2012-04-27
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： SUZUKI AKIHIRO , SUEMITSU KATSUMI , KARIYADA HIDETSUGU
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a current required for magnetization-switching of a magnetic material layer.SOLUTION: The magnetic material device has a laminate structure including a ground layer, a magnetic material layer, and a cap layer. Materials of the ground layer and the cap layer are different from each other. The magnetic material layer has: a magnetization free region having vertical magnetic anisotropy; and a first characteristic change region and a second characteristic change region positioned on both sides of the magnetization free region in a first plane inner direction. Vertical magnetic anisotropy of the first and second characteristic change regions is weaker than that of the magnetization free region. An external magnetic field containing a component of the first plane inner direction is applied to the magnetization free region. Also, a current in the first plane inner direction is supplied to the magnetization free region.
摘要翻译：要解决的问题：减少磁性材料层的磁化切换所需的电流。解决方案：磁性材料装置具有包括接地层，磁性材料层和盖层的层压结构。接地层和盖层的材料彼此不同。磁性材料层具有：具有垂直磁各向异性的无磁化区; 以及位于第一平面内部方向上的无磁化区域的两侧上的第一特征变化区域和第二特征变化区域。第一和第二特征变化区的垂直磁各向异性弱于无磁化区的磁各向异性。将包含第一平面内部方向的分量的外部磁场施加到无磁化区域。此外，第一平面内侧的电流被供给到无磁化区域。

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