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2. 发明专利

JP6980191B2 磁気抵抗素子および検波器有权
公开(公告)号：JP6980191B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2017204582
申请日：2017-10-23
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東北大学
发明人：水沼広太朗 , 河野欣 , 久保田均 , 今村裕志 , 福島章雄 , 常木澄人 , 田丸慎吾 , 水上成美 , 鈴木和也
IPC分类号： H01L43/08 , H03D1/10 , H01L29/82

3. 发明专利

JP2021190656A 磁気抵抗素子,磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021190656A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097602
申请日：2020-06-04
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：高橋茂樹
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
摘要：【課題】SOT層において書き込み電流を流すのに支障の無い厚さが確保されるとともに,オーバーエッチングによる金属の再堆積に起因するMTJのトンネルバリアのショートパス形成,及びMTJ形状が裾引き形状となることを抑制すること。【解決手段】磁気抵抗素子100は,SOT電極層102と,界面層103と,第1の磁性層104と,第1の非磁性層105と,第2の磁性層106とが順に積層され,SOT電極層102の一面のうち,第1の磁性層104と,第1の非磁性層105と第2の磁性層106が積層されていない部分を覆うエッチング停止層107を更に備え,界面層103はスピン拡散長が界面層103の厚さ以上であり,且つ第1の磁性層104,酸化または窒化することにより第1の非磁性層105及び第2の磁性層106の少なくとも1つの層の組成物よりエッチレートが低くなる金属を含み,前記エッチング停止層107は当該金属の酸化物または窒化物を含む。【選択図】図1

4. 发明专利

JPWO2020166722A1 スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020166722A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2020005901
申请日：2020-02-14
申请人：国立大学法人東京大学
发明人：中▲辻▼ 知 , 大谷義近
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
摘要：スピントロニクス素子(100)は、反強磁性層(20)とMTJ素子(30)とを備える。反強磁性層(20)は、磁気モーメントがキャントして微小な磁化を有するキャントした反強磁性体からなり、面内に平行な一方向(y軸方向)に電流が流れると、電子のスピンが面直方向(z軸方向)に平行に又は斜めに偏極したスピン蓄積を生成する。MTJ素子(30)は、反強磁性層(20)に積層され、積層方向である面直方向の磁化(M11)を有する強磁性体を含み、反強磁性層(20)において生成されたスピン流によって磁化(M11)にスピン軌道トルクが働くことで、磁化(M11)が反転可能である。

5. 发明专利

JP2021184473A 磁気トンネル接合をパターニングするためのハードマスク审中-公开
公开(公告)号：JP2021184473A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021119381
申请日：2021-07-20
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：シュエ, リン , パカラ, マヘンドラ , チェン, ハオ , アン, ジェス
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/3065 , G11B5/39 , H01L21/8239
摘要：【課題】デバイス構造体及びデバイス構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスにおいて、膜スタック100は、基板101、磁気トンネル接合(MJT)層102、誘電体キャップ層104、エッチング停止層106、導電性ハードマスク層108、誘電体ハードマスク層110、スピンオンカーボン層112、反射防止被覆層114及びフォトレジスト層116を備える。膜スタックの側壁の垂直性を向上させるため、膜スタックは、1つ以上の選択された化学物質によってエッチングされる。【選択図】図1

6. 发明专利

JPWO2021024758A1 磁気センサ装置有权
公开(公告)号：JPWO2021024758A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020027823
申请日：2020-07-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込智和 , 山内一輝
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08 , H01L43/10 , G01R33/02
摘要：磁気センサ装置、磁界を生成する磁石と、被検知物の搬送方向に直交する長手方向に配置された磁気抵抗効果素子と、を備える。磁気抵抗効果素子は、第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)とが、第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)との搬送方向の間隔の中心が磁石の搬送方向における中心軸(Cx)に位置するように配置される。磁石は、第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)に、被検知物の搬送方向成分と長手方向成分を有する磁界を印加する。第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)とは、第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)の一端から長手方向の他端に向かうにつれ、その間隔が広がっていく配置であり、少なくとも2組の第1の抵抗体(31a)と第2の抵抗体(31b)が、磁石の長手方向に直交する仮想線(Cy’)に線対称に配置されている。

7. 发明专利

JP2021532571A 磁気トンネル接合及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021532571A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021500283
申请日：2019-06-04
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：シュエ, リン , チン, チーホン , ワン, シャオトン , ワン, ロンジュン , パカラ, マヘンドラ
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/12
摘要：本開示の実施形態は、磁気トンネル接合積層体の製造向けのシステム及び方法のためのものである。本製造は、(1)シード層を堆積させる前に、基板上に緩衝層を堆積させた後で基板を加熱すること、(2)構造ブロッキング層を堆積させる前に、第2のピンニング層を堆積させた後で基板を冷却すること、(3)トンネルバリア層の堆積中に基板を加熱し、次いで、トンネルバリア層の堆積が完了した後で、基板を冷却すること、(4)トンネルバリア層上に磁気記憶層を堆積させた後で、基板を加熱すること、及び(5)キャッピング層の第1の中間層を堆積させる前に、磁気記憶層を堆積させた後で基板を冷却すること、のうちの1以上を含む方法を介して行うことができる。【選択図】図1A

8. 发明专利

JP6969752B2 トンネル磁気抵抗素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6969752B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2018564496
申请日：2018-01-17
申请人：国立大学法人東北大学 , コニカミノルタ株式会社
发明人：安藤康夫 , 大兼幹彦 , 藤原耕輔 , 関根孝二郎 , 城野純一 , 土田匡章
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/16 , H01F41/22 , H01L43/12

9. 发明专利

JP6958762B1 磁気記録アレイ有权
公开(公告)号：JP6958762B1
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2021510135
申请日：2020-03-05
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木智生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
摘要：本実施形態にかかる磁気記録アレイ(200)は、複数のスピン素子(100)と、隣接する第1スピン素子と第2スピン素子に接続された共有トランジスタ(STr)と、を備え、前記複数のスピン素子のそれぞれは、配線(20)と、前記配線に積層された第1強磁性層(1)を含む積層体(10)と、を有し、前記共有トランジスタは、第1ゲート(G1)と、第2ゲート(G2)と、第1領域(A1)と、第2領域(A2)と、第3領域(A3)と、を有し、前記積層体の積層方向からの平面視で、前記第1領域は、前記第1ゲートと前記第2ゲートとに挟まれ、前記第2領域は、前記第1領域と前記第1ゲートを挟み、前記第3領域は、前記第1領域と前記第2ゲートを挟み、前記第2領域と第3領域とのうちの一方は、前記第1スピン素子に接続され、他方は、前記第2スピン素子に接続される。

10. 发明专利

JP6958453B2 磁気抵抗効果装置有权
公开(公告)号：JP6958453B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2018056287
申请日：2018-03-23
申请人： TDK株式会社
发明人：牧野健三
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/12 , H01L43/08

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