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1. 发明专利

JP2018011049A 半導体ダイ裏面デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018011049A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017120953
申请日：2017-06-21
申请人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人：アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ , リスト・イルッカ・トゥオミネン
IPC分类号： H01L23/12 , H05K3/46 , H01L25/00
CPC分类号： H01L23/5389 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , G02B6/4201 , G06K19/07745 , H01L23/34 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/57 , H01L23/58 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/16 , H01L27/0694 , H01L2223/54446 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104
摘要：【課題】半導体ダイ裏面デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップパッケージのためのダイ(102)は、その中に形成される集積回路(106)を含む第1の表面(104)を含む。ダイはまた、第1の表面の反対側の裏面(108)を含む。裏面は、裏面の実質的に平坦な領域(302)を画定する全表面領域(206)を有する。ダイは、裏面に形成された少なくとも1つのデバイス(132)をさらに含む。少なくとも1つのデバイスは、全表面領域を超えて少なくとも1つのデバイスから延びる少なくとも1つの延長部(136)を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017526178A ＳＯＩウエハ中に複数の活性層を備えた半導体構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017526178A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2017505838
申请日：2015-07-23
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：スティーヴン・エー・ファネリ
IPC分类号： H01L21/02 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C3/00 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/1207 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , B81C2203/0792 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/481 , H01L27/0688 , H01L27/1203 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091
摘要：絶縁体上半導体ウエハが、基板層と半導体層との間に絶縁体層を有する。半導体層中および上に、第1の活性層が形成される。基板層中および上に、第2の活性層が形成される。いくつかの実施形態では、絶縁体上半導体ウエハにハンドルウエハが接合され、第2の活性層を形成する前に、基板層が薄化される。いくつかの実施形態では、ハンドルウエハの基板中に、第3の活性層が形成されてよい。いくつかの実施形態では、第1および第2の活性層が、これらの層のうちの一方中にMEMSデバイスを、他方中にCMOSデバイスを含む。

3. 发明专利

JP2017516428A 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハにおける超音波トランスデューサ並びに関連装置及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017516428A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017506631
申请日：2015-04-17
申请人：バタフライネットワーク,インコーポレイテッド , バタフライネットワーク,インコーポレイテッド
发明人：ロスバーグ，ジョナサン，エム． , ファイフ，キース，ジー． , サンチェス，ネバダ，ジェイ． , アリー，スーザン，エー．
IPC分类号： H04R19/00
CPC分类号： H01L27/0617 , A61B8/00 , A61B8/4494 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B06B2201/51 , B81B3/0021 , B81B7/0006 , B81B2201/0271 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L21/32134 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L21/76838 , H01L21/823871 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L2224/16225
摘要：相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ウェーハに形成される微小超音波トランスデューサと、このような装置の製造方法とを説明する。CMOSウェーハの金属化層は、超音波トランスデューサの空洞を作成するための犠牲剥離によって除去されてもよい。残った層が、超音波トランスデューサの膜を形成してもよい。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016176755A 半導体圧力センサおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2016176755A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055907
申请日：2015-03-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐藤公敏
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735
摘要：【課題】工程数を増やすことなく、圧力センサ全体の平面積を小さくすることが可能な半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1領域16の圧力センサの固定電極23bは第2領域17のトランジスタの第1電極23aと同一の層として形成される。第1領域16の圧力センサの空隙51は第2領域17のトランジスタの第2電極30cと同じ膜からなる部分である犠牲膜を除去することによって形成される。可動電極39は、固定電極23bに対して空隙51を介して可動電極39を支持する、犠牲膜が少なくとも部分的に開口されたアンカー部分を含む。アンカー部分のうち、第1のアンカー101は、可動電極39を平面視において複数の可動電極単体102に区画することにより、区画された複数の可動電極単体102のうち互いに隣り合う1対の可動電極単体102が同一の第1のアンカー101を共有するように配置される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其可以减少压力传感器的整个平面面积，而不增加工艺数量。解决方案：一种压力传感器的固定电极23b 第一区域16形成为与第二区域17中的晶体管的第一电极23a相同的层。第一区域16中的压力传感器的空隙51通过除去作为由其组成的部分的牺牲膜而形成膜作为第二区域17中的晶体管的第二电极30c。可移动电极39包括用于经由空隙51将可移动电极39支撑到固定电极23b的锚定部分，其中牺牲膜至少部分地被打开。在锚固部分中，第一锚固件101被布置成使得在平面图中将可动电极39分成多个可动电极元件102的情况下，在多个可分开的可动电极元件 102保持相同的第一锚101共同。选择图：图3

5. 发明专利

JP5792106B2 マイクロ電気機械システムセンサおよびその製造方法有权
标题翻译：微机电系统传感器，及其制造方法
公开(公告)号：JP5792106B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2012076790
申请日：2012-03-29
申请人：原相科技股▲分▼有限公司
发明人：王傳蔚 , 蔡明翰
IPC分类号： B81C3/00 , H01L29/84 , G01L9/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0021 , B81C1/00333 , G01L9/0073 , B81C2203/0118 , B81C2203/0735

6. 发明专利

JP2014115153A Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2014115153A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012268539
申请日：2012-12-07
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SATO KIMITOSHI
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： H01L29/84 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L27/0617
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor pressure sensor that can be easily manufactured and a method for manufacturing the same.SOLUTION: In a pressure sensor region 16 of a pressure sensor, fixed electrode 18a, a gap 51, and a movable electrode 30d are formed; and in a CMOS region 17, a memory cell transistor and a field effect transistor are formed. An etching hole 46b communicating with the gap 51 is sealed by a first sealing film 48b. The gap 51 is formed by removing a portion composed of the same film as that of a gate electrode 23a of the memory cell transistor. The movable electrode 30d is formed of the same film as that of gate electrodes 30c, 30a, and 30b.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易制造的半导体压力传感器及其制造方法。解决方案：在压力传感器，固定电极18a，间隙51和可动电极30d的压力传感器区域16中形成; 并且在CMOS区域17中，形成存储单元晶体管和场效应晶体管。与间隙51连通的蚀刻孔46b由第一密封膜48b密封。通过去除由与存储单元晶体管的栅电极23a相同的膜构成的部分来形成间隙51。可动电极30d由与栅电极30c，30a，30b相同的膜形成。

7. 发明专利

JP2011016219A Method of manufacturing mems device having low contact resistance, and device obtained by the same 有权
标题翻译：制造具有低接触电阻的MEMS器件的方法及其获得的器件
公开(公告)号：JP2011016219A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：JP2010139573
申请日：2010-06-18
申请人： Imec , Ku Leuven Research & Development , アイメックImec , カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメントK.U.Leuven Research & Development
发明人： JAIN AJAY , SEVERI SIMONE , CLAES GERT , HECK JOHN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming, between a silicon germanium layer and a layer connected to the silicon germanium layer, such as a CMOS metal layer or other silicon germanium layer, a low resistance contact passing through an opening in a dielectric layer stack for separating these two layers in an MEMS device.SOLUTION: An interface layer 14 as an intermediate layer is formed in the opening of the dielectric layer 6. The bottom of the opening and a sidewall of the opening are covered with the interface layer. The intermediate layer serves an interface between a silicon germanium MEMS electrode 8 and a silicon germanium structure layer 4 containing MEMS ingredients. The intermediately layer, namely, the interface layer 14 is composed of a TiN layer or a TaN layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在硅锗层和连接到诸如CMOS金属层或其它硅锗层之类的硅锗层的层之间形成通过电介质中的开口的低电阻接触的方法层叠堆叠，用于在MEMS器件中分离这两层。解决方案：在介电层6的开口中形成作为中间层的界面层14.开口的底部和开口的侧壁被界面层。中间层用于硅锗MEMS电极8和含有MEMS成分的硅锗结构层4之间的界面。中间层即界面层14由TiN层或TaN层构成。

8. 发明专利

JP4489651B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4489651B2
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：JP2005212243
申请日：2005-07-22
申请人：株式会社日立製作所
发明人：聖子山中 , 康後藤
IPC分类号： H01H59/00 , B81B3/00 , B81C1/00 , H01H1/06 , H01L21/8234 , H01L27/06
CPC分类号： H01H1/0036 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2203/0136 , B81C2203/0735 , H01H59/0009

9. 发明专利

JP2003530233A Micro-mechanical components and the corresponding manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP2003530233A
公开(公告)日：2003-10-14
申请号：JP2001575491
申请日：2001-03-22
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
发明人：ルッツマルクス , オッフェンベルクミヒャエル
IPC分类号： G01P15/08 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/20 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735
摘要： (57)【要約】本発明は、基板（１）；該基板の上に設けられたマイクロメカニカル作用平面（１００）；該マイクロメカニカル作用平面（１００）の上に設けられた被覆平面（２００）；及び該被覆平面（２００）の上に設けられた導電帯平面（３００）を有するマイクロメカニカル構成素子に関するものである。該被覆平面（２００）は、単結晶性領域（１４）を有しており、該単結晶性領域は、その下に存在する単結晶性領域（７；２４）の上でエピタキシャル成長しており、被覆平面（２００）は、多結晶性領域（１５）を有しており、該多結晶性領域は、同時にその下に存在する多結晶性開始層（１３）の上でエピタキシャル成長している。

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