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1. 发明专利

JP2016203366A 積層体中に微小電気機械構造を製造する方法及び微小電気機械構造を備える相応の電子素子审中-公开
标题翻译：用的方法和微机电结构对应在堆叠产生微机电结构的电子设备
公开(公告)号：JP2016203366A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016082397
申请日：2016-04-15
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：ハンスアートマン , アーントケルベラー , クリスティアンツィールケ , オリヴァーブライトシェーデル , ペーターボーウィンシュタッフェルト
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2203/0118 , B81C2201/014
摘要：【課題】積層体中に微小電気機械構造(ME1)を製造する方法及び微小電気機械構造を備える相応の電子素子を提供する。【解決手段】第1の表面(10)を有するキャリア基板(T1)を用意するステップと、第1の表面に絶縁層(I1)を被着するステップと、絶縁層に第1のシリコン層(S1)をエピタキシャル成長させるステップと、第1のシリコン層(S1)にトレンチ(G)を形成するステップと、第1のシリコン層をパッシベートするステップであってトレンチは充填され第1の表面とは反対側にパッシベーション層(P)が生じるステップと、パッシベーション層をパターニングするステップであって第1のシリコン層に犠牲領域(O1)と機能領域(F1)とが形成され犠牲領域はキャリア基板とは反対側で少なくとも部分的にパッシベーション層(P)から露出するステップと、最終的に犠牲領域を除去するステップとを備える。【選択図】図10
摘要翻译：用的方法和微机电结构在层压体的制造一个微机电结构（ME1）对应的电子设备。该方法包括：提供具有第一表面（10）的载体基板（T1），绝缘层（I1）的步骤沉积在第一表面上，所述第一硅层，以在绝缘层（（外延生长步骤S1中），相反的步骤和方法，包括钝化所述第一硅层的步骤的填充沟槽第一表面上形成在所述第一硅层中的沟槽（G）S1）钝化层的上侧（P）的工序时，与功能区域（F1），并在第一硅层上形成牺牲区域的牺牲区域（01）图案化钝化层的相对的载体基板的工序至少部分上包括将所述钝化层（P），以及去除所述牺牲最终区域的步骤的一侧。 .The 10

2. 发明专利

JP2016176755A 半導体圧力センサおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2016176755A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055907
申请日：2015-03-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐藤公敏
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735
摘要：【課題】工程数を増やすことなく、圧力センサ全体の平面積を小さくすることが可能な半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1領域16の圧力センサの固定電極23bは第2領域17のトランジスタの第1電極23aと同一の層として形成される。第1領域16の圧力センサの空隙51は第2領域17のトランジスタの第2電極30cと同じ膜からなる部分である犠牲膜を除去することによって形成される。可動電極39は、固定電極23bに対して空隙51を介して可動電極39を支持する、犠牲膜が少なくとも部分的に開口されたアンカー部分を含む。アンカー部分のうち、第1のアンカー101は、可動電極39を平面視において複数の可動電極単体102に区画することにより、区画された複数の可動電極単体102のうち互いに隣り合う1対の可動電極単体102が同一の第1のアンカー101を共有するように配置される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其可以减少压力传感器的整个平面面积，而不增加工艺数量。解决方案：一种压力传感器的固定电极23b 第一区域16形成为与第二区域17中的晶体管的第一电极23a相同的层。第一区域16中的压力传感器的空隙51通过除去作为由其组成的部分的牺牲膜而形成膜作为第二区域17中的晶体管的第二电极30c。可移动电极39包括用于经由空隙51将可移动电极39支撑到固定电极23b的锚定部分，其中牺牲膜至少部分地被打开。在锚固部分中，第一锚固件101被布置成使得在平面图中将可动电极39分成多个可动电极元件102的情况下，在多个可分开的可动电极元件 102保持相同的第一锚101共同。选择图：图3

3. 发明专利

JP2015129699A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015129699A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014001745
申请日：2014-01-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐藤公敏
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00166 , B81C1/00182
摘要：【課題】容易に製造することができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体基板11上に第1のウエル領域14と、固定電極となる第2のウエル領域12とを同時に形成する。第1及び第2のウエル領域上にそれぞれ第1のゲート絶縁膜22aと固定電極保護膜22bを同時に形成する。第1のゲート絶縁膜22aと固定電極保護膜22b上にそれぞれフローティングゲート電極23と犠牲膜23bを同時に形成する。フローティングゲート電極23と犠牲膜23b上にそれぞれ第2のゲート絶縁膜25a,27aと可動電極保護膜25b,27bを同時に形成する。第2のゲート絶縁膜25a,27aと可動電極保護膜25b,27b上にそれぞれゲート電極30cと可動電極30dを同時に形成する。犠牲膜23bを除去して空隙50を形成し、空隙50を真空封止して真空室51とする。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易制造半导体器件的方法。解决方案：作为固定电极的第一阱区域14和第二阱区域12同时形成在半导体衬底11上。第一栅极绝缘膜22a和固定电极保护膜22b分别同时形成在第一和第二阱区上。分别在第一栅极绝缘膜22a和固定电极保护膜22b上同时形成浮栅电极23和牺牲膜23b。第二栅极绝缘膜25a和27a以及可动电极保护膜25b和27b分别同时形成在浮栅电极23和牺牲膜23b上。在第二栅极绝缘膜25a，27a和可动电极保护膜25b，27b上同时形成栅电极30c和可动电极30d。去除牺牲膜23b以形成空气间隙50，并且将空气间隙50真空密封以形成真空室51。

4. 发明专利

JP5494861B2 Manufacturing methods and semiconductor dynamic quantity sensor of the semiconductor dynamic quantity sensor 有权
公开(公告)号：JP5494861B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2013080452
申请日：2013-04-08
申请人：株式会社デンソー
发明人：哲夫藤井 , 久則与倉 , 祐史樋口
IPC分类号： G01P15/125 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , H01L29/84
CPC分类号： H01L27/1203 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2201/047 , B81C1/00182 , G01C19/5755 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L21/84

5. 发明专利

JP5317231B2 Micromachined microphone and multi-sensor as well as methods of producing them, 有权
公开(公告)号：JP5317231B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2011164611
申请日：2011-07-27
申请人：アナログデバイシス, インコーポレイテッド
发明人：アール．マーティンジョン , ジェイ．ブロスニハンティモシー , コアクレイグ , ヌナントーマス , ウェイゴールドジェイソン , シンチャン
IPC分类号： H04R19/04 , H04R31/00
CPC分类号： H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
摘要： A microphone includes a diaphragm assembly supported by a substrate. The diaphragm assembly includes at least one carrier, a diaphragm, and at least one spring coupling the diaphragm to the at least one carrier such that the diaphragm is spaced from the at least one carrier. An insulator (or separate insulators) between the substrate and the at least one carrier electrically isolates the diaphragm and the substrate.

6. 发明专利

JP2012156401A Electrostatic capacitance type device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：静电电容型装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2012156401A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：JP2011015796
申请日：2011-01-27
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： TAURA TAKUMI , NAKATANI TOMOHIRO , OKUMURA MAKOTO , EDA KAZUO , GOTO KOJI , YACHI SHUICHI
IPC分类号： H01L29/84 , B81B3/00 , B81C3/00 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC分类号： G01P15/125 , B81C1/00182 , G01P15/0802 , G01P2015/0831 , G01P2015/0845
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic capacitance type device and a method of manufacturing the same that can suppress an effect on a device characteristic.SOLUTION: Penetration silicon portions 23a, 23b, 24a, 24b which are formed so as to penetrate through a fixed side substrate 2a and be exposed from both the surfaces of the fixed side substrate 2a are set as fixed electrodes 20a, 20b, 21a, 21b, and a metal film 25 is formed on the outer exposed faces of the penetration silicon portions 23a, 23b, 24a, 24b. A metal film 26 is formed at a site other than the outer exposed faces of the penetration silicon portions 23a, 23b, 24a, 24b on the surface of the fixed side substrate 2a so as to be spaced from the metal film 25. When a movable member substrate 1 and the fixed side substrate 2a are anodically joined to each other, a potential difference is applied between the fixed side substrate 2a and the movable member substrate 1 by using the metal films 25, 26, and the penetration silicon portions 23a, 23b, 24a, 24b and the movable member substrate 1 are set to have the same potential.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制对器件特性的影响的静电电容型器件及其制造方法。解决方案：形成为穿透固定侧基板2a并从固定侧基板2a的两个表面露出的贯穿硅部分23a，23b，24a，24b被设置为固定电极20a，20b， 21a，21b，并且在穿透硅部分23a，23b，24a，24b的外部暴露面上形成金属膜25。金属膜26形成在固定侧基板2a的表面上的贯通硅部23a，23b，24a，24b的外露出面以外的位置，以与金属膜25隔开。当可移动构件基板1和固定侧基板2a彼此阳极接合，通过使用金属膜25,26和贯通硅部23a，23b在固定侧基板2a和可动构件基板1之间施加电位差，24a，24b和可动构件基板1被设定为具有相同的电位。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2011254517A Micromachined microphone and multisensor, and method for producing same 有权
标题翻译： MICROMACHINED MICROPHONE AND MULTISENSOR，及其生产方法
公开(公告)号：JP2011254517A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：JP2011164611
申请日：2011-07-27
申请人： Analog Devices Inc , アナログデバイシス, インコーポレイテッド
发明人： JOHN R MARTIN , TIMOTHY J BRESNAHAN , CRAING CORE , THOMAS NUNAN , JASON WAYGOLD , CHANG SING
IPC分类号： H04R19/04 , H04R31/00
CPC分类号： H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a preferable microphone.SOLUTION: A method for forming a microphone comprises etching at least one trench on a substrate, partially depositing at least one sacrifice material in the at least one trench to form a backplate, forming a flexible diaphragm at least on a layer that can be removed by liquid etching, and adding a photoresist layer. In a part of the photoresist, a pedestal is formed between the diaphragm and the backplate to support the diaphragm, and the layer that can be removed by liquid etching is removed from the back face of the substrate via the at least one trench of the diaphragm before the photoresist is removed, and after at least a part of the layer is removed, the pedestal is removed.
摘要翻译：要解决的问题：提供优选的麦克风。解决方案：一种用于形成麦克风的方法包括蚀刻衬底上的至少一个沟槽，在所述至少一个沟槽中部分地沉积至少一个牺牲材料以形成背板，至少形成在可以通过液体蚀刻除去，并加入光致抗蚀剂层。在光致抗蚀剂的一部分中，在隔膜和背板之间形成基座以支撑隔膜，并且可以通过液体蚀刻去除的层通过隔膜的至少一个沟槽从基板的背面去除在去除光致抗蚀剂之前，并且在去除该层的至少一部分之后，移除基座。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2010540263A Carbon nanotube synthesis for the nanopore device 有权
公开(公告)号：JP2010540263A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：JP2010527989
申请日：2008-10-02
申请人：プレジデントアンドフェロウズオブハーバードカレッジPresident and Fellows of Harvard College
发明人：ガラジ，スラベン , ゴロフチェンコ，ジェン，エー． , サドキ，エル−ハディ，エス． , ブラサレフ，ディミター，エム． , ブラントン，ダニエル
IPC分类号： B82B3/00 , C01B31/02
CPC分类号： B81C1/00182 , G01N33/48721
摘要：ナノポアデバイスを作製する方法において、少なくとも１つのカーボンナノチューブ触媒領域を構造体上に形成する。触媒領域からの距離が、その触媒領域から合成されるカーボンナノチューブのおおよその予想長以下の距離で、複数のナノポアを構造体に形成する。続いて、少なくとも１つのカーボンナノチューブを触媒領域から合成する。この作製手順によって、ナノポアサイトにおいてカーボンナノチューブをその場で合成することができ、それによって１以上のナノチューブが、ナノチューブを手動で位置決定する必要なく、１以上のナノポアを接続する。
【選択図】図１Ｂ

10. 发明专利

JP2009250632A Semiconductor physical quantity sensor and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体物理量传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2009250632A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：JP2008095241
申请日：2008-04-01
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： YOKOYAMA KENICHI
IPC分类号： G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81C1/00182 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L27/12 , H01L28/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor physical quantity sensor not generating position deviation of a mask for forming a fixing part and an external output terminal, and to provide the semiconductor physical quantity sensor acquired by the manufacturing method.
SOLUTION: A side etching hole 22 is formed on a resist 20 so that at least a part used as an external output terminal 17 for the fixing part is separated from a part, excluding the part in a metal layer 19 in a domain enclosed by an opening part 21 for the fixing part. The metal layer 19 is subjected to side etching, by using the opening part 21 for the fixing part and the side etching hole 22 as starting points, to thereby form the external output terminal 17 for the fixing part on a fixed wiring part 15, and the external output terminal 17 for the fixing part is separated and electrically isolated from the metal layer 19 on the fixed wiring part 15.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体物理量传感器的制造方法，其不产生用于形成固定部件和外部输出端子的掩模的位置偏移，并且提供通过制造方法获取的半导体物理量传感器。解决方案：侧蚀刻孔22形成在抗蚀剂20上，使得用作固定部分的外部输出端子17的至少一部分与部分不同，该部分不包括域中的金属层19中的部分由用于固定部的开口部21包围。通过使用固定部分的开口部分21和侧面蚀刻孔22作为起点，对金属层19进行侧面蚀刻，从而在固定布线部分15上形成用于固定部分的外部输出端子17，以及固定部分的外部输出端子17被分离并与固定布线部分15上的金属层19电隔离。版权所有：（C）2010，JPO＆INPIT

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