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1. 发明专利

KR20210029286A KR20210029286A - Method for the permanent bonding of wafers 审中-公开
公开(公告)号：KR20210029286A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020217006520A
申请日：2011-01-25
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 토마스 플라흐 , 쿠르트 힝얼 , 마르쿠스 빔프링어 , 크리스토프 플뢰트겐
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/70 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 본 발명은, 제 1 기질의 제 1 접촉 표면(3)을 하기 단계들 특히, 하기 시퀀스에 따라 제 2 기질(2)의 제 2 접촉 표면(4)에 결합시키기 위한 결합 방법에 관한 것이고,
- 상기 제 1 접촉 표면(3)상의 표면층(6)내에 리저버(5)를 형성하는 단계,
- 제 1 추출물 또는 제 1 그룹의 추출물로 상기 리저버(5)를 적어도 부분적으로 충진하는 단계,
- 예비결합 연결부를 형성하기 위하여 상기 제 2 접촉 표면(4)과 제 1 접촉 표면(3)이 접촉하는 단계,
- 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면(3,4)들사이에 위치하고 상기 제 2 기질(2)의 반응층(7)내에 포함된 제 2 추출물과 제 1 추출물의 반응에 의해 강화되는 영구적인 결합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

2. 发明专利

KR102225764B1 KR102225764B1 - Method for the permanent bonding of wafers 有权
公开(公告)号：KR102225764B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020207008326A
申请日：2011-01-25
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 토마스 플라흐 , 쿠르트 힝얼 , 마르쿠스 빔프링어 , 크리스토프 플뢰트겐
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/70 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 본 발명은, 제 1 기질의 제 1 접촉 표면(3)을 하기 단계들 특히, 하기 시퀀스에 따라 제 2 기질(2)의 제 2 접촉 표면(4)에 결합시키기 위한 결합 방법에 관한 것이고,
- 상기 제 1 접촉 표면(3)상의 표면 층(6)내에 리저버(5)를 형성하는 단계,
- 제 1 추출물 또는 제 1 그룹의 추출물로 상기 리저버(5)를 적어도 부분적으로 충진하는 단계,
- 예비결합 연결부를 형성하기 위하여 상기 제 2 접촉 표면(4)과 제 1 접촉 표면(3)이 접촉하는 단계,
- 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면(3,4)들사이에 위치하고 상기 제 2 기질(2)의 반응 층(7)내에 포함된 제 2 추출물과 제 1 추출물의 반응에 의해 강화되는 영구적인 결합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

4. 发明专利

JP2018137455A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018137455A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2018054206
申请日：2018-03-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：高山徹 , 丸山純矢 , 水上真由美 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/10 , H01L27/32 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1266 , G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F1/1362 , G02F2001/13613 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L33/44 , H01L2227/326 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。【選択図】図13

5. 发明专利

JP6341190B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6341190B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2015242400
申请日：2015-12-11
申请人：株式会社デンソー
发明人：早川裕 , 与倉久則
IPC分类号： H01L29/84 , B81C3/00 , G01C19/5783 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00357 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00293 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251

6. 发明专利

JP2017191338A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017191338A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017130827
申请日：2017-07-04
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：高山徹 , 丸山純矢 , 後藤裕吾 , 桑原秀明 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H01L27/32 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要：【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。【解決手段】金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。【選択図】図12

7. 发明专利

JP2017523588A ウェハ接合のための表面封入审中-公开
公开(公告)号：JP2017523588A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016565670
申请日：2014-06-13
申请人：インテル・コーポレーション
发明人：ジュン、キミン , ラッチマディ、ウィリー , グラス、グレン , ムールティ、アーナンダ
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/161 , H01L21/02532 , H01L21/2007 , H01L21/56 , H01L21/76251 , H01L23/298 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L25/0657 , H01L25/50
摘要：封入層を用いるウェハ接合のための複数の技術が開示される。第1の半導体基板が提供される。次に、封入層が第1の半導体基板の上部に形成される。封入層は、酸化剤に曝露されると、安定酸化物を生成する封入材料で形成される。第1の接合層は、封入層の上部に形成される。次に、第2の半導体基板が提供される。第2の接合層は、第2の半導体基板の上部に形成される。その後、第1の半導体基板は、第1の接合層を第2の接合層に貼り付けることにより第2の半導体基板に接合される。

8. 发明专利

JP6155489B2 その後の分離を目的とした構造体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6155489B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2015530502
申请日：2013-09-03
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ランドルー, ディディアー
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T29/49822

9. 发明专利

JP6089252B2 無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス有权
标题翻译：过程用于制造用于射频应用或功率应用的电子设备和这样的装置
公开(公告)号：JP6089252B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013539237
申请日：2011-11-16
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ランドル, ディディエ , カペロ, ルチアナ , デスボネッツ, エリック , フィグエ, クリストフ , コノンチュク, オレグ
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/02
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254

10. 发明专利

JP2016222525A 単結晶基板から層を移動させるための方法审中-公开
标题翻译：用于层从单晶基板移动的方法
公开(公告)号：JP2016222525A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016096375
申请日：2016-05-12
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ルドヴィックエカルノ , ニコラスダヴァル , ナディアベンモハメド , フランソワブーツ , キャロルダヴィッド , イザベルゲラン
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/76251 , B28D5/00 , H01L21/02002 , H01L21/76254
摘要：【課題】単結晶基板から層を移動させるための新規な方法を提供する。【解決手段】本発明は、ドナー基板(1)と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板(2)へと層(11)を移動させるための方法であって、ドナー基板(1)を調達する工程であり、ドナー基板が結晶の第1の方向に配向されたノッチ及び層(11)を結合している脆弱領域(10)を有している、工程と、ドナー基板(1)をレシーバ基板(2)上へとボンディングする工程であり、層(11)に関して脆弱領域(10)とは反対のドナー基板の主表面(12)が、ボンディング界面のところにある、工程と、脆弱領域(10)に沿ってドナー基板(1)を切り離す工程とを含む方法において、ドナー基板(1)が、レシーバ基板(2)にボンディングされる主表面(12)上に、第2の方向に延びる原子ステップのアレイを有することを特徴とする、方法に関する。【選択図】図4
摘要翻译：本发明提供用于从所述单晶衬底移动的层的新方法。本发明涉及一种方法，用于从被称为施主衬底（1）单晶衬底移动到接收器衬底（2）的层（11），在采购的供体基板的工序（1）还有，供体基板具有2定向的凹口和接合到被减弱晶体（10）的区域中的层（11）的第一方向，步骤a，一个施主衬底（1）的接收基板（）接合的步骤到顶部的层（11）相对于弱化区（10）10的供体基底主表面（12）位于粘接界面，操作步骤，在薄弱区的对面（）包括断开施主衬底的步骤的方法（1）沿，所述施主衬底（1），在主表面上要被结合到接受衬底（2）（12），在第二方向上排列延伸的原子台阶并具有一个相关的方法。点域4

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