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2. 发明专利

JP2015500475A 流体中の物体の分析および選別有权
标题翻译：分析和排序在流体中的物体
公开(公告)号：JP2015500475A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014545297
申请日：2012-12-07
申请人：アイメックImec , カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven , カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven
发明人：リースベト・ラハエ , ペーテル・プーマンス , クリス・フェルストレーケン , ドリース・フェルクライセ , リウ・チョンシュン
IPC分类号： G01N15/14
CPC分类号： G06T7/0012 , G01N15/1434 , G01N15/1436 , G01N15/1463 , G01N15/147 , G01N15/1475 , G01N15/1484 , G01N2015/1445 , G01N2015/149 , G03H1/0443 , G03H1/22 , G03H2001/0033 , G03H2001/005 , G03H2001/0447 , G03H2222/33 , G03H2226/13 , G06K9/46 , G06K9/6267 , G06T7/20 , G06T2207/30004
摘要：流れる媒体中に浸漬された物体を選別するためのデバイス(1)が記載される。デバイスは、複数のホログラフィック撮像素子(2)を含むホログラフィック撮像ユニットと、対応するホログラフィック撮像素子(2)に沿って流れる媒体を案内するための複数のマイクロ流体チャネル(3)を含み、複数の出口(6)のうち選択した1つに、流れる媒体中の各物体を制御可能に方向付けるために、マイクロ流体チャネルでの撮像領域の下流に配置されたマイクロ流体スイッチ(5)を含む流体ハンドリングユニットと、を備える。デバイスはまた、物体の各々について得られ、少なくとも1つの所定の物体タイプの痕跡(signature)を考慮するホログラフィック回折像のリアルタイム特性評価に適合した処理ユニット(7)を備える。さらに処理ユニット(7)は、特性評価に応答してマイクロ流体スイッチ(5)を制御するように適合している。
摘要翻译：装置（1）一种用于在流动的介质分选对象浸泡描述。该装置包括一全息成像单元，其包括多个全息成像元件（2），多个用于引导沿着相应的全息成像元件中流动（2）的介质（3）的微流体通道的，包括所述多个出口中的所选择的一个（6），以可控地引导在流经位于成像区域的下游在微流体通道，微流体开关的介质的每个对象（5）包括流体处理单元。设备还可以针对每个对象获得的，包括适合于实时特性的至少一个预定对象类型的跟踪处理单元考虑的（签名）的全息衍射图（7）。进一步的处理单元（7）适于响应于所述表征来控制微流体开关（5）。

3. 发明专利

JP2014220496A トランジスタデバイスのゲート金属層を設ける方法および関連するトランジスタ有权
标题翻译：用于提供晶体管器件的栅极金属层的方法及相关晶体管
公开(公告)号：JP2014220496A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014086568
申请日：2014-04-18
申请人：アイメックImec , Imec
发明人： TOGO MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/28008 , H01L21/28097 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要：【課題】閾値電圧のより優れた制御を可能にする。【解決手段】ゲート誘電体層2とダミーゲート電極層とを備え且つスペーサ組311,321の内側側壁322により横方向に画定されるダミーゲート構造を基板上に設け、ダミーゲート構造を横方向に埋め込み、ダミーゲート電極層を除去し、スペーサ組の内側側壁間でダミーゲート電極層に置き換わる最終ゲート電極層を設ける。最終ゲート電極層を設ける工程では、連結拡散層(少なくともゲート誘電体層上、スペーサ組の内側側壁上、および少なくともダミー構造のための埋め込み層の前面の一部の上に延在しまたは存在する)を設け、拡散層4上に金属を含む金属層5を設け、金属の拡散層内への拡散を付勢するように且つゲート誘電体領域に対応する領域における拡散層部分に拡散層内の金属を拡散させるように調製されたアニールステップを施し、最終ゲート金属充填層を用いてスペーサ組の内側側壁間の領域を充填する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：更优选地控制阈值电压。解决方案：在衬底上，提供了一个虚拟栅极结构，其包括栅极电介质层2和虚拟栅极电极层，并且由侧壁322的内侧壁322沿横向限定间隔耦合器311和321.伪栅极结构被嵌入在横向方向上，去除虚拟栅极电极层并且在隔离物的内侧壁之间耦合，提供最终栅极电极层，其被虚拟栅极电极层。在提供最终栅极电极层的步骤中，提供连接的扩散层（其延伸或存在至少在栅极介电层上，在间隔物的内侧壁上并且在嵌入层的正面的一部分上用于虚拟结构），并且在扩散层4上设置含有金属的金属层5。然后，施加退火步骤，其被制备为激励金属扩散到扩散层中并将扩散层内的金属扩散到对应于栅极电介质区域的区域中的扩散层部分，并且在使用最终栅极金属填充层，填充间隔件对的内侧壁之间的区域。

4. 发明专利

JP2014212316A ショットキーダイオードおよび高電子移動度トランジスタを備えた半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：具有肖特基二极管和高电子移动晶体管的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2014212316A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014079460
申请日：2014-04-08
申请人：アイメックImec , Imec
发明人： STEFAAN DECOUTERE , SILVIA LENCI
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/66431 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要：【課題】ショットキーダイオードのターンオン電圧およびHEMTの閾値電圧が個別に調整可能である半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスは、III族−窒化物スタックの上に形成された、ショットキーダイオード(10)および高電子移動度トランジスタ(20)を備える。III族−窒化物スタックは、少なくとも下側および上側のIII族−窒化物層を備え、両者間にヘテロ接合を形成し、その結果、2DEG層(5)が2つの層の下側層に形成される。2DEG層は、ダイオードおよびHEMTの電荷キャリアとして機能する。ドープIII族−窒化物層が、ダイオードのアノードの一部とIII族−窒化物スタックとの間に存在する。前記一部は、ダイオードのショットキー接合とカソードとの間に設置される。追加のドープIII族−窒化物層が、HEMTのゲート電極とIII族−窒化物スタックとの間に存在する。前記III族−窒化物層の厚さは等しくない。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供其中可以单独调整肖特基二极管的接通电压和HEMT的阈值电压的半导体器件。解决方案：半导体器件包括肖特基二极管（10）和高电子迁移率晶体管（20）在III族氮化物叠层上。 III族氮化物堆叠包括至少下侧和上侧III族氮化物层，以在下侧和上侧氮化物层之间形成异质结，从而导致在两层的下侧形成2DEG层（5），其中2DEG层用作二极管和HEMT的电荷载体。所述半导体器件还包括：在所述二极管的阳极的一部分和所述III族氮化物叠层之间的掺杂的III族氮化物层，其中所述部分位于所述二极管的肖特基结和阴极之间; 以及在HEMT的栅电极和III族氮化物叠层之间的附加掺杂III族氮化物层。 III族氮化物层的厚度彼此不相等。

5. 发明专利

JP2014527296A Interdigitated electrode formation 有权
公开(公告)号：JP2014527296A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2014523312
申请日：2012-08-01
申请人：アイメックImec
发明人：バルトロミエイ・ヤン・バヴラク , バルトロミエイ・ソイカ
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/288 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：半導体基板に第１及び第２の相互嵌合型電極１８１、１８２を形成する方法であって、該方法は、半導体基板の裏面３０に誘電体層１５を設けること；この誘電体層に金属シード層１６を設けること；この金属シード層をレーザアブレーションによってパターニングし、これにより分離領域１７によって金属シード層を第１シード層１６１及び第２シード層１６２に分離すること、ここで第１シード層及び第２シード層は相互嵌合型で、電気的に互いに分離され；そして、めっきによって、第１シード層及び第２シード層を厚くし、これにより第１電極１８１及び第２電極１８２を形成することを備え、ここで、各シード層を厚くする前に、誘電体層１５は、例えばウェットエッチングによって分離領域１７において部分的に除去される。このことは、初期のレーザアブレーション・ステップに起因する再析した金属を除去し、ショートの危険性を減じる。この方法は、相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池の製造プロセスにおいて好適に使用可能である。

7. 发明专利

JP2014160072A Method and device for detecting analytes 审中-公开
标题翻译：用于检测分析仪的方法和装置
公开(公告)号：JP2014160072A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2014026918
申请日：2014-02-14
申请人： Imec , アイメックImec , Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： HILDE JANS , SHIOI MASAHIKO , KAROLIEN JANS , LAGAE LIESBET
IPC分类号： G01N21/65 , G01N33/543 , G01N33/66
CPC分类号： G01N21/658 , A61K49/0004 , G01N21/648
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method, device and system for determining an analyte concentration in a liquid or liquid sample.SOLUTION: A method comprises: preparing 201 a SERS substrate comprising receptor molecules capable of binding competitor molecules; contacting 202 the SERS substrate with a liquid sample comprising an analyte and the competitor molecules; irradiating 203 the SERS substrate with light from a light source while measuring 204 a SERS signal relating to the competitor molecules during the light irradiation; and determining 205 the analyte concentration in the liquid on the basis of the measured SERS signal level.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于确定液体或液体样品中分析物浓度的方法，装置和系统。方法：一种方法包括：制备201包含能够结合竞争分子的受体分子的SERS底物; 使SERS底物与包含分析物和竞争剂分子的液体样品接触202; 在来自光源的光下照射203SERS衬底，同时在光照射期间测量204与竞争剂分子相关的SERS信号; 并基于测量的SERS信号水平确定205液体中的分析物浓度。

8. 发明专利

JP2014146790A Method for evaluating shallow junctions for use in semiconductor devices 有权
标题翻译：用于评估在半导体器件中使用的微结点的方法
公开(公告)号：JP2014146790A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013269213
申请日：2013-12-26
申请人： Imec , アイメックImec
发明人： JEAN-LUC EVERAERT
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/14 , G01R31/2648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide quick and easy metrology evaluation capable of directly measuring the active dose and the average mobility of free carriers in a shallow junction for use in a semiconductor device.SOLUTION: Provided is a method comprising: a) forming a substrate comprising a shallow junction at a first main surface of the substrate, the shallow junction being formed substantially parallel to the first main surface; b) forming a dielectric layer on top of the first main surface; c) iterating at least two times a combination of iteration steps consisting of the step of providing and determining a value of each charge on a predetermined area of the dielectric layer with discharge means and the step of measuring a corresponding photovoltage for the predetermined area; and d) deriving at least one of measurement of an average hole/electron mobility and measurement of a dose of active dopants for the predetermined area of the substrate, from each charge and the corresponding junction photovoltage. Also provided is an associated computer program.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够直接测量用于半导体器件的浅结中自由载流子的活性剂量和平均迁移率的快速和容易的计量学评估。解决方案：提供一种方法，包括：a）形成基底包括在所述衬底的第一主表面处的浅结，所述浅结形成大致平行于所述第一主表面; b）在所述第一主表面的顶部上形成介电层; c）迭代至少两次迭代步骤的组合，所述迭代步骤包括以下步骤：提供和确定所述电介质层的预定区域上的每个电荷的值与放电装置的步骤，以及测量所述预定区域的对应的光电压的步骤; 以及d）从每个电荷和相应的结光电压导出平均空穴/电子迁移率的测量和衬底的预定区域中的活性掺杂剂的剂量的测量中的至少一个。还提供了相关联的计算机程序。

9. 发明专利

JP2014090159A Schottky diode structure and method of fabricating the same 有权
标题翻译：肖特基二极体结构及其制备方法
公开(公告)号：JP2014090159A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：JP2013189228
申请日：2013-09-12
申请人： Imec , アイメックImec
发明人： STEFAAN DECOUTERE , NICOLO RONCHI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/417 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/66212 , H01L29/66219 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure for reducing a leakage current when a Schottky diode is reverse biased.SOLUTION: An embodiment comprises: at least a lower III-nitride layer 4 and an upper III-nitride layer 5 forming a heterojunction therebetween, so that a 2DEG layer may be formed in the lower of the two layers; a cathode 8 forming an ohmic contact with the upper III-nitride layer; an anode 11 comprising a first portion 15 that forms a Schottky barrier contact with the upper III-nitride layer and a second portion 16 that is separated from the upper III-nitride layer by a layer 17 of dielectric material, the second portion being located between the anode and the cathode, the dielectric material being configured to pinch off the 2DEG layer in the reverse bias region of the diode, the first and second portions being directly adjoining; and a passivation area 7 isolating the anode and cathode from each other.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种当肖特基二极管反向偏置时减小漏电流的结构。解决方案：一个实施例包括：至少一个下部III族氮化物层4和一个上部III族氮化物层5，其间形成异质结，使得2DEG层可以形成在两层的下层中; 形成与上III族氮化物层的欧姆接触的阴极8; 阳极11包括与上III族氮化物层形成肖特基势垒接触的第一部分15和通过介电材料层17与上III族氮化物层分离的第二部分16，第二部分位于所述阳极和所述阴极，所述电介质材料被配置为在所述二极管的反向偏置区域中夹住所述2DEG层，所述第一和第二部分直接相邻; 以及将阳极和阴极彼此隔离的钝化区域7。

10. 发明专利

JP5487274B2 Software radio implementation for digital receiver 有权
公开(公告)号：JP5487274B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2012242881
申请日：2012-11-02
申请人：アイメックImec , サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
发明人：ブリューノ・ブガール
IPC分类号： H04B1/16
CPC分类号： H04B1/406 , Y02D70/12 , Y02D70/126
摘要： A digital receiver is disclosed. In one aspect, the receiver includes a receiving module for receiving packetized data. The receive may further include a first processing module for packet detection having a first programmable processor. The receiver may further include a second processing module for demodulation and packet decoding having a second programmable processor. The receiver may further include a first digital receive controller having a third processor arranged for being notified of detection of data by the first processing module and for activating the second processing module.

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