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1. 发明专利

JP2022001828A センサ及び電子装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022001828A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2020106260
申请日：2020-06-19
申请人：株式会社東芝
发明人：増西桂 , 冨澤泰 , 小川悦治 , 丸藤竜之介 , 加治志織 , 平賀広貴 , 宮崎史登
IPC分类号： G01P15/08 , H01L29/84 , G01P15/097
摘要：【課題】検出精度を向上できるセンサ及び電子装置提供する。【解決手段】実施形態によれば、センサは、基体と、基体に固定された第1支持部と、基体から離れた第1可動部と、を含む。第1可動部は、第1支持部に支持された第1可動基部と、第1可動基部と接続された第2可動基部と、第1可動梁と、を含む。第1可動梁は、第1梁と、第1可動導電部と、第1接続領域と、を含む。第1梁は、第1梁部分、第2梁部分、第1梁部分と第2梁部分との間の第3梁部分と、を含む。第1梁部分は、第1可動基部と接続される。第2梁部分は、第2可動基部と接続される。第1接続領域は、第3梁部分と第1可動導電部とを接続する。第1梁部分から第2梁部分への第1方向に沿う第1可動導電部の長さは、第1方向に沿う第1接続領域の長さよりも長い。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6970862B1 半導体力センサ有权
公开(公告)号：JP6970862B1
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2021517880
申请日：2020-12-04
申请人：北陸電気工業株式会社
发明人：林宏樹 , 奥村雄也 , 久々湊竜童
IPC分类号： H01L29/84 , G01L1/18
摘要：大きな静電気が発生しても、出力に異常が生じにくい半導体力センサを提供する。また、ゲル状保護剤があっても出力変動が小さい半導体力センサを提供する。半導体力センサ1は、半導体力センサ素子3と、力伝達手段を構成する球体5と、ケース7とを有している。半導体力センサ素子3は、ピエゾ抵抗効果を利用して力の変化を電気信号の変化に変換する変換部を備えたダイアフラム部9を有し、少なくともダイアフラム部9の表面が保護用絶縁膜11で覆われている。保護用絶縁膜11は、針入度が、球体5がダイアフラム部9上のゲル状保護剤17を押し広げて、球体5がダイアフラム部9の中央部と実質的に直接接触するように定められている、絶縁性を有するゲル状保護剤17で覆われている。ダイアフラム部9の中央部を中心として変換部を含む領域を覆うように、保護用絶縁膜11上に導電性のシールド層15が形成されている。

8. 发明专利

JP2021174809A 圧力センサおよび圧力センサアレイ审中-公开
公开(公告)号：JP2021174809A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020074976
申请日：2020-04-20
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：今村ちひろ , 池田典昭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L41/113 , H01L41/047 , G01L1/18 , H01L29/84
摘要：【課題】信頼性の高い圧力センサおよび圧力センサアレイを提供する。【解決手段】圧力センサは、薄膜トランジスタと共通配線とが設けられた絶縁性の基板上に、感圧層、共通電極が順に積層され、共通電極と共通配線とは、少なくとも一部の領域が感圧層上に形成された転移配線を介して接続されており、共通電極の平均膜厚が、転移配線の感圧層上の平均膜厚よりも厚く、共通電極と感圧層上の転移配線との平均膜厚差が、[(共通電極の平均膜厚×0.1)+(転移配線の平均膜厚×0.1)]以上である。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2021173536A 慣性センサー、電子機器、及び移動体审中-公开
公开(公告)号：JP2021173536A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020074593
申请日：2020-04-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：永田和幸
IPC分类号： H01L29/84 , B81B3/00 , G01P15/08
摘要：【課題】可動体と突起との接触を感知できる慣性センサー、電子機器、及び移動体を提供する。【解決手段】慣性センサー1は、基板と、基板に配置される固定電極と、固定電極に対して変位可能で、第1部分と、固定電極に対向する第2部分と、に電極を有する可動体を含む素子部と、可動体の変位量を規制し、可動体の第1部分に対向する部分に検知電極を有する突起と、素子部に駆動信号を出力する駆動回路68と、可動体の第1部分の電極と突起の検知電極との接触により検知信号を出力する接触検知回路80と、接触検知回路から検知信号を受信すると、素子部にテスト信号を出力する自己診断回路81と、素子部がテスト信号を受けて出力する信号のレベルが閾値を超えたかどうかを判定する判定回路83と、を備える。【選択図】図4

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