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1. 发明专利

JP2019145612A 半導体モジュール及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145612A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018027138
申请日：2018-02-19
申请人：富士電機株式会社 , DOWAメタルテック株式会社
发明人：西田祐平 , 百瀬文彦 , 出野尭 , 北村征寛
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/28 , H01L23/15
摘要：【課題】絶縁性基板と封止樹脂との接合性がより向上した半導体モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体モジュール50は、絶縁性基板23と、該絶縁性基板上に形成された回路パターン24と、該回路パターン上に接合された半導体素子25,26と、前記絶縁性基板、前記回路パターン及び前記半導体素子を封止する封止樹脂28とを備えている。そして、前記絶縁性基板と前記封止樹脂とが密着した部分における前記絶縁性基板の表面23aは、前記絶縁性基板の断面において、幅300μmの範囲で求めた平均粗さが0.15μm以上であり、幅3μmの範囲で求めた平均粗さが0.02μm以上であることを特徴とする。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019067845A 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019067845A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017189598
申请日：2017-09-29
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭
IPC分类号： H05K3/00 , H01L23/12
摘要：【課題】金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターン12を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6400422B2 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6400422B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014206670
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , C04B37/02
CPC分类号： C04B37/02 , H01L23/12 , H01L2924/0002 , H05K3/24 , H05K3/38 , H01L2924/00

4. 发明专利

JP2016076603A 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金属陶瓷电路板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016076603A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206068
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： C04B37/02 , H05K3/18 , H05K3/20
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムからなるセラミックス基板10を酸化してセラミックス基板10の表面(少なくとも一方の面)に酸化層12を形成した後、この酸化層12上に活性金属含有ろう材14を塗布し、この活性金属含有ろう材14上に金属板15を配置し、活性金属含有ろう材14と酸化層12を介して金属板16をセラミックス基板10に接合し、その後、活性金属含有ろう材14の露出面にめっき皮膜18を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属陶瓷电路板，其中金属板通过含活性金属的钎焊材料与陶瓷基板接合，并且可以充分地抑制迁移的发生，并提供其制造方法解决方案：在由氮化铝制成的陶瓷基板10的表面（至少一个表面）上形成氧化物层12之后，通过氧化陶瓷基板10，将含活性金属的钎焊材料14施加到氧化物层12上在含有活性金属的钎料14上配置有金属板15，通过含有活性金属的钎料14和氧化物层12将金属板16接合到陶瓷基板10上，形成镀膜18 在含活性金属的钎料14的暴露表面上。选择的图：图1

5. 发明专利

JP6799479B2 金属−セラミックス回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6799479B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2017040825
申请日：2017-03-03
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 尾崎歩 , 小林幸司
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , B23K35/30 , C22C5/06 , C04B37/02

6. 发明专利

JP2018145047A 金属−セラミックス回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018145047A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017040825
申请日：2017-03-03
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 尾崎歩 , 小林幸司
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , B23K35/30 , C22C5/06 , C04B37/02
CPC分类号： H05K3/022 , B23K1/0016 , B23K2101/42 , B23K2201/42 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L21/4871 , H01L23/3735 , H05K1/0306 , H05K3/06 , H05K3/067 , H05K3/26 , H05K3/38 , H05K2201/0769 , H05K2201/09845
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる金属−セラミックス回路基板を製造することができる方法の提供。【解決手段】セラミックス基板10の少なくとも一方の面に、銀を含む活性金属含有ろう材12を介して銅板14を接合した後、銅板14と活性金属含有ろう材12の不要部分を除去し、その後、化学研磨により銅板14の側面部から活性金属含有ろう材12がはみ出すように銅板14の不要部分を除去し、この化学研磨によって銅板14の表面に付着した銀層18を除去する金属−セラミックス回路基板の製造方法。【選択図】図1G

7. 发明专利

JP2019067854A 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019067854A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017189941
申请日：2017-09-29
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭
IPC分类号： H05K3/00 , H01L23/12
摘要：【課題】金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面の略全面に、活性金属含有ろう材を塗布し、このろう材上に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して回路パターン12を形成するとともに、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去し、その後、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6162986B2 金属−セラミックス回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6162986B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2013054595
申请日：2013-03-18
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 工藤史文 , 北村征寛
IPC分类号： C23F1/00 , H05K3/28 , G01N33/00 , C23F11/00

9. 发明专利

JP2016074565A 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金属陶瓷电路板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016074565A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206670
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , C04B37/02
CPC分类号： C04B37/02 , H01L23/12 , H05K3/24 , H05K3/38 , H01L2924/0002
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】活性金属含有ろう材12によりセラミックス基板10に金属板14が接合した金属−セラミックス回路基板において、主に活性金属含有ろう材の活性金属とセラミックス基板のセラミックスとの反応生成物からなる反応生成物層12aがセラミックス基板上に形成され、主に活性金属含有ろう材の活性金属以外の金属からなる金属層12bが反応生成物と金属板との間に形成され、反応生成物層が金属層の側面からはみ出してフィレットを形成し、金属層と反応生成物層(好ましくは金属板と金属層と反応生成物層)の露出面にめっき皮膜が形成されている。【選択図】図1K
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属陶瓷电路板，其中通过用含活性金属的钎料将金属板与陶瓷板接合而获得的金属陶瓷电路板中能够充分抑制迁移的产生，及其制造方法。解决方案：在通过活性金属的钎料12将金属板14与陶瓷基板10接合而成的金属陶瓷电路基板中，由反应产物主要在含有活性金属的钎料的活性金属和陶瓷板的陶瓷之间形成主要由含活性金属的钎料的活性金属以外的金属制成的金属层12 在反应产物和金属板之间形成金属，反应产物层从金属层的侧面膨胀形成圆角，并且在金属1a的暴露面上形成镀膜 yer和反应产物层（优选地，金属板和金属层之间的反应产物层）。选择的图：图1K

10. 发明专利

JP2016051778A 金属−セラミックス接合基板审中-公开
标题翻译：金属陶瓷接合基板
公开(公告)号：JP2016051778A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014175668
申请日：2014-08-29
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：北村征寛 , 尾崎歩 , 出野尭
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36 , C04B37/02 , H01L23/13
摘要：【課題】放熱性に優れた窒化アルミニウムからなるセラミックス基板と金属板としての銅板または銅合金板との接合強度に優れるとともに、耐ヒートサイクル特性に優れた金属−セラミックス接合基板を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムからなるセラミックス基板10の各々の面に(好ましくはろう材12を介して)金属板(金属回路板14と放熱用金属板16)として銅板または銅合金板が接合された金属−セラミックス接合基板において、セラミックス基板の厚さが0.25〜0.45mm、金属板の厚さが0.20〜0.28mmである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种金属陶瓷接合基材，其具有优异散热性的氮化铝陶瓷基板和作为金属板的铜板或铜合金板之间的结合强度，并且耐热循环性优异特征。解决方案：在金属陶瓷接合衬底中，将作为金属板的铜板或铜合金板（金属电路板14和散热金属板16）接合到由铝制成的陶瓷衬底10的每个表面上氮化物（优选通过钎焊填料12）。在金属陶瓷键合衬底中，陶瓷衬底的厚度为0.25-0.45mm，金属板的厚度为0.20-0.28mm。选择图1：

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