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1. 发明专利

JP6304923B2 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6304923B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2012253812
申请日：2012-11-20
申请人： DOWAメタルテック株式会社 , 株式会社トクヤマ
发明人：小山内英世 , 北村征寛 , 青木洋人 , 金近幸博 , 菅原研 , 武田靖子
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/38 , C04B37/02

2. 发明专利

JP6681693B2 窒化アルミニウム粉末の製造方法有权
公开(公告)号：JP6681693B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2015212251
申请日：2015-10-28
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：丸山昂洋 , 結城整哉 , 北村征寛 , 小山内英世
IPC分类号： C01B21/072

3. 发明专利

JP2019145612A 半導体モジュール及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145612A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018027138
申请日：2018-02-19
申请人：富士電機株式会社 , DOWAメタルテック株式会社
发明人：西田祐平 , 百瀬文彦 , 出野尭 , 北村征寛
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/28 , H01L23/15
摘要：【課題】絶縁性基板と封止樹脂との接合性がより向上した半導体モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体モジュール50は、絶縁性基板23と、該絶縁性基板上に形成された回路パターン24と、該回路パターン上に接合された半導体素子25,26と、前記絶縁性基板、前記回路パターン及び前記半導体素子を封止する封止樹脂28とを備えている。そして、前記絶縁性基板と前記封止樹脂とが密着した部分における前記絶縁性基板の表面23aは、前記絶縁性基板の断面において、幅300μmの範囲で求めた平均粗さが0.15μm以上であり、幅3μmの範囲で求めた平均粗さが0.02μm以上であることを特徴とする。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6162986B2 金属−セラミックス回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6162986B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2013054595
申请日：2013-03-18
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 工藤史文 , 北村征寛
IPC分类号： C23F1/00 , H05K3/28 , G01N33/00 , C23F11/00

5. 发明专利

JP2016051778A 金属−セラミックス接合基板审中-公开
标题翻译：金属陶瓷接合基板
公开(公告)号：JP2016051778A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014175668
申请日：2014-08-29
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：北村征寛 , 尾崎歩 , 出野尭
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36 , C04B37/02 , H01L23/13
摘要：【課題】放熱性に優れた窒化アルミニウムからなるセラミックス基板と金属板としての銅板または銅合金板との接合強度に優れるとともに、耐ヒートサイクル特性に優れた金属−セラミックス接合基板を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムからなるセラミックス基板10の各々の面に(好ましくはろう材12を介して)金属板(金属回路板14と放熱用金属板16)として銅板または銅合金板が接合された金属−セラミックス接合基板において、セラミックス基板の厚さが0.25〜0.45mm、金属板の厚さが0.20〜0.28mmである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种金属陶瓷接合基材，其具有优异散热性的氮化铝陶瓷基板和作为金属板的铜板或铜合金板之间的结合强度，并且耐热循环性优异特征。解决方案：在金属陶瓷接合衬底中，将作为金属板的铜板或铜合金板（金属电路板14和散热金属板16）接合到由铝制成的陶瓷衬底10的每个表面上氮化物（优选通过钎焊填料12）。在金属陶瓷键合衬底中，陶瓷衬底的厚度为0.25-0.45mm，金属板的厚度为0.20-0.28mm。选择图1：

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