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2. 发明专利

JPWO2014148534A1 接合体及びその製造方法审中-公开
标题翻译：组件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014148534A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015506820
申请日：2014-03-19
申请人：日本碍子株式会社
发明人：有仁枝泉 , 有仁枝泉 , 義政小林 , 義政小林 , 森本　健司 , 健司森本 , 川崎　真司 , 真司川崎
IPC分类号： C04B37/02
CPC分类号： C04B37/026 , B23K20/16 , B23K20/22 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/28 , B23K35/32 , B23K35/325 , B23K2203/02 , B23K2203/08 , B23K2203/12 , B23K2203/14 , B23K2203/172 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , B23K2203/52 , B32B3/12 , B32B7/04 , B32B9/005 , B32B15/04 , B32B2305/024 , C04B35/01 , C04B35/111 , C04B35/12 , C04B35/26 , C04B35/45 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B37/003 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B37/023 , C04B37/025 , C04B38/0016 , C04B2235/3227 , C04B2237/06 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/597 , C04B2237/61 , C04B38/0074
摘要：接合体20は、多孔質のセラミックスからなる多孔質セラミックス22と、金属からなる金属部材24と、多孔質セラミックス22の細孔23の内部に侵入しこの多孔質セラミックス22と金属部材24とを接合する酸化物セラミックスの接合部30と、を備えている。この酸化物セラミックスが多孔質セラミックスの細孔に侵入した深さは、10μm以上であるこのが好ましく、15μm以上50μm以下の範囲であることがより好ましい。この接合体20は、多孔質セラミックスと金属部材との間に金属原料を配置し、大気中400℃以上900℃以下の範囲で焼成することにより、金属原料の酸化した酸化物セラミックが多孔質セラミックスの細孔内に侵入した接合部を作製する接合工程、により作製することができる。
摘要翻译：组件20被接合到由多孔质陶瓷，由金属制成的金属部件24的多孔陶瓷22中，渗透到孔隙中的多孔陶瓷22和多孔陶瓷22的23和金属部件24 氧化物陶瓷的和结点30，和一个。渗透到多孔陶瓷的孔隙中的氧化物陶瓷的深度，这是优选为10μm以上，更优选为50μm以下的15微米的范围内的。所述组件20包括金属部件之间的多孔陶瓷和设置金属材料，并在空气中在一个范围小于900℃400℃或更高的烘烤，氧化物陶瓷多孔陶瓷氧化的金属材料它可以是一种制造关节已经通过进入孔的预制结合步骤。

3. 发明专利

JP5865921B2 回路基板およびそれを用いた電子装置有权
标题翻译：电路板和使用其的电子设备
公开(公告)号：JP5865921B2
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：JP2013552397
申请日：2012-12-10
申请人：京セラ株式会社
发明人：新納範高
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/09 , H01L23/13
CPC分类号： H01L23/3735 , C04B35/645 , C04B37/026 , H05K3/388 , C04B2235/6567 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/407 , C04B2237/59 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0306 , H05K2201/0338

5. 发明专利

JP2015209356A 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法有权
标题翻译：用于制造接合体的方法和用于产生功率模块的基板的方法
公开(公告)号：JP2015209356A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014091955
申请日：2014-04-25
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸 , 長友義幸
IPC分类号： H01L23/40 , B23K1/00 , B23K1/19 , B23K1/20 , C04B37/02
CPC分类号： C04B37/026 , B23K1/00 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K35/302 , C04B37/02 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , H01L23/40 , B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , C04B2237/124 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , C22C24/00 , C22C28/00 , H01L2924/0002
摘要：【課題】セラミックス部材とCu部材とを良好に接合することができる接合体の製造方法、及び、セラミックス部材とCu部材とを強固に接合したパワーモジュール用基板を提供することを目的とする。【解決手段】セラミックス部材21の一面21a側に、ろう材22、金属活性材23、およびCu部材24を順に積層し、加熱処理によって接合体26を形成する。ろう材22としては、Cuと、このCuと共晶反応する共晶元素とを含むろう材を用いる。共晶元素としては、Ca,Ge,Sr,Sn,Sb,Ba,La,Ce,Alのうちから選択される1種または2種以上の元素から選択される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够使陶瓷构件和Cu构件彼此有利地接合的接合体的制造方法，并且提供具有陶瓷构件和Cu构件彼此强烈接合的功率模块用基板。解决方案：接合体26通过在陶瓷构件21的一个表面21a上依次层叠钎料金属22，金属活性物质23和Cu构件24而进行热处理。钎料22使用包含Cu的钎料和与Cu共晶反应的共晶元素。共晶元素选自Ca，Ge，Sr，Sn，Sb，Ba，La，Ce和Al中的一种或两种以上的元素。

6. 发明专利

JP2015193528A 複合体、ハニカム構造体及び複合体の製造方法审中-公开
标题翻译：复合体，蜂窝结构和生产复合体的方法
公开(公告)号：JP2015193528A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015042860
申请日：2015-03-04
申请人：日本碍子株式会社
发明人：泉有仁枝 , 小林義政
IPC分类号： C04B37/02 , C04B41/87
CPC分类号： H01B1/08 , B32B3/12 , C04B35/2608 , C04B38/0006 , H01M8/2435 , B32B2250/02 , B32B2307/202 , C04B2235/40 , C04B2235/6583 , C04B2237/06 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/365 , C04B2237/405 , C04B2237/86 , C04B2237/88 , Y02P70/56 , Y10T428/24149
摘要：【課題】導電性及び基材と形成部との付着性のより良好な新規な複合体及びその製造方法の提供。【解決手段】基材122と、ペロブスカイト型酸化物とこのペロブスカイト型酸化物とは異なる金属酸化物とを含む複合相からなり基材上に形成された形成部130と、を備えている複合体120。複合体120は、例えば、基材122上に化合物粉末と金属粉末とを含む無機原料粉末を配置した積層体を、酸化性雰囲気下で焼成し、ペロブスカイト型酸化物とペロブスカイト型酸化物とは異なる金属酸化物とを含む複合相からなり基材上に形成された形成部130を形成する形成工程、を含む製造方法で製造されたものとしてもよい。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在基材和形成部分之间更好地导电性和粘合性的新型复合体及其制造方法。解决方案：提供一种复合体120，其具备基材122，以及形成部130，其由包含钙钛矿型氧化物和不同于钙钛矿型氧化物的金属氧化物构成的复合相构成，形成在基材上。复合体120可以例如通过包括形成阶段的制造方法来制造，其中在氧化气氛中将包含化合物粉末和金属粉末的无机原料粉末排列的层叠体形成由钙钛矿型制成的成形部130 氧化物和不同于钙钛矿型氧化物的金属氧化物，并形成在基材上。

7. 发明专利

JP2015065423A 接合体及びパワーモジュール用基板有权
标题翻译：电源模块接合体和基板
公开(公告)号：JP2015065423A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014165909
申请日：2014-08-18
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸 , 長友義幸
IPC分类号： C04B37/02 , H01L23/12 , H01L23/36
CPC分类号： H05K1/09 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3026 , B23K35/325 , C04B37/02 , C22C14/00 , C22C9/00 , C22C9/02 , H01L21/4882 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H05K1/0306 , C04B2237/124 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , H01L2224/32225 , H01L23/473 , H01L2924/0002
摘要：【課題】セラミックス部材とCu部材とが良好に接合され、かつ、冷熱サイクルが負荷された際に、セラミックス部材にクラックが発生することを抑制できる接合体、及びパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミックスからなるセラミックス部材11と、Cu又はCu合金からなるCu部材12とがCu−P−Sn系ろう材及びTi材を介して接合された接合体10であって、前記セラミックス部材と前記Cu部材との接合界面には、SnがCu中に固溶したCu−Sn層が形成され、このCu−Sn層中には、P及びTiを含有する金属間化合物が分散している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中陶瓷构件和Cu构件良好接合的接合体，并且当进行冷却/加热循环负载时，可以抑制在陶瓷构件中发生裂纹，并且还提供用于电源模块的基板。解决方案：公开了一种接合体10，其中由陶瓷制成的陶瓷构件11和由Cu或Cu合金制成的Cu构件12通过Cu-P-Sn钎料和Ti材料接合。在陶瓷构件和Cu构件之间的接合界面上形成有Cu固溶于Cu的Cu-Sn层，并且在该Cu-Sn层中，含有P和Ti的金属间化合物被分散。

8. 发明专利

JP2015043393A 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法有权
标题翻译：制造接合结构的方法以及用于制造功率模块的基板的方法
公开(公告)号：JP2015043393A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2013175003
申请日：2013-08-26
申请人：三菱マテリアル株式会社 , Mitsubishi Materials Corp
发明人： TERASAKI NOBUYUKI , NAGATOMO YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36
CPC分类号： H01L21/4846 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/362 , C04B2237/12 , C04B2237/124 , C04B2237/32 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/40 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】セラミックス部材とCu部材とを良好に接合することができる接合体の製造方法、及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】Pを3mass%以上10mass%以下含有するCu−P系ろう材と、活性金属材とを介して、セラミックス部材11とCu部材12とを積層する積層工程と、積層された前記セラミックス部材及び前記Cu部材を加熱処理する加熱処理工程と、を備えていることを特徴とする接合体の製造方法。前記積層工程において、前記セラミックス部材側に前記Cu−P系ろう材を配置し、前記Cu部材側に前記活性金属材を配置することが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许陶瓷构件和Cu构件良好地接合在一起的接合结构的制造方法; 以及用于制造功率模块用基板的方法。解决方案：一种用于制造接合结构的方法，包括：层压步骤，用于通过活性金属材料和Cu-P基层压层压Cu构件12和陶瓷构件11 包括3-10质量％的P的钎料; 以及对陶瓷构件和Cu构件的所得层压进行热处理的热处理步骤。优选的是，在层叠工序中，将Cu-P系钎料放在陶瓷部件的侧面，将活性金属材料放在Cu部件侧。

9. 发明专利

JP2014216210A 放電防止構造体审中-公开
标题翻译：排放预防结构
公开(公告)号：JP2014216210A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013093188
申请日：2013-04-26
申请人：株式会社日立製作所 , Hitachi Ltd
发明人： TAGUCHI MASAMITSU , NAITO TAKASHI , KAJIWARA SATORU
IPC分类号： H01H33/662 , C04B37/02 , H02B13/02
CPC分类号： H01H33/666 , C04B2237/10 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/343 , C04B2237/40 , C04B2237/765 , C04B2237/88 , H01H2033/6665
摘要：【課題】メタライズ部での電界集中を緩和して放電を防止する。【解決手段】メタライズ部を有するセラミックス部材と、前記メタライズ部と接する金属部材と、前記セラミックス部材と前記金属部材とを接合するろう材とを備えた放電防止構造体において、Vを含み導電性を有するガラスで前記メタライズ部の先端を被覆する肉盛部を形成する。また、メタライズ部を有するセラミックス部材と、前記メタライズ部と接する金属部材と、前記セラミックス部材と前記金属部材とをろう材で接合する放電防止構造体の製造方法において、Vを含み導電性を有するガラスをガラス転移点以上、結晶化温度未満に加熱する工程と、前記メタライズ部の先端を被覆する肉盛部を形成する工程を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过降低金属化部分的电场浓度来防止放电。解决方案：在具有金属化部分的陶瓷构件的放电防止结构中，与金属化部分接触的金属构件和用于接合陶瓷构件和金属构件的钎焊材料，形成用于用包含V的导电玻璃覆盖金属化部分的尖端的组合部分。在制造具有金属化部分的陶瓷构件的方法中，与金属化部分接触的金属构件以及将陶瓷构件和金属构件与钎焊材料接合的防止排除结构的方法，加热导电玻璃含有V至高于玻璃化转变温度并低于结晶温度的温度，并且提供形成用于覆盖金属化部分的尖端的积层部分的工艺。

10. 发明专利

JPWO2012102267A1 回路基板、及びそれを用いた半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2012102267A1
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2012554801
申请日：2012-01-24
申请人：株式会社日立製作所
发明人：俊章守田 , 俊章守田 , 英一井出 , 英一井出 , 雄亮保田 , 雄亮保田 , 拓司安藤 , 拓司安藤
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/36
CPC分类号： H01L25/0655 , C04B35/645 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2235/407 , C04B2235/54 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/54 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29139 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要：本発明は、製造時の熱応力ないし熱ひずみを軽減し、低熱抵抗,低コストの回路基板およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的とし、窒化物を含むセラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に接合層を介して接合された回路配線板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合層を介して接合された金属支持部材と、を備え、前記接合層が銀または銅を含む焼結体であり、前記セラミックス基板と前記焼結体の接合界面に酸化物層を有し、前記酸化物層は前記セラミックス基板側が多結晶層で構成され、前記焼結体側が非晶質層で構成される回路基板を特徴とする。

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