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1. 发明专利

JP2016074565A 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金属陶瓷电路板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016074565A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206670
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , C04B37/02
CPC分类号： C04B37/02 , H01L23/12 , H05K3/24 , H05K3/38 , H01L2924/0002
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】活性金属含有ろう材12によりセラミックス基板10に金属板14が接合した金属−セラミックス回路基板において、主に活性金属含有ろう材の活性金属とセラミックス基板のセラミックスとの反応生成物からなる反応生成物層12aがセラミックス基板上に形成され、主に活性金属含有ろう材の活性金属以外の金属からなる金属層12bが反応生成物と金属板との間に形成され、反応生成物層が金属層の側面からはみ出してフィレットを形成し、金属層と反応生成物層(好ましくは金属板と金属層と反応生成物層)の露出面にめっき皮膜が形成されている。【選択図】図1K
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属陶瓷电路板，其中通过用含活性金属的钎料将金属板与陶瓷板接合而获得的金属陶瓷电路板中能够充分抑制迁移的产生，及其制造方法。解决方案：在通过活性金属的钎料12将金属板14与陶瓷基板10接合而成的金属陶瓷电路基板中，由反应产物主要在含有活性金属的钎料的活性金属和陶瓷板的陶瓷之间形成主要由含活性金属的钎料的活性金属以外的金属制成的金属层12 在反应产物和金属板之间形成金属，反应产物层从金属层的侧面膨胀形成圆角，并且在金属1a的暴露面上形成镀膜 yer和反应产物层（优选地，金属板和金属层之间的反应产物层）。选择的图：图1K

2. 发明专利

JP6400422B2 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6400422B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014206670
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , C04B37/02
CPC分类号： C04B37/02 , H01L23/12 , H01L2924/0002 , H05K3/24 , H05K3/38 , H01L2924/00

3. 发明专利

JP2016076603A 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金属陶瓷电路板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016076603A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206068
申请日：2014-10-07
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小林幸司 , 沢辺明朗 , 出野尭 , 風呂正博
IPC分类号： C04B37/02 , H05K3/18 , H05K3/20
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムからなるセラミックス基板10を酸化してセラミックス基板10の表面(少なくとも一方の面)に酸化層12を形成した後、この酸化層12上に活性金属含有ろう材14を塗布し、この活性金属含有ろう材14上に金属板15を配置し、活性金属含有ろう材14と酸化層12を介して金属板16をセラミックス基板10に接合し、その後、活性金属含有ろう材14の露出面にめっき皮膜18を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属陶瓷电路板，其中金属板通过含活性金属的钎焊材料与陶瓷基板接合，并且可以充分地抑制迁移的发生，并提供其制造方法解决方案：在由氮化铝制成的陶瓷基板10的表面（至少一个表面）上形成氧化物层12之后，通过氧化陶瓷基板10，将含活性金属的钎焊材料14施加到氧化物层12上在含有活性金属的钎料14上配置有金属板15，通过含有活性金属的钎料14和氧化物层12将金属板16接合到陶瓷基板10上，形成镀膜18 在含活性金属的钎料14的暴露表面上。选择的图：图1

4. 发明专利

JP2021075402A 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021075402A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019200684
申请日：2019-11-05
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：寺本祐基 , 小林幸司
IPC分类号： H01L23/12 , B23K35/30 , C22C9/00 , B23K1/19 , B23K1/00 , B23K31/02 , H05K3/38 , C04B37/02
摘要：【課題】従来よりも低い荷重を加えながら低い温度で加熱しても、銅板をセラミックス基板に良好に接合することができる、金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属成分として活性金属のみを含む活性金属材12と、金属成分として活性金属以外の金属のみを含み且つPを含むろう材14を用意し、活性金属材12の金属成分とろう材14の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材12の金属成分の質量の割合を5質量%以下として、セラミックス基板10の一方の面に活性金属材12を配置するとともに、銅板16の一方の面にろう材14を配置し、セラミックス基板10と銅板16とを、活性金属材12とろう材14が当接するように配置した後、セラミックス基板10と銅板16との間に0.005〜0.5kgf/cm 2 の荷重を加えながら780〜890℃で加熱してセラミックス基板10に銅板16を接合する。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2021003885A 金属板の接合体およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021003885A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2020109338
申请日：2020-06-25
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：山本晃生 , 小山内英世 , 増▲崎▼ 大悟 , 小林幸司
IPC分类号： B32B15/01 , B32B37/06 , H01L23/12 , C04B37/02 , B23K20/00 , B32B37/10
摘要：【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる2枚の金属板が十分な接合強度で接合した安価な且つ変形が小さい金属板の接合体およびその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第1の金属板10の一方の面に銀層12を配置し、この銀層12上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第2の金属板14を載置して積層体16を作製し、この積層体16にその厚さ方向に0.1〜30MPaの荷重を加えながら、積層体16を250〜370℃で1〜180分間加熱することにより、銀層12の銀粉同士が焼結し、第1の金属板10と第2の金属板14との間の弱い接合を形成して、第1の金属板10と第2の金属板14の仮接合体を作製し、この仮接合体を接合炉内に入れ、380〜630℃で1〜180分間加熱することにより、第1の金属板10と第2の金属板14を強固に接合する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6799479B2 金属−セラミックス回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6799479B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2017040825
申请日：2017-03-03
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 尾崎歩 , 小林幸司
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , B23K35/30 , C22C5/06 , C04B37/02

7. 发明专利

JP2018145047A 金属−セラミックス回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018145047A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017040825
申请日：2017-03-03
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭 , 尾崎歩 , 小林幸司
IPC分类号： H05K3/38 , H05K3/24 , H01L23/12 , B23K35/30 , C22C5/06 , C04B37/02
CPC分类号： H05K3/022 , B23K1/0016 , B23K2101/42 , B23K2201/42 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L21/4871 , H01L23/3735 , H05K1/0306 , H05K3/06 , H05K3/067 , H05K3/26 , H05K3/38 , H05K2201/0769 , H05K2201/09845
摘要：【課題】活性金属含有ろう材によりセラミックス基板に金属板を接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、マイグレーションの発生を十分に抑制することができる金属−セラミックス回路基板を製造することができる方法の提供。【解決手段】セラミックス基板10の少なくとも一方の面に、銀を含む活性金属含有ろう材12を介して銅板14を接合した後、銅板14と活性金属含有ろう材12の不要部分を除去し、その後、化学研磨により銅板14の側面部から活性金属含有ろう材12がはみ出すように銅板14の不要部分を除去し、この化学研磨によって銅板14の表面に付着した銀層18を除去する金属−セラミックス回路基板の製造方法。【選択図】図1G

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