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1. 发明专利

JP2017092137A 半導体光素子、半導体組立体有权
公开(公告)号：JP2017092137A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217495
申请日：2015-11-05
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： MASUYAMA RYUJI , YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI , SAKURAI KENJI , KIKUCHI TAKEHIKO
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B6/12 , G02B6/125 , H01L31/10
CPC分类号： G02B6/29344 , G02B6/12004 , H01L31/02005 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/1844
摘要：【課題】ダイボンドの前後における90度ハイブリッドの偏差性能の差を低減可能な構造を有する半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子11は、半導体基板13の第3領域13cの主面上に設けられた90度ハイブリッド15と、第1領域13aの主面上に設けられた半導体導波路構造21aと、第4領域13dの主面上を設けられた受光素子17と、第2領域13bの主面上に設けられ90度ハイブリッド15を受光素子17に光学的に結合する半導体導波路構造23aと、半導体基板13の第2面13f上に設けられ互いに隔置された第1部分19a及び第2部分19bを含む金属層19とを備える。第1部分19a及び第2部分19bは、それぞれ、第1領域13a及び第2領域13bの裏面上に設けられる。第1部分19aと第2部分19bとの間隔は、90度ハイブリッド及び第3領域の長さによって規定される第1長さ以上である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2014219442A 半導体光素子の製造方法有权
标题翻译：半导体光学元件制造方法
公开(公告)号：JP2014219442A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013096268
申请日：2013-05-01
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： KOBAYASHI HIROHIKO , YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI
IPC分类号： G02F1/015
CPC分类号： G02B6/132 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212
摘要：【課題】埋め込み樹脂領域に対する絶縁層の密着性を高めつつ、コンタクト抵抗の増加を抑制可能な半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体光素子50の製造方法は、半導体メサ9を有する基板生産物Pを準備する工程S1〜S3と、半導体メサ9を覆う半導体保護膜11を形成する工程S4と、埋め込み樹脂領域12を形成する工程S5と、埋め込み樹脂領域12をエッチングして半導体保護膜11を露出させる開口Aを埋め込み樹脂領域12に形成する工程S6と、開口Aから半導体メサ9の上面9bを露出させる工程S7と、蒸着法及びリフトオフ法によってオーミック金属膜15pを形成する工程S8と、ポリマー保護膜16をスパッタ法によって形成する工程S9と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制接触电阻增加同时提高绝缘层与掩埋树脂区域的粘附性的半导体光学元件制造方法。解决方案：制造半导体光学元件50的方法包括：步骤S1至制备具有半导体台面9的基板产品P的S3; 形成覆盖半导体台面9的半导体保护膜11的工序S4; 形成掩埋树脂区域12的步骤S5; 蚀刻掩埋树脂区域12的步骤S6，以及形成用于使掩埋树脂区域12中的半导体保护膜11露出的开口A. 从开口A露出半导体台面9的上表面9b的步骤S7; 通过蒸发和剥离方法形成欧姆金属膜15p的步骤S8; 以及通过溅射法形成聚合物保护膜16的步骤S9。

3. 发明专利

JP2014063842A Method for manufacturing optical waveguide type semiconductor element, and optical waveguide type semiconductor element 有权
标题翻译：制造光波导型半导体元件的方法和光波导型半导体元件
公开(公告)号：JP2014063842A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2012207404
申请日：2012-09-20
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YONEDA MASAHIRO , MASUYAMA RYUJI , YAGI HIDEKI , INOUE NAOKO
IPC分类号： H01L31/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optical waveguide type semiconductor element in which the number of disconnections in a metal wiring layer arranged from the top surface of a mesa structure to the outside of the mesa structure can be reduced, and also to provide the optical waveguide type semiconductor element.SOLUTION: By forming an etching mask M1 extending in the optical waveguide direction on a semiconductor lamination part and then by etching the semiconductor lamination part, a mesa structure 25 is formed which has an end surface 25 g including a layer structure of a light receiving element part 6 and a layer structure of an optical waveguide part 5. At this time, the mesa structure 25 is formed so that an angle θ formed by the end surface 25 g and [110]direction of an InP substrate 21 satisfies 0°
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造光波导型半导体元件的方法，其中可以减少从台面结构的顶表面到台面结构的外部布置的金属布线层中的断开次数，并且还提供光波导型半导体元件。解决方案：通过在半导体层叠部分上形成沿光波导方向延伸的蚀刻掩模M1，然后通过蚀刻半导体层叠部分，形成台面结构25，其具有25g的端面包括光接收元件部分6的层结构和光波导部分5的层结构。此时，台面结构25形成为角度和角度; 由InP基板21的端面25g和[110]方向形成，满足0°<90°。之后，展开覆盖台面结构25的端面和台面结构25的侧面的半导体嵌入区域。

4. 发明专利

JP2014053483A Method of manufacturing optical waveguide light-receiving element and optical waveguide light-receiving element 有权
标题翻译：制造光波导光接收元件和光波导光接收元件的方法
公开(公告)号：JP2014053483A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012197596
申请日：2012-09-07
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MASUYAMA RYUJI , YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI , INOUE NAOKO
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L31/02325 , G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an optical waveguide light-receiving element in which the planarity of the ground surface of an MIM capacitor can be enhanced, and to provide an optical waveguide light-receiving element.SOLUTION: An optical waveguide light-receiving element includes a light-receiving element 13d, an optical waveguide 15f, and a capacitive element 14d integrated on a common substrate 21. The capacitive element 14d has a base layer 49 that is a part of a semiconductor layer grown for forming a core layer 23 of the optical waveguide 15f, a lower metal layer 44 formed on the base layer 49 and connected with one of bias wiring or reference potential wiring, an upper metal layer 45 formed on the lower metal layer 44 and connected with the other of the bias wiring or reference potential wiring, and an insulating film 27 disposed between the lower metal layer 44 and upper metal layer 45.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以增强MIM电容器的接地表面的平坦度并且提供光波导光接收元件的光波导光接收元件的制造方法。解决方案：光波导光接收元件包括光接收元件13d，光波导15f和集成在公共基板21上的电容元件14d。电容元件14d具有基底层49，基底层49是生长用于形成光波导15f的芯层23，形成在基底层49上并与偏置布线或参考电位布线中的一个连接的下部金属层44，形成在下部金属层44上并与另一个连接的上部金属层45 偏置布线或参考电位布线，以及设置在下金属层44和上金属层45之间的绝缘膜27。

5. 发明专利

JP2013149747A Waveguide type optical semiconductor element 审中-公开
标题翻译：波导型光学半导体元件
公开(公告)号：JP2013149747A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2012008295
申请日：2012-01-18
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YONEDA MASAHIRO , KOBAYASHI HIROHIKO , MASUYAMA RYUJI
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2275 , H01S5/3201 , H01S5/34306 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waveguide type optical semiconductor element capable of restraining exfoliation of a polymer part.SOLUTION: A semiconductor laser element WL1 comprises: a structure 11 on which a pair of stripe grooves 21, 22 extending in a Y-axis direction are formed to define a stripe-like mesa part M projecting in a Z-axis direction orthogonal to a principal plane 1S of a semiconductor substrate 1 and extending in the Y-axis direction parallel to the principal plane 1S; projection parts 31, 32 provided in the pair of stripe grooves 21, 22 and projecting in the Z-axis direction; and a polymer part 23 embedded in the stripe grooves 21, 22 to cover side faces 31a, 32a of the projection parts 31, 32. A relative position relationship of the projection parts 31, 32 and the structure 11 is fixed. The side faces 31a, 32a of the projection parts 31, 32 cross with the Y-axis direction when seen in the Z-axis direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制聚合物部件的剥离的波导型光学半导体元件。解决方案：半导体激光元件WL1包括：结构11，在Y轴上延伸的一对条纹槽21,22 形成方向以限定在与半导体衬底1的主面1S正交的Z轴方向上突出并沿平行于主面1S的Y轴方向延伸的条状台面部M; 设置在一对条槽21,22中并沿Z轴方向突出的突起部31,32; 以及嵌入到条形槽21,22中的聚合物部分23，以覆盖突出部分31,32的侧面31a，32a。突出部分31,32和结构11的相对位置关系是固定的。当沿Z轴方向观察时，突起部31,32的侧面31a，32a与Y轴方向交叉。

6. 发明专利

JP2013065714A Multi-channel optical waveguide light-receiving device 有权
标题翻译：多通道光波导光接收装置
公开(公告)号：JP2013065714A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2011203724
申请日：2011-09-16
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI , INOUE NAOKO
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/4279 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-receiving device in which the wires between bypass capacitors and light-receiving elements can be arranged to a short length.SOLUTION: In a light-receiving device 1A, an optical branch section 12, light-receiving elements 13a-13d, and capacitors 14a-14d are formed on a common optical waveguide substrate 10. The signal input electrode pads 51a-51d of signal amplification sections 50A, 50B and the light-receiving elements 13a-13d are arranged along the edge 10b of the optical waveguide substrate 10. The signal output electrodes of the light-receiving elements 13a-13d are respectively wire bonded to the signal input electrode pads 51a-51d. The capacitors 14a-14d are arranged contiguously to the light-receiving elements 13a-13d, and their referential potential side electrode pads 18a-18d and the referential potential electrode pads 52a, 52c, 52d, 52f of the signal amplification sections 50A, 50B are respectively wire bonded to each other.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光接收装置，其中旁路电容器和光接收元件之间的导线可以布置成较短的长度。解决方案：在光接收装置1A中，在公共光波导基板10上形成光分支部分12，光接收元件13a-13d和电容器14a-14d。信号输入电极焊盘51a-51d 信号放大部分50A，50B和光接收元件13a-13d沿着光波导基片10的边缘10b布置。光接收元件13a-13d的信号输出电极分别引线接合到信号输入端电极焊盘51a-51d。电容器14a-14d与光接收元件13a-13d相邻配置，信号放大部50A，50B的参考电位侧电极焊盘18a-18d和参考电位电极焊盘52a，52c，52d，52f分别为分别引线接合。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012248812A Manufacturing method of semiconductor optical integrated element 审中-公开
标题翻译：半导体光学集成元件的制造方法
公开(公告)号：JP2012248812A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011121863
申请日：2011-05-31
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YONEDA MASAHIRO , KOBAYASHI HIROHIKO , KOYAMA KENJI , YANAGISAWA MASATERU , HIRATSUKA KENJI
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/02272 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/02264 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To fix a semiconductor optical integrated element stably while preventing a film material from reaching on a bonding pad, when forming a film on the end face of the semiconductor optical integrated element having two bonding pads of different height.SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor optical integrated element 10 where the height Hof a bonding pad 42 is lower than the Hof a bonding pad 62 comprises: a step for forming a plurality of rod-like semiconductor optical integrated element arrays 70 by cutting a wafer on which a plurality of semiconductor optical integrated elements are formed; a step for fixing the plurality of semiconductor optical integrated element arrays 70 and a plurality of spacers 80 while laminating alternately in the thickness direction of the wafer; and a step for forming reflection films 44 and 64 on both end faces of the semiconductor optical integrated element array 70. Each movable part 81 of the plurality of spacers 80 is projecting toward the bonding pad 42, and is displaceable in the projection direction.
摘要翻译：要解决的问题：为了在防止膜材料到达焊盘的同时稳定地固定半导体光学集成元件，当在具有两个不同高度的焊盘的半导体光学集成元件的端面上形成膜时。解决方案：接合焊盘42的高度H 1 的半导体光学集成元件10的制造方法低于H 接合焊盘62的2 包括：通过切割其上形成有多个半导体光学集成元件的晶片形成多个棒状半导体光学集成元件阵列70的步骤; 在晶片的厚度方向上交替地层叠多个半导体光集成元件阵列70和多个间隔件80的步骤; 以及用于在半导体光集成元件阵列70的两个端面上形成反射膜44和64的步骤。多个间隔件80的每个可移动部分81朝着焊盘42突出，并且可沿投影方向移位。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2014229628A ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体素子を作製する方法有权
标题翻译： III-V族化合物半导体元件制造方法
公开(公告)号：JP2014229628A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013105434
申请日：2013-05-17
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： MASUYAMA RYUJI , YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI , INOUE NAOKO
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： G02B6/131 , G02B2006/12173 , G02B2006/12178
摘要：【課題】半導体素子の側面に成長されるIII−V化合物半導体領域の成長ばらつきに起因した歩留まり低下を低減できるIII−V化合物半導体素子を提供する。【解決手段】エピタキシャル構造物SP1上にIII−V化合物半導体領域63を成長する際に、素子メサ59の側面59cにIII−V化合物半導体領域63の側部63aが成長することに加えて、この側部63aから上面59dの法線方向に突出する突出壁部63bも成長する。この突起の高さは、ウエハ面内においてばらつく。オーミック電極71に接続される第1導電部83aと、第3エリア21dに支持される第2導電部83bと、突出壁部63b上を通過するように延在する第3導電部83cとを含む導電体83を、突出壁部63bから間隔をとって突出壁部63b上を跨ぐように形成する。このため、ウエハ面内で分布する下地形状のばらつきに起因する不安定さを極力さけて、安定な電気的接続が得られる。【選択図】図14
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低由在半导体元件的侧面上生长的III-V族化合物半导体区域的生长变化引起的产率降低的III-V族化合物半导体元件。解决方案：在III组 -V化合物半导体元件制造方法中，III-V族化合物半导体区域63的侧面部分63a在元件台面59的侧面59c上生长，并且从侧面部分63a沿法线方向突出的突出壁部63b 当III-V族化合物半导体区域63在外延结构SP1上生长时，顶面59d也增加。突起的高度在晶片表面上变化。在制造方法中，导体83包括连接到欧姆电极71的第一导电部83a，由第三区21d支撑的第二导电部83b和在突出壁部63b上方延伸的第三导电部83c 形成为在突出的壁部63b的一定距离处与突出的壁部63b交叉。因此，由于分散在晶片表面中的基体形状变化引起的不稳定性被最小化并且可以实现稳定的电连接。

9. 发明专利

JP2013055140A Semiconductor optical integrated element 有权
标题翻译：半导体光学集成元件
公开(公告)号：JP2013055140A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2011190898
申请日：2011-09-01
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YONEDA MASAHIRO , YANAGISAWA MASATERU , KOYAMA KENJI , KOBAYASHI HIROHIKO , HIRATSUKA KENJI
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/068
CPC分类号： H01S5/02461 , B82Y20/00 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/209 , H01S5/2275 , H01S5/3434
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor optical integrated element that allows suppression of temperature variation of an active layer in a gain region.SOLUTION: A semiconductor optical integrated element 1A includes: a semi-insulating substrate 10 that has a primary surface 10a including first and second regions 10c and 10d lining in a predetermined optical waveguide direction; a gain region 20 that is provided on the first region 10c and has an n-type cladding layer 21, an active layer 22, and a p-type cladding layer 23; and a wavelength control region 40 that is provided on the second region 10d and has a lower cladding layer 41, an optical waveguide layer 42, an upper cladding layer 43, and a resistor 50 (heating member). The semi-insulating substrate 10 has through holes 11 that extend from a rear surface 10b toward the thickness direction and reach the first region 10c of the primary surface 10a, and inside the through holes 11, metallic members 12 reaching the n-type cladding layer 21 from the rear surface 10b of the semi-insulating substrate 10 are provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供允许抑制增益区域中的有源层的温度变化的半导体光学集成元件。解决方案：半导体光学集成元件1A包括：半绝缘基板10，其具有包括在预定光波导方向上衬里的第一和第二区域10c和10d的主表面10a; 设置在第一区域10c上并具有n型包层21，有源层22和p型覆层23的增益区域20; 以及设置在第二区域10d上并具有下包层41，光波导层42，上包层43和电阻器50（加热构件）的波长控制区域40。半绝缘基板10具有从后表面10b朝向厚度方向延伸的通孔11，并且到达主面10a的第一区域10c，并且在通孔11的内部，到达n型包层的金属构件12 设置有来自半绝缘基板10的背面10b的图21。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2014220413A スポットサイズ変換器を作製する方法审中-公开
标题翻译：制造尺寸转换器的方法
公开(公告)号：JP2014220413A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013099339
申请日：2013-05-09
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： INOUE NAOKO , YAGI HIDEKI , MASUYAMA RYUJI , YONEDA MASAHIRO
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B6/122 , G02B6/13 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/02325 , G02B6/12004 , G02B6/131 , G02B6/136 , G02B6/14 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：【課題】エピタキシャル成長の負担を軽減可能な、スポットサイズ変換器を作製する方法を提供する。【解決手段】第1トレンチ溝24が、第11テラス部25bと第1メサ部23bとの間に位置する第11溝部24bを含む。第2トレンチ溝29が、21テラス部27bと第1メサ部23bとの間に位置する第21溝部26bを含む。導波路メサ部に結晶成長する工程において、第11溝部24b及び第21溝部26bは絶縁体マスク41で覆われていない。第11溝部24b及び第21溝部26bの底及び側面が絶縁体マスク41で覆わないけれども、半導体テラス25、27及び導波路メサ23は共に半導体積層11から作製されるので、同じ高さにある。半導体テラス25、27上で消費されない原料は半導体テラス25、27上のマスク41の表面に沿って移動し、同じ高さの導波路メサ23上に到達する。【選択図】図11
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以减少外延生长负担的点尺寸转换器的制造方法。解决方案：第一沟槽24包括位于第十一平台部分25b和第一台面部分之间的第十一凹槽部分24b 23B。第二沟槽29包括位于第二十一平台部分27b和第一台面部分23b之间的第二十一凹槽部分26b。在波导台面部分的晶体生长过程中，第十一凹槽部分24b和第二十一凹槽部分26b未被绝缘体掩模41覆盖。尽管第十一凹槽部分24b的底部和侧面以及二十一凹槽部分 26b未被绝缘体掩模41覆盖，半导体梯形体25和27以及波导台面23均由半导体层叠体11制造，高度相同。在半导体平台25和27上未消耗的材料沿着半导体梯形区域25和27上的掩模41的表面移动并到达具有相同高度的波导台面23。

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