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1. 发明专利

JP6372142B2 光波長分波器审中-公开
公开(公告)号：JP6372142B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2014081809
申请日：2014-04-11
申请人：沖電気工業株式会社
发明人：岡山秀彰
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： H04J14/02 , G02B6/29344 , G02B6/29355 , G02B6/2938 , G02B6/29397

2. 发明专利

JP2018004754A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018004754A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016127707
申请日：2016-06-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：永尾龍介 , 笹畑圭史 , 石村栄太郎
IPC分类号： H01S5/026 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/125 , G02B6/12004 , G02B6/29344 , G02B6/2938 , G02B2006/12035 , G02B2006/12121 , H01S5/026 , H01S5/06256 , H01S5/0687 , H01S5/12 , H01S5/2022 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S5/4056 , H01S5/4087 , H01S2301/02
摘要：【課題】波長可変光源として利用される半導体装置に関し、フォトダイオードの配置の自由度を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、前端面34と、後端面36と、前端面と後端面の両側に配置される側面32と、を備えた基板10と、基板に設けられた複数の半導体レーザー12と、基板に設けられ、複数の半導体レーザーの前方出力光を合波し、前端面に向けて出力する前方光合波器16と、基板に設けられ、複数の半導体レーザーの後方出力光を合波し、後端面に向けて出力する後方光合波器24と、基板に設けられ、後方光合波器の出力部に接続された複数の後方導波路29と、を備え、複数の後方導波路は、出力部の中央部に配置された主導波路28と、主導波路の両側に配置され、側面に向かって湾曲し、側面から側面に対して斜めに光を出力する複数の側部導波路30と、を含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2014146002A Optical device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：光学装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2014146002A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013016020
申请日：2013-01-30
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： OHIRA KAZUYA , EZAKI ZUISEN , SUZUKI NOBUO , IIZUKA NORIO , YOSHIDA HARUHIKO
IPC分类号： G02F1/295 , G02B6/12 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/29344 , B29D11/00701 , G02B6/2813 , G02F1/2955 , G02F2001/291 , G02F2202/104 , H04B10/803
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized and efficient optical device having a mechanism for controlling an output direction of an output light beam.SOLUTION: The optical device according to the embodiment includes: a laser light source; a first optical waveguide which propagates light output from the laser light source; a first distributor which distributes the light input from the first optical waveguide into n light beams (n is an integer equal to or larger than 2); n second optical waveguides which propagate n light beams output from the first distributor; n second distributors each of which distributes the light propagating in each of the second optical waveguides, into m light beams (m is an integer equal to or larger than 2); n×m third optical waveguides which propagate n×m light beams output from n second distributors and are arranged like a matrix; a control electrode which applies a voltage or a current to each third optical waveguide to control the phase of the optical beam propagating in the third optical waveguide; and an output end surface which outputs light beams having the phases controlled by the control electrode.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有用于控制输出光束的输出方向的机构的小型高效光学装置。解决方案：根据实施例的光学装置包括：激光源; 第一光波导，其传播从激光源输出的光; 第一分配器，其将来自第一光波导的光输入分配成n个光束（n是等于或大于2的整数）; n个第二光波导，其传播从第一分配器输出的n个光束; n个第二分配器，每个第二分配器将在每个第二光波导中传播的光分配成m个光束（m是等于或大于2的整数）; n×m个第三光波导，其传播从n个第二分配器输出的n×m个光束，并且排列成矩阵; 对每个第三光波导施加电压或电流以控制在第三光波导中传播的光束的相位的控制电极; 以及输出具有由控制电极控制的相位的光束的输出端面。

4. 发明专利

JP2014508929A Fully integrated complementary metal oxide semiconductor (cmos) Fourier transform infrared (ftir) spectrometer and Raman spectrometer 有权
公开(公告)号：JP2014508929A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2013553751
申请日：2012-02-14
申请人：ルクスマクステクノロジーコーポレーション
发明人：ダットナー、ヨナサン , イエディッド−ペヒト・オルリー
IPC分类号： G01J3/45 , G01J3/42 , G01J3/44
CPC分类号： G01J3/45 , C08L79/08 , G01J3/0259 , G01J3/44 , G01J3/4531 , G02B6/125 , G02B6/13 , G02B6/29344 , G02B6/2935
摘要：ＣＭＯＳ技術でシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハー上に集積されたフーリエ変換赤外線（ＦＴＩＲ）分光計が開示される。本発明はコンパクトで、小型化された低コストＣＭＯＳ製作互換チップに完全に集積されている。本発明は１．１μｍから１５μｍまでの様々な赤外域範囲で作動し得るか、或いは１．１μｍから１５μｍまでの全スペクトルを全て一度に包含することができる。本明細書に開示されたＣＭＯＳ−ＦＴＩＲ分光計は高スペクトル分解能を有し、可動部品は無く、レンズは無く、コンパクトであり、厳しい外部条件において損傷する傾向が無く、標準的なＣＭＯＳ技術により製造でき、ＦＴＩＲ分光計の大量生産を可能にする。完全に集積されたＣＭＯＳ−ＦＴＩＲ分光計はバッテリー駆動に適しており、任意の及び全ての機能を標準的なＣＭＯＳ技術によりチップ上に集積することができる。ＦＴＩＲ分光計について開示された発明はＣＭＯＳ−ラマン分光計についても適合し得る。
【選択図】図６ｂ

5. 发明专利

JP4444368B1 Integrated semiconductor laser device and a semiconductor laser module and an optical transmission system 有权
公开(公告)号：JP4444368B1
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：JP2009178077
申请日：2009-07-30
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：智一向原 , 竜也木本
IPC分类号： H01S5/026 , G02B6/122 , H01S5/22
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/29344 , G02B6/4215 , G02B6/4245 , G02B2006/12121 , G02B2006/12147 , G02B2006/12195 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/4068 , H01S5/4087
摘要：【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。
【選択図】図１

6. 发明专利

JPWO2003036346A1 光導波路部材及び光モジュール有权
公开(公告)号：JPWO2003036346A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：JP2003538785
申请日：2002-02-27
申请人：株式会社日立製作所 , 日立化成工業株式会社
发明人：高橋　誠 , 誠高橋 , 井戸　立身 , 立身井戸 , 高橋　亨 , 亨高橋
IPC分类号： G02B6/30 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/28 , G02B6/293 , G02B6/34 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/2813 , G02B6/12007 , G02B6/29344 , G02B6/30 , G02B6/4249
摘要：本発明の目的は、マルチモード光導波路を用いた光合分波器において、実装時の位置ずれに対するトレランスを拡大することである。この為、本発明は、マルチモード光導波路とシングルモード光導波路とを直接結合する。更に本発明の別な形態は、その両者の間にシングルモード光導波路を設けて、その長さを零近傍、又はシングルモードの0次モードと放射性の高次モードとの干渉の周期もしくはその近傍に設定する。

7. 发明专利

JP6382195B2 光回路审中-公开
公开(公告)号：JP6382195B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2015526367
申请日：2014-07-09
申请人：技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
发明人：高橋重樹
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/125
CPC分类号： G02B6/4209 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/2804 , G02B6/29344 , G02B2006/12121

8. 发明专利

JP2017092137A 半導体光素子、半導体組立体有权
公开(公告)号：JP2017092137A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217495
申请日：2015-11-05
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： MASUYAMA RYUJI , YONEDA MASAHIRO , YAGI HIDEKI , SAKURAI KENJI , KIKUCHI TAKEHIKO
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B6/12 , G02B6/125 , H01L31/10
CPC分类号： G02B6/29344 , G02B6/12004 , H01L31/02005 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/1844
摘要：【課題】ダイボンドの前後における90度ハイブリッドの偏差性能の差を低減可能な構造を有する半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子11は、半導体基板13の第3領域13cの主面上に設けられた90度ハイブリッド15と、第1領域13aの主面上に設けられた半導体導波路構造21aと、第4領域13dの主面上を設けられた受光素子17と、第2領域13bの主面上に設けられ90度ハイブリッド15を受光素子17に光学的に結合する半導体導波路構造23aと、半導体基板13の第2面13f上に設けられ互いに隔置された第1部分19a及び第2部分19bを含む金属層19とを備える。第1部分19a及び第2部分19bは、それぞれ、第1領域13a及び第2領域13bの裏面上に設けられる。第1部分19aと第2部分19bとの間隔は、90度ハイブリッド及び第3領域の長さによって規定される第1長さ以上である。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017032629A 光モジュール审中-公开
标题翻译：光模块
公开(公告)号：JP2017032629A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015149271
申请日：2015-07-29
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：森山豊 , 藤村康 , 武智勝 , 菊地健彦
IPC分类号： G02F2/00 , G02B6/125
CPC分类号： G02B6/29344 , G02B6/12004 , G02B6/4232 , G02B6/4298
摘要：【課題】光強度の偏差の増大を抑制することができる光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュールは、半導体製のMMIカプラと、MMIカプラから引き出された半導体製の光導波路を含む光ハイブリッド素子と、光ハイブリッド素子を搭載するキャリア29を備える。光ハイブリッド素子は、長手方向及び短手方向を有しており、キャリア29の光ハイブリッド素子と対向する面29aにおける、MMIカプラが形成された光ハイブリッド素子の領域に対向する対向領域、及び対向領域から短手方向の全体に亘って延びる領域に窪みCが形成されている。【選択図】図6
摘要翻译：能够抑制在光强度的偏差的增加的光学模块。一种光模块，包括由MMI耦合器，包括由从MMI耦合器，用于安装所述光混合元件的载体29画出的半导体光波导的光混合器件的半导体。光混合元件具有纵向方向和横向方向，其面向载体29的29A，对着面对光学混合单元MMI耦合器的区域的区域上形成光混合器元件，和对置面积形成为从整个横向方向C延伸的区域凹陷。点域6

10. 发明专利

JP5327897B2 Optical waveguide and arrayed waveguide grating 有权
公开(公告)号：JP5327897B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2010286630
申请日：2010-12-22
申请人： Nttエレクトロニクス株式会社
发明人：圭一守田 , 和美清水 , 康二川島
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/12014 , G02B6/12011 , G02B6/29344 , G02B6/34
摘要： This invention provides an optical waveguide which does not increase the circuit size, does not make difficult the circuit design and manufacturing, and can reduce insertion loss when light enters from a slab waveguide toward an arrayed waveguide or when the light enters from the arrayed waveguide toward the slab waveguide. This optical waveguide is provided with a slab waveguide 1 in which a grating GP or GA is formed, an arrayed waveguide 2 connected to a position where a constructive interference portion of a self-image of the grating GP or GA is formed, and a refractive index change region DV which is formed between the slab waveguide 1 and the arrayed waveguide 2, in which an average value of a refractive index in a refractive index distribution in a direction substantially vertical to a light propagation direction is averagely increased from the slab waveguide 1 toward the arrayed waveguide 2, and in which an average value of the refractive index in a refractive index distribution in a direction substantially parallel to the light propagation direction is increased at a central axis of the arrayed waveguide 2.

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