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1. 发明专利

JP2021067933A 直流バイアスディザ信号の変調深度の監視方法、装置及び光送信機审中-公开
公开(公告)号：JP2021067933A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2020157435
申请日：2020-09-18
申请人：富士通株式会社
发明人：李静楠 , ファヌ・ヤンヤン , タオ・ジェヌニン
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/015
摘要：【課題】ディザ信号の変調深度の監視方法、装置及び光送信機を提供する。【解決手段】該装置は、マッハツェンダ変調器により出力された光信号を検出して電気信号を取得する検出器であって、該マッハツェンダ変調器に印加される直流バイアス電圧には、所定周波数のディザ信号が重畳されている、検出器と、該検出器により出力された該電気信号、及び周波数が該所定周波数の2倍である2倍周波数ディザ信号に対して同期検出を行い、該検出器により出力された該電気信号に含まれる、該2倍周波数ディザ信号の周波数と同一の周波数を有する信号成分の振幅を取得する2倍周波数ディザ信号同期検出モジュールと、該2倍周波数ディザ信号の振幅に基づいて、該直流バイアス電圧に重畳されている該ディザ信号の変調深度を計算する信号処理器と、を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021509483A 光モジュール及び光モジュールの組立方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021509483A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2020534625
申请日：2018-12-26
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐伯智哉 , 藤村康 , 渡部徹
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/32 , G02F1/015
摘要：半導体変調器、入力レンズ系、第1及び第2の出力レンズ系、並びに2つのモニタPDを備える光モジュールが開示されている。半導体変調器は、その一方の側に、入力ポート、第1及び第2の出力ポート、並びに2つのモニタポートを有する。入力ポート、並びに、第1及び第2の出力ポートは、それぞれ、入力レンズ系、並びに第1及び第2のレンズ系に対向している。2つのモニタポートは、それぞれ2つのモニタPDに対向している。第1及び第2の出力ポートは、一方の側の入力ポートに対して対称的に配置される。2つのモニタポートは、第1及び第2の出力ポートのそれぞれの外側に、入力ポートに対して対称に配置される。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2021004909A 透過型偏光制御素子、光アイソレータ、偏光可変光源、および透過型偏光制御素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021004909A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2019116903
申请日：2019-06-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：門脇拓也 , 大津元一 , 川添忠
IPC分类号： G02F1/015 , G02F1/09
摘要：【課題】半導体層に磁場を印加して可視光領域における透過光の偏光方向を回転させる透過型偏光制御素子を提供する。【解決手段】透過型偏光制御素子は、第1面と前記第1面の反対側に第2面とを有し、前記第1面と前記第2面との間に、p型およびn型の一方の導電型を有する第1導電型領域、p型およびn型の他方の導電型を有する第2導電型領域、ならびに前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間に位置するpn接合を含む半導体層と、前記第1面上に設けられ、前記pn接合を貫く方向に磁場を形成する電流が流れるループ状電極と、前記第1導電型領域にドープされ、近接場光を形成する前記第1導電型の不純物が分布する近接場光形成領域と、を備え、前記ループ状電極によって囲まれた領域および前記近接場光形成領域を通過する直線偏光の偏光方向を、前記電流に応じて回転させる。【選択図】図1A

4. 发明专利

JP6773216B2 光変調装置有权
公开(公告)号：JP6773216B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2019514920
申请日：2017-04-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：高木和久 , 蔵本恭介
IPC分类号： H01S5/022 , G02F1/015

5. 发明专利

JP6701115B2 光送信機有权
公开(公告)号：JP6701115B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2017079168
申请日：2017-04-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：高橋雅之 , 中野慎介 , 本田健太郎
IPC分类号： H04B10/548 , G02F1/015

7. 发明专利

JP6493895B2 マルチセグメントマッハツェンダー変調器ドライバシステム有权
公开(公告)号：JP6493895B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2017511276
申请日：2015-08-25
申请人：ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド
发明人：ユシェン・バイ
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/225 , G02F1/015

8. 发明专利

JP2019045792A マッハツェンダ変調器、光変調装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019045792A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017171311
申请日：2017-09-06
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：河野直哉
IPC分类号： G02F1/017 , G02F1/015 , G02F1/025
摘要：【課題】安定した接地電位を可能にする差動伝送路を備えるマッハツェンダ変調器を提供する。【解決手段】マッハツェンダ変調器は、下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第1半導体アームと、下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第2半導体アームと、前記第1半導体アームの前記下部半導体領域及び前記第2半導体アームの前記下部半導体領域を互いに接続する導電性半導体領域と、前記第1半導体アームの前記上部半導体層及び前記第2半導体アームの前記上部半導体層にそれぞれ結合された第1信号伝搬導電体及び第2信号伝搬導電体と、前記導電性半導体領域上において前記第1信号伝搬導電体と前記第2信号伝搬導電体との間を延在する基準電位導電体とからなる差動伝送路を備え、前記基準電位導電体は前記導電性半導体領域から絶縁されている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6453680B2 光デバイス及び光デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6453680B2
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：JP2015053364
申请日：2015-03-17
IPC分类号： G02F1/015 , G02F1/01 , H01S5/028 , H01S5/042

10. 发明专利

JP2019003041A 発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019003041A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2017117736
申请日：2017-06-15
申请人： HAMAMATSU PHOTONICS KK
发明人： TAKIGUCHI MASARU , HIROSE KAZUYOSHI , KUROSAKA YOSHITAKA , SUGIYAMA TAKAHIRO , NOMOTO YOSHIAKI , UENOYAMA SO
IPC分类号： G02F1/29 , G02F1/015 , H01S5/18
摘要：【課題】空間光変調素子から出射される変調後の光に対する半導体発光素子による減衰や回折作用を低減することができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置1Aは、光出射面10aに垂直な方向に対して傾斜した方向に光Lを出射する半導体発光素子10Aと、光出射面10aと平行に対向する光入出射面20aを有し、光入出射面20aから入射した光Lを反射しつつ変調する空間光変調素子20とを備える。半導体発光素子10Aは、活性層13、位相変調層16A、及び電極18,19を有する。位相変調層16Aの複数の異屈折率領域16bの重心は、仮想的な正方格子の格子点から離れて配置され、格子点周りに各異屈折率領域16b毎に設定された回転角度を有する。半導体発光素子10Aは領域8a,8bを含む。電極18,19は領域8aに設けられ、光Lは領域8aの光出射面10aから出射する。変調後の光Lは領域8bを透過する。【選択図】図1

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