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1. 发明授权

EP0789430B1 A method of producing a semiconductor laser device 失效
标题翻译：一个半导体激光元件的制造方法
公开(公告)号：EP0789430B1
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：EP97106425.8
申请日：1992-12-24
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Watanabe,Masanori , Ohbayashi, Ken , Sasaki, Kazuaki , Yamamoto, Osamu , Matsumoto, Mitsuhiro
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0201 , H01S5/0281 , H01S5/164 , Y10S148/026 , Y10S148/095 , Y10S148/104 , Y10S148/106 , Y10S148/143 , Y10S438/945

2. 发明授权

EP0558856B1 A method for producing a semiconductor laser device 失效
标题翻译：的半导体激光器的制造方法
公开(公告)号：EP0558856B1
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：EP92311823.6
申请日：1992-12-24
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Watanabe, Masanori , Ohbayashi, Ken , Sasaki, Kazuaki , Yamamoto, Osamu , Matsumoto, Mitsuhiro
IPC分类号： H01S3/025
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0201 , H01S5/0281 , H01S5/164 , Y10S148/026 , Y10S148/095 , Y10S148/104 , Y10S148/106 , Y10S148/143 , Y10S438/945

3. 发明公开

EP0789430A3 A method of producing a semiconductor laser device 失效
标题翻译：一种制造半导体激光器件的方法
公开(公告)号：EP0789430A3
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：EP97106425.8
申请日：1992-12-24
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Watanabe, Masanori , Ohbayashi, Ken , Sasaki, Kazuaki , Yamamoto, Osamu , Matsumoto, Mitsuhiro
IPC分类号： H01S3/025 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0201 , H01S5/0281 , H01S5/164 , Y10S148/026 , Y10S148/095 , Y10S148/104 , Y10S148/106 , Y10S148/143 , Y10S438/945
摘要： A method for producing a semiconductor laser device includes the steps of: forming window layers on either one of a top surface of an internal structure or a reverse surface of a substrate and on light-emitting end facets of the internal structure; forming a reflection film on the light-emitting end facets; removing the window layer formed on either one of the top surface or the reverse surface by using an etchant which hardly etches the reflection film; and forming electrodes on the surface from which the window layer is removed by etching and on the other surface. Another method for producing a semiconductor laser device includes the steps of: forming window layers on light-emitting end facets of the bars; inserting the bars into an apparatus having openings for forming electrodes and a supporting portion for preventing a positional shift between the bars and the openings, and forming the electrodes on the top surfaces and the reverse surfaces of the bars; and cutting the bars into the chips.
摘要翻译：一种用于制造半导体激光器件的方法，包括以下步骤：在内部结构的顶表面或衬底的背面中的任一个上以及内部结构的发光端面上形成窗口层; 在发光端面上形成反射膜; 通过使用几乎不蚀刻反射膜的蚀刻剂去除形成在顶表面或反面中的任一个上的窗口层; 并在通过蚀刻去除窗口层的表面上形成电极，并在另一表面上形成电极。另一种制造半导体激光器件的方法包括以下步骤：在棒的发光端面上形成窗口层; 将棒插入具有用于形成电极的开口和用于防止棒与开口之间的位置偏移的支撑部的装置中，并且在棒的顶表面和相反表面上形成电极; 并将棒切成碎片。

4. 发明公开

EP0785603A2 A semiconductor laser device and a method of producing the same 失效
标题翻译：一种半导体激光装置及其制造方法
公开(公告)号：EP0785603A2
公开(公告)日：1997-07-23
申请号：EP97105580.1
申请日：1991-05-09
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Takahashi,Kosei , Hosoda, Masahiro , Tsunoda, Atsuo , Suyama, Takahiro , Matsui, Sadayoshi
IPC分类号： H01S3/19 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/32325 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L31/105 , H01L31/1844 , H01L33/0062 , H01S5/0421 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S2304/02 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10S148/095
摘要： On a GaAs substrate (Al Y Ga 1-Y ) 0.5 In 0.5 P crystal layers (0≦Y≦1) is formed to be lattice-matched with the substrate. By radiating As molecular beams on the surface of the crystal layers while heating the layered substrate to a temperature at which In in the crystal layers evaporates, the portion near the surface of the crystal layers is changed into an Al Y Ga 1-Y As crystal layer (0≦Y≦1) of a thickness of several molecules, on which layer an Al X Ga 1-X As crystal layer (0≦X≦1) is formed. Since the surface of the Al Y Ga 1-Y As crystal layer has been purified, the formed Al X Ga 1-X As crystal layer has a high crystallinity, allowing production of a light emitting diode, a semiconductor laser device and the like with high efficiency.
摘要翻译：在GaAs衬底（AlYGa1-Y）0.5In0.5P晶体层（0≤Y≤1）上形成与衬底晶格匹配的晶体。通过在将层状基板加热至晶体层中的In蒸发的温度的同时将As分子束照射在晶体层的表面上，将晶体层表面附近的部分变成AlYGa1-YAs晶体层（0≤ Y≤1），在该层上形成AlXGa1-XAs晶体层（0≤X≤1）。由于AlYGa1-YAs晶体层的表面已经被净化，所形成的AlXGa1-XAs晶体层具有高结晶度，允许高效率地制造发光二极管，半导体激光器件等。

5. 发明授权

EP0422941B1 Method of manufacturing a window structure semiconductor laser 失效
标题翻译：一种用于制造半导体激光器具有镜窗口结构的方法
公开(公告)号：EP0422941B1
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：EP90311173.0
申请日：1990-10-11
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Tamura, Hideo, c/o Intellectual Property Division , Tanaka, Hirokazu, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , Y10S148/095

6. 发明公开

EP0657977A3 Ridge stripe type laser diode and method for fabricating the same 失效
标题翻译：激光镭射仪和Herstellungsverfahren。
公开(公告)号：EP0657977A3
公开(公告)日：1995-12-27
申请号：EP94119425.0
申请日：1994-12-08
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Fujii, Hiroaki, c/o NEC Corporation
IPC分类号： H01S3/19 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2209 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , Y10S148/095
摘要： A semiconductor laser diode of a ridge type includes a double heterostructure in which a cladding layer (2) is formed in a mesa stripe form and a current block layer (8) which selectively buries mesa side and bottom surfaces of the cladding layer (2). For fabrication, a first step is to grow, sequentially above a substrate, a second cladding layer (3), an active layer (4), a first cladding layer (5) and a cap layer (6). A second step is to etch the first cladding layer (5) and the cap layer (6) respectively in mesa stripe forms. A third step is to selectively grow current blocking layer (7) on the first cladding layer (5) by a metalorganic vapor phase epitaxy process. A fourth step is to grow contact layers respectively on surfaces of the current blocking layer (7) and the cap layer (6). In the third step, a gas in which HCl is mixed in a concentration within a range of 0.2∼2 in a (HCl)/(III gas) ratio is used, which enhances re-evaporation of material on a selective mask. Thus, the protrusion formed in the current blocking layer (7) at each of the mesa side surfaces can be suppressed to a thickness not larger than 10% of a thickness of the current blocking layer (7) at its flat portion. In this way, the stress caused by lattice mismatch at the mesa side portions can be suppressed.
摘要翻译：脊型半导体激光二极管包括其中以条状形式形成包层（2）的双异质结构和选择性地埋置包层（2）的台面侧和底表面的电流阻挡层（8）。为了制造，第一步骤是依次在衬底上生长第二包覆层（3），有源层（4），第一覆盖层（5）和覆盖层（6）。第二步是分别以台条形式蚀刻第一包覆层（5）和盖层（6）。第三步是通过金属有机气相外延法选择性地增加第一包层（5）上的电流阻挡层（7）。第四步是分别在电流阻挡层（7）和盖层（6）的表面上生长接触层。在第三步骤中，使用其中以（HCl）/（III气）比）浓度在0.2-2范围内混合HCl的气体，这增强了选择性掩模上材料的再蒸发。因此，能够将形成在各台面侧的电流阻挡层（7）的突起的厚度抑制在不大于其平坦部的电流阻挡层（7）的厚度的10％的厚度。以这种方式，可以抑制由台面侧部分的晶格失配引起的应力。

7. 发明公开

EP0653823A3 A semiconductor device with high heat conductivity 失效
标题翻译：一种具有高导热性的半导体器件
公开(公告)号：EP0653823A3
公开(公告)日：1995-08-30
申请号：EP94117496.3
申请日：1994-11-07
申请人： MOTOROLA, INC.
发明人： Lebby, Michael S. , Shieh, Chan-Long , Davis, Kenneth L.
IPC分类号： H01S3/085 , H01S3/043 , H01L21/58 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01S5/02484 , H01S5/0282 , H01S5/0422 , H01S5/183 , H01S2301/176 , Y10S148/095 , H01L2924/00
摘要： A VCSEL having a first mirror stack (12) positioned on the surface of a substrate (10), an active region (13) positioned on the first mirror stack and substantially coextensive therewith, and a second mirror stack (14) positioned on the active region, the second mirror stack forming a ridge or mesa (16) having a side surface (31). A metal contact layer (40) is positioned on the side surface of the ridge or mesa and on portions of an end of the ridge or mesa to define a light emitting area (45), and a layer of diamond-like material (50) is electrolytically plated on the metal contact layer so as to form a heat conductor to remove heat from the laser.
摘要翻译：一种VCSEL，具有位于衬底（10）表面上的第一反射镜堆叠（12），位于第一反射镜堆叠上且基本上共同延伸的有源区域（13）以及位于有源区域上的第二反射镜堆叠（14）所述第二反射镜堆叠形成具有侧表面（31）的脊或台面（16）。金属接触层（40）位于脊或台面的侧表面上以及脊或台面的端部的一部分上以限定发光区域（45）和一层类金刚石材料（50）电解电镀在金属接触层上以形成热导体以从激光器去除热量。

8. 发明授权

EP0450902B1 A method for the production of a semiconductor laser device 失效
标题翻译：一种用于制造半导体激光器件的方法
公开(公告)号：EP0450902B1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP91302860.1
申请日：1991-04-02
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Yamamoto, Osamu , Kawanishi, Hidenori
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/025
CPC分类号： H01L33/0062 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/164 , Y10S148/072 , Y10S148/095

9. 发明公开

EP0649200A2 Planar, topology-free, single-mode, semiconductor quantum-well window laser with current confinement 失效
标题翻译：具有电流限制的平面无拓扑单模半导体量子阱窗口激光器
公开(公告)号：EP0649200A2
公开(公告)日：1995-04-19
申请号：EP94480092.9
申请日：1994-09-23
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Behfar-Rad, Abbas , Meier, Heinz Peter , Harder, Christoph Stephen
IPC分类号： H01S3/085 , H01S3/19
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2059 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/34 , H01S5/3409 , H01S5/3413 , H01S5/3421 , H01S2301/18 , Y10S148/095
摘要： A planar, topology free, semiconductor quantum-well laser is described. The quantum-well active layer is formed and patterned in a specified region which is constrained on all sides by high bandgaps which are formed through the use of impurity-free diffusion techniques. After the impurity-free diffusion has taken place, an upper portion is then epitaxially deposited to complete the structure. High-power, single fundamental mode laser operation is achieved by funneling current into the constrained quantum-well active region, high bandgap regions in conjunction with low index of refraction in regions surrounding the active area.
The structure is further designed to allow low beam divergence in the direction perpendicular to the semiconductor laser junction.
摘要翻译：描述了平面无拓扑半导体量子阱激光器。量子阱有源层在特定的区域中形成并构图，该区域通过使用无杂质扩散技术形成的高带隙在所有侧上受到限制。在发生无杂质扩散之后，然后外部沉积上部以完成该结构。高功率，单基模激光器操作是通过将电流漏入约束量子阱有源区，高带隙区以及在有源区周围的低折射率中实现的。该结构被进一步设计成允许在垂直于半导体激光结的方向上发生低光束发散。

10. 发明公开

EP0556317A1 SELECTIVE-EMITTING LASERS 失效
标题翻译：选择性发射激光器。
公开(公告)号：EP0556317A1
公开(公告)日：1993-08-25
申请号：EP92900844.0
申请日：1991-10-09
申请人： BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC.
发明人： CLAUSEN, Edward, Martin, Jr. , COLAS, Etienne, Guy , VON LEHMEN, Ann, Christine
IPC分类号： H01L21 , H01S5
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/3081 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/2059 , H01S5/209 , H01S5/2222 , H01S5/2224 , H01S5/423 , Y10S148/026 , Y10S148/05 , Y10S148/095
摘要： Méthode servant à attaquer et à reformer par croissance des composés III-V dans une configuration verticale nettement définie. Une structure laser à cavité Fabry-Perot comprenant des régions d'espacement (16, 20), des miroirs interférentiels (14, 22), et une couche de puits quantique (18) est formée par croissance épitaxiale à l'aide d'un faisceau moléculaire. Ensuite un masque de tungstène (24) définit les zones d'une matrice laser qui sont attaquées par un faisceau ionique à assistance chimique pour obtenir des colonettes à allongement élevé. Une seconde attaque thermique de chlore gazeux enlève une partie des parois latérales sans attaquer le tungstène, éliminant ainsi la détérioration par faisceau ionique, et créant un rebord de tungstène (26). Un dépôt chimique de vapeur organo-métallique reforme par croissance les matières III-V (28) et peut rapidement aplanir les colonnettes. Le rebord de tungstène facilite l'aplanissement en empêchant le film de croissance de dépasser le haut de la colonnette. La matière de reformation par croissance peut être isolante, et contenir des contacts laser conducteurs, ou assurer un guidage indiciel modulé dans le dispositif laser.

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