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1. 发明公开

EP2364499A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE D'UN MATERIAU ANTIFERROMAGNETIQUE A STRUCTURES MAGNETIQUES CONTROLEES 审中-公开
标题翻译：用于生产薄膜由磁性材料具有受控反铁磁结构
公开(公告)号：EP2364499A1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：EP09756160.9
申请日：2009-10-13
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： BARBIER, Antoine , BEZENCENET, Odile , BONAMY, Daniel
IPC分类号： H01F10/20 , H01F10/32 , H01F41/30
CPC分类号： H01F41/32 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/002 , H01F41/14 , H01F41/302 , H01F41/303 , Y10T428/325
摘要： The present invention relates to a process for fabricating antiferromagnetic films, and more particularly those that are used in spintronics. The process according to the invention comprises the following steps: deposition (1) on a substrate of a first film with a thickness sufficient to establish a defined magnetic order from one of the ferrimagnetic, ferromagnetic, paramagnetic and diamagnetic orders; after said order has been established, application (2) of a magnetic field having an amplitude and a duration that are sufficient to shift the magnetic domain walls of said first film from a first random distribution to a second random distribution; and deposition (3), on said first film that has had its magnetic domain walls shifted, of a second film of an antiferromagnetic material into which, during growth, at least one of the components of material of said first film may be integrated by diffusion.

2. 发明公开

EP0788120A1 Articles comprising magnetically soft thin films and methods for making such articles 失效
标题翻译： Gegenständemit weichmagnetischenDünnschichtenund ihr Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP0788120A1
公开(公告)日：1997-08-06
申请号：EP97300373.4
申请日：1997-01-21
申请人： Lucent Technologies Inc.
发明人： Chen, Li-Han , Zhu, Wei , Jin, Sungho , van Dover, Robert Bruce
IPC分类号： H01F10/14
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/1878 , G11B5/3109 , G11B5/3903 , G11B5/3906 , H01F10/002 , H01F10/08 , H01F10/13 , H01F10/138 , H01F10/147 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F17/0033 , H01F41/302 , Y10S428/90 , Y10T428/115
摘要： The invention is embodied in a soft magnetic thin film article comprising an iron-chromium-nitrogen (Fe-Cr-N) based alloy and methods for making such article. The soft magnetic thin film article is formed using an iron-chromium-nitrogen based alloy with tantalum in one embodiment and with at least one of the elements titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), molybdenum (Mo), niobium (Nb) or tungsten (W) in another embodiment. The article is formed such that the alloy has a relatively high saturation magnetization (e.g., greater than approximately 15 kG) and a relatively low coercivity (e.g., less than approximately 2.0 oersteds) in an as-deposited condition or, alternatively, with a very low temperature treatment (e.g., below approximately 150°C). The inventive films are suitable for use in electromagnetic devices, for example, in microtransformer cores, inductor cores and in magnetic read-write heads.
摘要翻译：本发明体现在一种包含铁 - 铬 - 氮（Fe-Cr-N）基合金的软磁薄膜制品及其制造方法。软磁性薄膜制品在一个实施方案中使用具有钽的铁 - 铬 - 氮基合金和钛（Ti），锆（Zr），铪（Hf），钒（V），钼（Mo），铌（Nb）或钨（W）。制品形成为使得合金在沉积条件下具有相对高的饱和磁化强度（例如，大于约15kG）和相对低的矫顽力（例如，小于约2.0奥斯特），或者替代地，低温处理（如低于约150℃）。本发明的膜适用于电磁装置，例如在微型变压器铁芯，电感器芯和磁读写头中。

3. 发明授权

EP3229036B1 AIMANT PERMANENT COMPRENANT UN EMPILEMENT DE N MOTIFS 有权
公开(公告)号：EP3229036B1
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：EP17164946.0
申请日：2017-04-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DELAET, Bertrand , GIROUD, Sophie , HIDA, Rachid
IPC分类号： H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/00 , H01F13/00 , G01R33/00 , G01R33/038
CPC分类号： H01F1/047 , G01R33/0052 , G01R33/038 , H01F10/002 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F41/0253

4. 发明公开

EP2744002A1 Memory device 失效
标题翻译： Speichervorrichtung
公开(公告)号：EP2744002A1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP12197333.3
申请日：2012-12-14
申请人： Hitachi Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/08 , G11C11/16
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01L43/08
摘要： A memory device is described. The memory device comprises an antiferromagnet (17), an insulator (18) and an electrode (19) arranged in a tunnel junction configuration (20). The antiferromagnet is not coupled to any ferromagnet. The state of the antiferromagnet tunnel junction (20) can be set by heating the junction to a temperature at or above a critical temperature at which is possible to re-orientate magnetic moments (22) in the antiferromagnet, applying an external magnetic field and then cooling the junction to a temperature below the critical temperature.
摘要翻译：描述存储器件。存储器件包括布置在隧道结结构（20）中的反铁磁体（17），绝缘体（18）和电极（19）。反铁磁体不与任何铁磁体耦合。反铁磁隧道结（20）的状态可以通过将结加热到等于或高于临界温度的温度来设定，在临界温度下可以重新定向反铁磁体中的磁矩（22），施加外部磁场，然后将接头冷却至低于临界温度的温度。

5. 发明授权

EP1407449B1 SUPPORT DE STOCKAGE D'INFORMATIONS A RESEAU DE PLOTS AIMANTES LATERALEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE SUPPORT. 有权
标题翻译：同方磁化联络点和方式数据存储设备
公开(公告)号：EP1407449B1
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：EP02764938.3
申请日：2002-07-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： RODMACQ, Bernard , LANDIS, Stéphane , DIENY, Bernard
IPC分类号： G11B5/74 , G11B5/855 , G11B5/82 , G11B5/09
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/09 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11C11/14 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01F10/3286 , H01F41/308
摘要： The invention concerns a data storage medium with laterally magnetised pads and a method for making same. Each pad (2) contains at least a magnetic field consisting of a thin film (4) of at least a magnetic material laterally covering said pad and deposited under oblique incidence relative to the normal (z) of the plane (6) of the array. The invention is particularly applicable to computer hard discs.

6. 发明公开

EP3001470A1 Antiferromagnetic memory device 有权
标题翻译：反铁磁性研究
公开(公告)号：EP3001470A1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：EP14186900.8
申请日：2014-09-29
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/002 , H01L43/10
摘要： An antiferromagnetic memory device (1) is described. The memory device comprises an antiferromagnetic region (4) having a broken inversion symmetry along an axis (5), for example, by virtue of having bulk broken inversion symmetry in part of the unit cell corresponding to the antiferromagnetic spin sublattice or in the full unit cell or by virtue of being sufficiently thin and having broken structural inversion symmetry. The antiferromagnetic region (4) may comprise di-manganese gold (Mn 2 Au). The antiferromagnetic region (4) has an antiferromagnetic spin axis (6) which is selectively orientable along first and second easy axes (7 1 , 7 2 ) which are not parallel to the axis along which inversion symmetry is broken. The memory device also comprises a conductive channel configured to define a conductive path (10 1 ) through the antiferromagnetic region which is substantially not parallel to the axis along which inversion symmetry is broken or the device comprises a conductive path (50 1 ) through a paramagnetic or diamagnetic region adjacent to the antiferromagnetic region so as to cause spin-polarised current to diffuse into the antiferromagnetic region.
摘要翻译：描述了反铁磁存储器件（1）。存储器件包括具有沿着轴线（5）具有破坏的反转对称性的反铁磁区域（4），例如，由于在对应于反铁磁自旋子晶格的单位单元的一部分中具有体积破碎的反转对称，或者在整个单元或者由于足够薄并具有断裂的结构反演对称性。反铁磁性区域（4）可以包含二锰金（Mn 2 Au）。反铁磁区域（4）具有反铁磁旋转轴线（6），该反铁磁旋转轴线可以沿着第一和第二容易轴（7a，7b）选择性地定向，所述第一和第二容易轴线不平行于反转对称性被破坏的轴线。存储器件还包括导电通道，其被配置为通过反铁磁区域限定导电路径（10 1），所述反铁磁区域基本上不平行于反转对称性断开的轴线，或者该器件包括通过顺磁性的导电路径（50 1）或与反铁磁性区域相邻的抗磁性区域，以使自旋极化电流扩散到反铁磁性区域。

7. 发明公开

EP1407449A1 SUPPORT DE STOCKAGE D'INFORMATIONS A RESEAU DE PLOTS AIMANTES LATERALEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE SUPPORT. 有权
标题翻译：同方磁化联络点和方式数据存储设备
公开(公告)号：EP1407449A1
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：EP02764938.3
申请日：2002-07-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： RODMACQ, Bernard , LANDIS, Stéphane , DIENY, Bernard
IPC分类号： G11B5/74 , G11B5/855 , G11B5/82 , G11B5/09
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/09 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11C11/14 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01F10/3286 , H01F41/308
摘要： The invention concerns a data storage medium with laterally magnetised pads and a method for making same. Each pad (2) contains at least a magnetic field consisting of a thin film (4) of at least a magnetic material laterally covering said pad and deposited under oblique incidence relative to the normal (z) of the plane (6) of the array. The invention is particularly applicable to computer hard discs.

8. 发明公开

EP3229036A1 AIMANT PERMANENT COMPRENANT UN EMPILEMENT DE N MOTIFS 有权
标题翻译：包含N个原因的永久磁铁
公开(公告)号：EP3229036A1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：EP17164946.0
申请日：2017-04-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DELAET, Bertrand , GIROUD, Sophie , HIDA, Rachid
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/038 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/00
CPC分类号： H01F1/047 , G01R33/0052 , G01R33/038 , H01F10/002 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F41/0253
摘要： Cet aimant permanent comprend un empilement de N motifs (34) empilés immédiatement les uns sur les autres dans une direction d'empilement, chaque motif comportant :
- une couche antiferromagnétique (40) réalisée en matériau antiferromagnétique,
- une couche ferromagnétique (42) réalisée en matériau ferromagnétique, les directions d'aimantation des différentes couches ferromagnétiques de tous les motifs étant toutes identiques les unes aux autres.
Au moins une couche ferromagnétique (42) comporte :
- une première sous-couche (44) réalisée en CoFeB dont l'épaisseur est supérieure à 0,05 nm, et
- une deuxième sous-couche (46) réalisée dans un matériau ferromagnétique différent du CoFeB et dont l'épaisseur est supérieure à l'épaisseur de la première sous-couche.
摘要翻译：所述永久磁铁包含的N个单位在堆叠方向上彼此的顶部上堆叠的立即的堆叠（34），每个单元包括： - 由铁磁层（42） - 由反铁磁材料构成的反铁磁性层（40），在铁磁材料中，所有图案的不同铁磁层的磁化方向彼此完全相同。至少一个铁磁层（42）包括： - 由厚度大于0.05nm的CoFeB制成的第一子层（44），以及 - 由不同的铁磁材料制成的第二子层（46） CoFeB并且其厚度大于第一底涂层的厚度。

9. 发明授权

EP3001470B1 Antiferromagnetic memory device 有权
标题翻译：反铁磁存储器
公开(公告)号：EP3001470B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：EP14186900.8
申请日：2014-09-29
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/002 , H01L43/10

10. 发明授权

EP2744002B1 Memory device 失效
公开(公告)号：EP2744002B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：EP12197333.3
申请日：2012-12-14
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/00 , G11C11/16 , H01F10/32
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01L43/08

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