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1. 发明公开

EP2882004A1 Memory device based on anisotropic magentoresistance 失效
标题翻译： Speifhervorrichtung basierend auf anisotropem Magnetowiderstand
公开(公告)号：EP2882004A1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：EP13196118.7
申请日：2013-12-06
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675
摘要： A memory device is described. The memory device comprises an antiferromagnet (17; 107). The device may comprise an insulator (18) and an electrode (19) arranged in a tunnel junction configuration (20). Alternatively, the device may comprise first and second contacts to the antiferromagnet for measuring ohmic resistance of the antiferromagnet. The antiferromagnet is not coupled to any ferromagnet. The state of the antiferromagnet can be set by heating the junction to a temperature at or above a critical temperature at which is possible to re-orientate magnetic moments in the antiferromagnet, applying an external magnetic field and then cooling the antiferromagnet to a temperature below the critical temperature.
摘要翻译：描述存储器件。存储器件包括反铁磁体（17; 107）。该装置可以包括布置在隧道结结构（20）中的绝缘体（18）和电极（19）。或者，该装置可以包括用于测量反铁磁体的欧姆电阻的反铁磁体的第一和第二接触。反铁磁体不与任何铁磁体耦合。反铁磁体的状态可以通过将接合点加热到等于或高于临界温度的温度来设定，在临界温度下可以重新定向反铁磁体中的磁矩，施加外部磁场，然后将反铁磁体冷却到低于临界温度。

2. 发明授权

EP2882004B1 Memory device based on anisotropic magentoresistance 失效
标题翻译：基于各向异性磁存储设备
公开(公告)号：EP2882004B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：EP13196118.7
申请日：2013-12-06
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675

3. 发明公开

EP2744002A1 Memory device 失效
标题翻译： Speichervorrichtung
公开(公告)号：EP2744002A1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP12197333.3
申请日：2012-12-14
申请人： Hitachi Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/08 , G11C11/16
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01L43/08
摘要： A memory device is described. The memory device comprises an antiferromagnet (17), an insulator (18) and an electrode (19) arranged in a tunnel junction configuration (20). The antiferromagnet is not coupled to any ferromagnet. The state of the antiferromagnet tunnel junction (20) can be set by heating the junction to a temperature at or above a critical temperature at which is possible to re-orientate magnetic moments (22) in the antiferromagnet, applying an external magnetic field and then cooling the junction to a temperature below the critical temperature.
摘要翻译：描述存储器件。存储器件包括布置在隧道结结构（20）中的反铁磁体（17），绝缘体（18）和电极（19）。反铁磁体不与任何铁磁体耦合。反铁磁隧道结（20）的状态可以通过将结加热到等于或高于临界温度的温度来设定，在临界温度下可以重新定向反铁磁体中的磁矩（22），施加外部磁场，然后将接头冷却至低于临界温度的温度。

4. 发明公开

EP3001470A1 Antiferromagnetic memory device 有权
标题翻译：反铁磁性研究
公开(公告)号：EP3001470A1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：EP14186900.8
申请日：2014-09-29
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/002 , H01L43/10
摘要： An antiferromagnetic memory device (1) is described. The memory device comprises an antiferromagnetic region (4) having a broken inversion symmetry along an axis (5), for example, by virtue of having bulk broken inversion symmetry in part of the unit cell corresponding to the antiferromagnetic spin sublattice or in the full unit cell or by virtue of being sufficiently thin and having broken structural inversion symmetry. The antiferromagnetic region (4) may comprise di-manganese gold (Mn 2 Au). The antiferromagnetic region (4) has an antiferromagnetic spin axis (6) which is selectively orientable along first and second easy axes (7 1 , 7 2 ) which are not parallel to the axis along which inversion symmetry is broken. The memory device also comprises a conductive channel configured to define a conductive path (10 1 ) through the antiferromagnetic region which is substantially not parallel to the axis along which inversion symmetry is broken or the device comprises a conductive path (50 1 ) through a paramagnetic or diamagnetic region adjacent to the antiferromagnetic region so as to cause spin-polarised current to diffuse into the antiferromagnetic region.
摘要翻译：描述了反铁磁存储器件（1）。存储器件包括具有沿着轴线（5）具有破坏的反转对称性的反铁磁区域（4），例如，由于在对应于反铁磁自旋子晶格的单位单元的一部分中具有体积破碎的反转对称，或者在整个单元或者由于足够薄并具有断裂的结构反演对称性。反铁磁性区域（4）可以包含二锰金（Mn 2 Au）。反铁磁区域（4）具有反铁磁旋转轴线（6），该反铁磁旋转轴线可以沿着第一和第二容易轴（7a，7b）选择性地定向，所述第一和第二容易轴线不平行于反转对称性被破坏的轴线。存储器件还包括导电通道，其被配置为通过反铁磁区域限定导电路径（10 1），所述反铁磁区域基本上不平行于反转对称性断开的轴线，或者该器件包括通过顺磁性的导电路径（50 1）或与反铁磁性区域相邻的抗磁性区域，以使自旋极化电流扩散到反铁磁性区域。

5. 发明授权

EP3001470B1 Antiferromagnetic memory device 有权
标题翻译：反铁磁存储器
公开(公告)号：EP3001470B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：EP14186900.8
申请日：2014-09-29
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/002 , H01L43/10

6. 发明授权

EP2744002B1 Memory device 失效
公开(公告)号：EP2744002B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：EP12197333.3
申请日：2012-12-14
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Wunderlich, Joerg , Marti, Xavier , Jungwirth, Tomas
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/00 , G11C11/16 , H01F10/32
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01F10/002 , H01F10/3218 , H01L43/08

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