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    • 2. 发明申请
    • OPTICAL SYSTEM, IN PARTICULAR ILLUMINATION DEVICE OR PROJECTION OBJECTIVE OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
    • 光学系统,特别是照明设备或投影微波投影曝光装置的目标
    • WO2008119794A1
    • 2008-10-09
    • PCT/EP2008/053847
    • 2008-03-31
    • CARL ZEISS SMT AGTOTZECK, MichaelGRUNER, ToralfFIOLKA, Damian
    • TOTZECK, MichaelGRUNER, ToralfFIOLKA, Damian
    • G03F7/20
    • G03F7/70566
    • The invention relates to an optical system, in particular an illumination device or a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus, comprising a polarization compensator (100, 200, 300, 400, 800, 900), which has at least one polarization-modifying partial element (110-140, 210-240, 310-340, 410-440, 810-840, 910-940), and a manipulator (150, 250, 722, 851-854, 951a-954a, 951b-954b), by means of which the position of the at least one partial element can be altered, wherein, in the optical system, at least one operating mode (501-504) can be set in which the intensity, over a region which belongs to a plane perpendicular to the optical axis (OA) and which can be illuminated with light from said light source, does not exceed 20% of the maximum intensity in said plane, and wherein the manipulator (150, 250, 722, 851-854, 951a-954a, 951b-954b) is arranged in said region.
    • 本发明涉及光学系统,特别是微光刻投影曝光装置的照明装置或投影物镜,该光学装置或投影物镜包括极化补偿器(100,200,300,400,800,900),其具有至少一个偏振修正 部分元件(110-140,210-240,310-340,410-440,810-840,910-940)和操纵器(150,250,722,851-854,951a-954a,951b-954b) ,借助于此可以改变至少一个部分元件的位置,其中在光学系统中,可以设置至少一个操作模式(501-504),其中强度在属于 垂直于光轴(OA)的并且可以用来自所述光源的光照射的平面不超过所述平面中最大强度的20%,并且其中所述操纵器(150,250,722,851-854,951a -954a,951b-954b)布置在所述区域中。
    • 7. 发明申请
    • OPTIMIERVERFAHREN FÜR EIN OBJEKTIV MIT FLUORID-KRISTALL-LINSEN SOWIE OBJEKTIV MIT FLUORID-KRISTALL-LINSEN
    • 优化方法用氟晶镜头和镜头用氟晶镜头镜头
    • WO2004023172A1
    • 2004-03-18
    • PCT/EP2003/009167
    • 2003-08-19
    • CARL ZEISS SMT AGTOTZECK, MichaelKAMENOV, VladimirGRUNER, Toralf
    • TOTZECK, MichaelKAMENOV, VladimirGRUNER, Toralf
    • G02B5/30
    • G02B1/08G02B1/02G02B5/3083G02B13/143G03F7/70241G03F7/705G03F7/70966Y10S359/90
    • Numerisches Optimierverfahren zum Bestimmen der optischen Daten eines Objektivs (1), insbesondere eines Projektionsobjektivs für eine Milcrolithographie­- Projektionsbelichtungsanlage, wobei mit dem Optimierverfahren eine Optimierfunkction minimiert wird. Mit dem Optimierverfahren wird der störende Einfluss der intrinsischen Doppelbrechung von Linsen (L101-L130) aus Fluorid-Kristall-Material mit kubischer Kristallstruktur reduziert, indem in der Optimierfunktion mindestens ein Doppelbrechungs­-Bildfehler berücksichtigt wird, welcher basierend auf der Durchrechnung eines Strahls (7) durch die Fluorid-Kristall-Linsen bestimmt wird und welcher, soweit er von Parametern des Strahls abhängt, nur von geometrischen Parametern des Strahls abhängt. Mit dem numerischen Optimierverfahren werden Objektive (1) hergestellt, bei welchen sowohl eine optische Verzögerung als auch eine optische Verzögerungs-Asymmetrie korrigiert ist. Die Objektive weisen dabei mehrere homogene Gruppen (HG1-HG7) auf, in welchen jeweils die optische Verzögerungs-­Asymmetrie korrigiert ist.
    • 用于确定目标(1)的光学数据,尤其是投影物镜用于Milcrolithographie-投影曝光装置,其特征在于,一个Optimierfunkction被最小化与所述优化方法数值优化方法。 与优化方法的氟化物晶体材料制成的透镜(L101-L130)的固有双折射的干扰影响被至少一个双折射图像误差具有立方晶体结构减少了优化功能,其基于所述跟踪的光束被认为是(7) 由氟化物晶体透镜,并且其,只要它依赖于光束的参数,仅依赖于光束的几何参数来确定。 与数值优化方法透镜(1)制备,其中两个光延迟和光学延迟不对称校正。 在这种情况下,透镜具有更均匀的基团(HG1-HG7),在其中的每一个光学延迟不对称校正。
    • 10. 发明申请
    • BELEUCHTUNGSSYSTEM FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
    • 照明系统,微光刻投射曝光系统
    • WO2008022680A1
    • 2008-02-28
    • PCT/EP2007/006463
    • 2007-07-20
    • CARL ZEISS SMT AGGRUNER, ToralfTOTZECK, Michael
    • GRUNER, ToralfTOTZECK, Michael
    • G03F7/20H05H7/04
    • G03F7/70566B82Y10/00G03F7/70008G21K2201/061H05G2/00
    • Ein Beleuchtungssystem (6) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat eine EUV-Lichtquelle (7), die einen Ausgabestrahl (13) linear polarisierten EUV-Beleuchtungslichts erzeugt. Eine Beleuchtungsoptik (24, 25, 31, 37) führt den Ausgabestrahl (13) längs einer optischen Achse (20), wodurch ein Beleuchtungsfeld in einer Retikelebene (2) mit dem Ausgabestrahl (13) beleuchtet wird. Eine mindestens die EUV-Lichtquelle (7) umfassende Beleuchtungs-Untereinheit (7) des Beleuchtungssystems (6) hat eine Polarisations-Einstelleinrichtung (15, 18) zur Vorgabe einer definierten Polarisation des EUV-Ausgabestrahls (13) der Beleuchtungs-Untereinheit (7). Es resultiert ein Beleuchtungssystem, das flexibel an Polarisationsanforderungen der Anlage sowie der auf das Substrat bzw. den Wafer zu projizierenden Struktur angepasst werden kann.
    • 用于微光刻投射曝光设备(1)的照明系统(6)生成(7),其具有输出光束(13)的线偏振光EUV照明光的EUV光源。 的照明光学部件(24,25,31,37)开沿着光轴(20),由此在掩模母版平面(2)的照明场由所述输出光束(13)照射的输出光束(13)。 至少所述EUV光源(7)包括照射子单元(7)的照明系统(6)具有用于设置一个限定的照明子单元的EUV发射光束(13)的偏振的偏振调整装置(15,18)(7) , 结果是该系统的偏振要求的照明系统,并且可以被适配为在基板或晶片结构要投影灵活。