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1. 发明申请

WO2007031544A1 OPTICAL SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：微波曝光系统的光学系统
公开(公告)号：WO2007031544A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/EP2006/066332
申请日：2006-09-13
申请人： CARL ZEISS SMT AG , TOTZECK, Michael , BEDER, Susanne , CLAUSS, Wilfried , FELDMANN, Heiko , KRÄHMER, Daniel , DODOC, Aurelian
发明人： TOTZECK, Michael , BEDER, Susanne , CLAUSS, Wilfried , FELDMANN, Heiko , KRÄHMER, Daniel , DODOC, Aurelian
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B5/3083 , G02B27/286 , G03F7/70566 , G03F7/70966
摘要： An optical system, in particular an illumination system or a projection lens of a microlithographic exposure system, according to one aspect of the present invention has an optical system axis (OA) and at least one element group (200) consisting of three birefringent elements (211 ,212,213) each of which being made of optically uniaxial material and having an aspheric surface, wherein a first birefringent element (211 ) of said group has a first orientation of its optical crystal axis, a second birefringent element (212) of said group has a second orientation of its optical crystal axis, wherein said second orientation can be described as emerging from a rotation of said first orientation, said rotation not corresponding to a rotation around the optical system axis by an angle of 90° or an integer multiple thereof, and a third birefringent element (213) of said group has a third orientation of its optical crystal axis, wherein said third orientation can be described as emerging from a rotation of said second orientation said rotation not corresponding to a rotation around the optical system axis by an angle of 90° or an integer multiple thereof.
摘要翻译：根据本发明的一个方面的光学系统，特别是微光刻曝光系统的照明系统或投影透镜，具有光学系统轴（OA）和由三个双折射元件（200）组成的至少一个元件组（200） 211,212,213），其由光学单轴材料制成并具有非球面，其中所述组的第一双折射元件（211）具有其光学晶轴的第一取向，所述组的第二双折射元件（212）具有其光学晶轴的第二取向，其中所述第二取向可以被描述为从所述第一取向的旋转出来，所述旋转不对应于围绕光学系统轴的旋转90°的角度或其整数倍，并且所述组的第三双折射元件（213）具有其光学晶轴的第三取向，其中所述第三取向可以被描述为从所述第二方向的旋转，所述旋转不对应于围绕光学系统轴的旋转90°的角度或其整数倍。

2. 发明申请

WO2006114294A2 ILLUMINATION SYSTEM FOR A MICROLITHGRAPHIC EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：微波曝光装置照明系统
公开(公告)号：WO2006114294A2
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/EP2006003864
申请日：2006-04-26
申请人： ZEISS CARL SMT AG , SOHMER ALEXANDER , DODOC AURELIAN , FELDMANN HEIKO , ULRICH WILHELM , FUERTER GERHARD , EGGER RAFAEL , MOEGELE ARTUR , RAUM MICHAEL
发明人： SOHMER ALEXANDER , DODOC AURELIAN , FELDMANN HEIKO , ULRICH WILHELM , FUERTER GERHARD , EGGER RAFAEL , MOEGELE ARTUR , RAUM MICHAEL
IPC分类号： G02B19/00
CPC分类号： G03F7/70075 , G02B17/0892 , G02B27/0043
摘要： An illumination system (12) of a microlithographic exposure apparatus (10) comprises a condenser (601; 602; 603; 604; 605; 606) for transforming a pupil plane (54) into a field plane (62) . The condenser has a lens group (L14, L15, L16, L17; L24, L25, L26, L27, L28; L34, L35, L36, L37; L44, L45, L46; L53, L54, L55) that contains a plurality of consecutive lenses. These lenses are arranged such that a light bundle (70) focused by the condenser (601; 602; 603; 604; 605) on an on-axis field point (72) converges within each lens of the lens group. At least one lens (L15, L16, L17; L25, L26; L34, L44, L45; L54) of the lens group has a concave surface. The illumination system may further comprise a field stop objective (66; 666, 666') that at least partly corrects a residual pupil aberration of the condenser (601; 602; 603; 604; 605; 606) .
摘要翻译：微光刻曝光设备（10）的照明系统（12）包括用于将光瞳平面（54）变换成场平面（62）的冷凝器（601; 602; 603; 604; 605; 606）。冷凝器具有透镜组（L14，L15，L16，L17; L24，L25，L26，L27，L28; L34，L35，L36，L37; L44，L45，L46; L53，L54，L55）连续镜头。这些透镜被布置为使得在轴上场点（72）上由聚光器（601; 602; 603; 604; 605）聚焦的光束（70）会聚在透镜组的每个透镜内。透镜组的至少一个透镜（L15，L16，L17; L25，L26; L34，L44，L45; L54）具有凹面。照明系统还可以包括至少部分校正冷凝器（601; 602; 603; 604; 605; 606）的残余光瞳像差的场停止物镜（66; 666,666'）。

3. 发明申请

WO2006053751A3 PROJECTION LENS SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE INSTALLATION 审中-公开
标题翻译：投影镜头的微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2006053751A3
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/EP2005012327
申请日：2005-11-17
申请人： ZEISS CARL SMT AG , BEIERL HELMUT , BLEIDISTEL SASCHA , SINGER WOLFGANG , GRUNER TORALF , EPPLE ALEXANDER , WABRA NORBERT , BEDER SUSANNE , WEBER JOCHEN , FELDMANN HEIKO , SCHWAER BAERBEL , ROGALSKY OLAF , KAZI ARI
发明人： BEIERL HELMUT , BLEIDISTEL SASCHA , SINGER WOLFGANG , GRUNER TORALF , EPPLE ALEXANDER , WABRA NORBERT , BEDER SUSANNE , WEBER JOCHEN , FELDMANN HEIKO , SCHWAER BAERBEL , ROGALSKY OLAF , KAZI ARIF
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70891
摘要： A microlithographic projection exposure installation comprises a projection lens system (20), which projects an object (24) onto a focal plane (28) and which has a lens (L3) with a curved surface (S). A liquid or solid medium (34) is located in the projection lens system (20) and directly abuts against the curved surface (S) over an area that can be used for the projection of the object (24). The projection exposure installation also comprises an adjustable manipulator (M) for reducing a curvature of field that is caused by a heating of the medium (34) during the projection operation.
摘要翻译：微光刻投射曝光设备包括：一个投影透镜（20），该图像的对象（24）到图像平面（28）和具有弯曲表面（S）的透镜（L3）。在投影透镜（20）是液体或固体培养基（34），紧邻所述弯曲表面（S）在一定范围内作为用于所述对象（24）的成像。的投影曝光装置还包括一个可调节的操纵器（M），以减少的场曲，这是由投影操作期间介质（34）的加热而引起的。

4. 发明申请

WO2012041720A2 PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY AND METHOD FOR MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE 审中-公开
标题翻译： EUV微型摄影用投影曝光装置及微型曝光方法
公开(公告)号：WO2012041720A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066104
申请日：2011-09-16
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
发明人： BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70091 , G03F7/701 , G03F7/70425
摘要： The invention relates to a projection exposure apparatus for EUV microlithography comprising an illumination system (1) for illuminating a pattern and a projection objective (2) for imaging the pattern onto a light-sensitive substrate (5). The projection objective (2) has a pupil plane (30) with an obscuration. The illumination system (1) generates light with an angular distribution. The angular distribution has an illumination pole (35, 36) which extends over a range of polar angles and a range of azimuth angles and within which the light intensity is greater than an illumination pole minimum value. From the illumination pole (35, 36) toward large polar angles a dark zone (41, 42) is excluded within which the light intensity is less than the illumination pole minimum value, and which has in regions a form corresponding to the form of the obscuration of the pupil plane (30).
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV微光刻的投影曝光设备，其包括用于照射图案的照射系统（1）和用于将图案成像到光敏基底（5）上的投影物镜（2）。投影物镜（2）具有遮光的光瞳平面（30）。照明系统（1）产生具有角度分布的光。角度分布具有在极角范围和方位角范围上延伸的照明极（35,36），并且在该范围内光强度大于照明极点最小值。从照明极（35,36）朝向大极角，排除了暗区（41,42），在暗区内光强度小于照明极点最小值，并且在区域中具有对应于照明极的最小值的形式模糊瞳孔飞机（30）。

5. 发明申请

WO2011161243A1 METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING AND / OR REPAIRING OF AN EUV MASK DEFECT 审中-公开
标题翻译：用于分析和/或修复EUV掩蔽缺陷的方法和装置
公开(公告)号：WO2011161243A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/060626
申请日：2011-06-24
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , CARL ZEISS SMT GMBH , BUDACH, Michael , BRET, Tristan , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , FELDMANN, Heiko , RUOFF, Johannes
发明人： BUDACH, Michael , BRET, Tristan , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , FELDMANN, Heiko , RUOFF, Johannes
IPC分类号： G03F1/14 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G01N21/95 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/48 , G03B27/68 , G03F1/24 , G03F1/72 , G03F1/74 , G03F1/84 , G03F7/705 , G03F7/7065 , G06F17/5009 , G06T7/0002 , G21K5/00
摘要： The invention relates to a method for analyzing a defect of a photolithographic mask for an extreme ultraviolet (EUV) wavelength range (EUV mask) comprising the steps of: (a) generating at least one focus stack relating to the defect using an EUV mask inspection tool, (b) determining a surface configuration of the EUV mask at a position of the defect, (c) providing model structures having the determined surface configuration which have different phase errors and generating the respective focus stacks, and (d) determining a three dimensional error structure of the EUV mask defect by comparing the at least one generated focus stack of the defect and the generated focus stacks of the model structures.
摘要翻译：本发明涉及一种用于分析用于极紫外（EUV）波长范围（EUV掩模）的光刻掩模的缺陷的方法，包括以下步骤：（a）使用EUV掩模检查产生与缺陷有关的至少一个焦点叠层工具，（b）在缺陷的位置确定EUV掩模的表面结构，（c）提供具有确定的表面配置的模型结构，其具有不同的相位误差并产生相应的焦点堆叠，以及（d）确定三维通过比较所述缺陷的至少一个生成的焦点堆栈和所产生的模型结构的焦点堆栈，来确定EUV掩模缺陷的三维误差结构。

6. 发明申请

WO2011101331A1 ILLUMINATION SYSTEM AND PROJECTION OBJECTIVE OF A MASK INSPECTION APPARATUS 审中-公开
标题翻译：面罩检测装置的照明系统和投影目标
公开(公告)号：WO2011101331A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/052184
申请日：2011-02-15
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , FELDMANN, Heiko , SOHMEN, Erik Matthias , STÜHLER, Joachim , GROMER, Oswald , MÜLLER, Ulrich , LAYH, Michael , SCHWAB, Markus
发明人： FELDMANN, Heiko , SOHMEN, Erik Matthias , STÜHLER, Joachim , GROMER, Oswald , MÜLLER, Ulrich , LAYH, Michael , SCHWAB, Markus
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , G01N21/00
CPC分类号： G03F7/70091 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F1/84
摘要： The invention concerns an illumination system and a projection objective of a mask inspection apparatus. In accordance with an aspect of the invention an illumination system (610) in operation of the mask inspection apparatus illuminates a mask (630) with an illumination bundle of rays (615) having a centroid ray, wherein said centroid ray has a direction dependent on the location of the incidence of the illumination bundle of rays (615) on the mask (630).
摘要翻译：本发明涉及一种面罩检查装置的照明系统和投影物镜。根据本发明的一个方面，在掩模检查设备的操作中的照明系统（610）用具有质心射线的照射光束（615）照射掩模（630），其中所述质心射线具有取决于照射光束束（615）入射到掩模（630）上的位置。

7. 发明申请

WO2007144193A1 PROJECTION OBJECTIVE OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：微波投影曝光装置的投影目标
公开(公告)号：WO2007144193A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/EP2007/005297
申请日：2007-06-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , SCHUSTER, Karl-Heinz , FELDMANN, Heiko , GRUNER, Toralf , TOTZECK, Michael , CLAUSS, Wilfried , BEDER, Susanne , KRÄHMER, Daniel , DITTMANN, Olaf
发明人： SCHUSTER, Karl-Heinz , FELDMANN, Heiko , GRUNER, Toralf , TOTZECK, Michael , CLAUSS, Wilfried , BEDER, Susanne , KRÄHMER, Daniel , DITTMANN, Olaf
IPC分类号： G02B27/00 , G03F7/20 , G02B5/30
CPC分类号： G03F7/70341 , G02B5/3091 , G02B27/0025 , G03F7/70308
摘要： A projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus has a high index refractive optical element (L3) with an index of refraction greater than 1.6. This element (L3) has a volume and a material related optical property which varies over the volume. Variations of this optical property cause an aberration of the objective. In one embodiment at least 4 optical surfaces are provided that are arranged in at least one volume (L3') which is optically conjugate with the volume of the refractive optical element. Each optical surface comprises at least one correction means, for example a surface deformation or a birefringent layer with locally varying properties, which at least partially corrects the aberration caused by the variation of the optical property.
摘要翻译：微光刻投影曝光装置的投影物镜具有折射率大于1.6的高折射率折射光学元件（L3）。该元件（L3）具有在体积上变化的体积和材料相关的光学性质。该光学特性的变化导致物镜的像差。在一个实施例中，提供至少4个光学表面，其布置在与折射光学元件的体积光学共轭的至少一个体积（L3'）中。每个光学表面包括至少一个校正装置，例如具有局部变化特性的表面变形或双折射层，其至少部分地校正由光学性质的变化引起的像差。

8. 发明申请

WO2007131161A3 SYMMETRICAL OBJECTIVE HAVING FOUR LENS GROUPS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
公开(公告)号：WO2007131161A3
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/US2007/068227
申请日：2007-05-04
申请人： CARL ZEISS SMT AG , SHAFER, David , DODOC, Aurelian , FELDMANN,, Heiko , ZELLNER, Johannes , ULRICH, Wilhelm , WALTER, Holger , LOERING, Ulrich , KRAEHMER, Daniel , FUERTER, Gerhard
发明人： SHAFER, David , DODOC, Aurelian , FELDMANN,, Heiko , ZELLNER, Johannes , ULRICH, Wilhelm , WALTER, Holger , LOERING, Ulrich , KRAEHMER, Daniel , FUERTER, Gerhard
IPC分类号： G02B13/14 , G02B13/26 , G03F7/20
摘要： The invention features a system for microlithography that includes a mercury light source configured to emit radiation at multiple mercury emission lines, a projection objective positioned to receive radiation emitted by the mercury light source, and a stage configured to position a wafer relative to the projection objective. During operation, the projection objective directs radiation from the light source to the wafer, where the radiation at the wafer includes energy from more than one of the emission lines. Optical lens systems for use in said projection objective comprise four lens groups, each having two lenses comprising silica, the first and second lens groups on one hand and the third and fourth lens groups on the other hand are positioned symmetrically with respect to a plane perpendicular to the optical axis of said lens system.

9. 发明申请

WO2007101774A1 PROJEKTIONSOBJEKTIV EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：投影镜头的微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2007101774A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/EP2007/051497
申请日：2007-02-16
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HELLWEG, Dirk , FELDMANN, Heiko
发明人： HELLWEG, Dirk , FELDMANN, Heiko
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70316
摘要： Die Erfindung betrifft ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, zur Abbildung einer in einer Objektebene positionierbaren Maske auf eine in einer Bildebene positionierbare lichtempfindliche Schicht, wobei das Projektionsobjektiv (108) ein bildebenenseitig letztes optisches Element (113) mit einer Lichteintrittsfläche und einer Lichtaustrittsfläche aufweist und für einen Immersionsbetrieb ausgelegt ist, in welchem in einem Bereich zwischen der Lichtaustrittsfläche und der Bildebene (IP) eine Immersionsflussigkeit (114) angeordnet ist, und wobei wenigstens eine zwischen der Lichteintrittsfläche des bildebenenseitig letzten optischen Elements (113) und der Immersionsflussigkeit (114) befindliche Grenzfläche wenigstens bereichsweise eine Mikrostrukturierung (117, 217, 313a, 413a, 515a, 615a) aufweist.
摘要翻译：本发明涉及微光刻投射曝光设备的投射物镜用于光敏层的图像平面中，其中，所述投射物镜（108）具有包括光入射表面和光出射表面和一个像面侧最后光学元件（113）上的定位在物平面掩模成像的定位浸没模式被设置，其中，在所述光出射表面和像平面（IP）的浸没液体（114）之间的区域被设置，并且其中，位于所述界面处的像面侧的光入射面末级光学元件（113）之间的至少一个和至少浸没液体（114）区域，微结构（117，217，313A，413A，515A，615A）具有。

10. 发明申请

WO2007003563A1 PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE MIT EINER MEHRZAHL VON PROJEKTIONSOBJEKTIVEN 审中-公开
标题翻译：与投射物镜的NUMBER投射曝光系统，
公开(公告)号：WO2007003563A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/EP2006/063663
申请日：2006-06-28
申请人： CARL ZEISS SMT AG , DODOC, Aurelian , ULRICH, Wilhelm , FELDMANN, Heiko
发明人： DODOC, Aurelian , ULRICH, Wilhelm , FELDMANN, Heiko
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70275 , G03F7/70791
摘要： Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven (10) , von denen jedes ein Objektfeld (50) in ein Bildfeld (60) abbildet. Die Bildfelder (60) sind in einem Substratbereich (40) in einer Substratebene angeordnet, wobei der Substratbereich (40) in einer vorbestimmten Scanrichtung (5) relativ zu der Mehrzahl von Projektionsobjektiven bewegbar ist, wobei wenigstens eines dieser Projektionsobjektive einen Teilabschnitt seiner optischen Achse aufweist, welcher nicht senkrecht zu der Substratebene verläuft und wobei die Projektion dieses Teilabschnitts in die Substratebene nicht parallel zur Scanrichtung (5) verläuft .
摘要翻译：本发明涉及的投射曝光设备（1），具有多个投影透镜（10），其中的每一个都是一个对象字段（50）映射到像场（60）。画面（60）被布置在基板平面的衬底区（40），其中，在预定的扫描方向（5）的衬底区（40）是相对于所述多个投影透镜可动，具有其光轴的一部分这些投影透镜，其中至少一个这是不垂直于基片平面和该部分段的突出部不平行于基板平面的扫描方向（5）。

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