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    • 9. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG VON MATERIALPARAMETERN, INSBESONDERE DER LADUNGSTRÄGERLEBENSDAUER EINES HALBLEITERSUBSTRATES DURCH MESSUNG VON LUMINESZENZSTRAHLUNG
    • 方法和装置用于测定材料参数,通过测定发光的半导体衬底尤其是承载器LIFE
    • WO2014147234A1
    • 2014-09-25
    • PCT/EP2014/055728
    • 2014-03-21
    • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
    • GIESECKE, JohannesWARTA, WilhelmSCHUBERT, Martin
    • G01R31/26G01N21/66
    • G01N21/66G01R31/2648H01L22/12
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern, insbesondere der Ladungsträgerlebensdauer eines Haibleitersubstrates durch Messung von Lumineszenzstrahlung, folgende Verfahrensschritte umfassend: a. Anregen des Halbleitersubstrats zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung durch injizieren von Ladungsträgern in dem Halbleitersubstrat, wobei der zeitliche Verlauf der Anregungsintensität l A (t) periodisch moduliert ist; b. Zeitaufgelöstes Messen der Intensität der von einem Messbereich des Haibleitersubstrates ausgehenden Lumineszenzstrahlung, wobei zumindest der relative zeitliche Verlauf der Lumineszenzstrahlung Ø(t) zumindest während einer Anregungsperiode gemessen wird; c. Bestimmen mindestens eines Materialparameters des Haibleitersubstrates abhängig von dem zeitlichen Verlauf der Anregungsintensität l A (t) und dem zeitlichen Verlauf der Intensität der Lumineszenzstrahlung ∅(t) ; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A eine Strom-Spannungsquelle elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat verbunden wird und mittels der Strom-Spannungsquelle das Anregen mittels Beaufschlagen des Haibleitersubstrates mit zeitlich modulierter elektrischer Spannung erfolgt.
    • 本发明涉及一种用于通过发光测量来确定材料的参数,特别是Haibleitersubstrates的充电载流子寿命,其包括以下步骤:a。 激发半导体衬底注入载流子到半导体衬底,其中所述激发强度(t)的时间分布被调制周期性地升A到产生发光; 湾 从Haibleitersubstrates发光辐射的测量范围的发出,其中至少发光O(T)的相对时间进程期间的激励期间至少测量的强度的时间分辨测量; 温度。 确定取决于激发强度I A(t)和发光辐射∅(t)的强度的时间变化曲线的时间分布的材料Haibleitersubstrates中的至少一个参数; 本发明的特征在于,一个电流 - 电压源导电地连接到在方法步骤A中的半导体基板,以及由所述电流 - 电压源的装置,所述激励装置激励以在时间上调制电电压的Haibleitersubstrates。