会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明申请
    • СОЛНЕЧНЫЙ КОЛЛЕКТОР
    • 太阳能收集器
    • WO2016043631A1
    • 2016-03-24
    • PCT/RU2015/000586
    • 2015-09-17
    • ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ГОРНОСТАЙ"
    • ЧУЖМАРОВ, Владимир Анатольевич
    • F24J2/20F24J2/50B82Y99/00
    • B82Y99/00F24S10/50F24S80/50Y02E10/44
    • Изобретение относится к области энергетики, а именно к области использования солнечной энергии, и может быть применено в солнечных коллекторах с использованием энергии солнечного излучения в качестве источника теплового излучения. Техническим результатом изобретения является снижение теплопотерь и увеличение эффективности преобразования солнечной энергии. Солнечный коллектор включает корпус, выполненный из двух, по крайней мере, однокамерных стеклопакетов, соединенных герметичной рамкой. Рамка выполнена с возможностью образовывать заполненное высокотемпературным теплоносителем герметичное пространство между стеклопакетами с узлом подачи высокотемпературного теплоносителя и узлом выхода высокотемпературного теплоносителя. При этом стеклопакеты выполнены вакуумными.
    • 本发明涉及电力工程领域,更具体地涉及太阳能利用领域,并且可以用于使用太阳辐射能量作为热辐射源的太阳能收集器。 本发明的技术结果是减少了热损失并提高了太阳能转换效率。 太阳能收集器包括由两个至少单腔绝缘玻璃单元形成的主体,其通过密封框架连接。 框架被设计成使得可以在绝热玻璃单元之间形成填充有高温传热介质的气密密封空间,以及用于供应高温传热介质的组件和用于排出高温传热介质的组件, 温度传热介质。 绝缘玻璃单元设有真空。
    • 7. 发明申请
    • NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING A TUNNEL OXIDE AS A PASSIVE CURRENT STEERING ELEMENT
    • 使用隧道式氧化物作为被动电流转向元件的非易失性存储器件
    • WO2013109954A2
    • 2013-07-25
    • PCT/US2013/022242
    • 2013-01-18
    • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBASANDISK 3D LLC
    • TENDULKAR, MihirHASHIM, ImranWANG, Yun
    • H01L45/00H01L21/02B82Y99/00
    • H01L45/08H01L27/2409H01L27/2463H01L45/12H01L45/1233H01L45/146H01L45/1608H01L45/1616
    • Embodiments of the invention generally include a method of forming a nonvolatile memory device that contains a resistive switching memory element that has improved device switching performance and lifetime, due to the addition of a current limiting component disposed therein. The electrical properties of the current limiting component are configured to lower the current flow through the variable resistance layer during the logic state programming steps by adding a fixed series resistance in the resistive switching memory element of the nonvolatile memory device. In one embodiment, the current limiting component comprises a tunnel oxide that is a current limiting material disposed within a resistive switching memory element in a nonvolatile resistive switching memory device. Typically, resistive switching memory elements may be formed as part of a high-capacity nonvolatile memory integrated circuit, which can be used in various electronic devices, such as digital cameras, mobile telephones, handheld computers, and music players.
    • 本发明的实施例通常包括形成非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件包含由于添加限定在其中的限流部件的添加而具有改进的器件切换性能和寿命的电阻式开关存储元件。 限流部件的电气特性被配置为在逻辑状态编程步骤期间通过在非易失性存储器件的电阻式开关存储器元件中添加固定串联电阻来降低通过可变电阻层的电流。 在一个实施例中,限流部件包括隧道氧化物,隧道氧化物是设置在非易失性电阻式开关存储器件中的电阻式开关存储器元件内的限流材料。 通常,电阻式开关存储器元件可以形成为可用于各种电子设备(例如数码相机,移动电话,手持式计算机和音乐播放器)的大容量非易失性存储器集成电路的一部分。