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1. 发明申请

WO2008149686A1 ドーパントの注入方法、及びドーピング装置审中-公开
标题翻译： DOPANT植入方法和打浆装置
公开(公告)号：WO2008149686A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/059508
申请日：2008-05-23
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 久保田利通
发明人：鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 久保田利通
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要：　ドーパントの注入方法は、常温で固体状のＧｅを保持するとともに、半導体融液（Ｓ）表面近傍で液化させ、液化したＧｅを下方に流す連通孔（３２１）が形成されたドーパント保持部（３２）と、ドーパント保持部（３２）に保持されたＧｅを覆う被覆部（３１）と、被覆部（３１）に形成され、外部との通気を行う通気孔（３１３）とを備えたドーピング装置（３）に、固体状のＧｅドーパント（Ｄ）を装填する工程と、ドーピング装置（３）を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のＧｅドーパントを液化させる工程と、連通孔（３２１）より半導体融液中（Ｓ）に液化したＧｅをドーピングする工程とを実施する。
摘要翻译：掺杂装置（3）设置有在常温下保持固态Ge的掺杂剂保持部（32），使半导体熔体（S）的表面附近的Ge液化，并具有连通孔（ 321），用于允许液化Ge向下流动; 用于覆盖由掺杂剂保持部分（32）保持的Ge的覆盖部分（31）; 以及形成在所述覆盖部分（31）上用于将空气与外部通风的通风孔（313）。提供掺杂剂注入方法，其具有用固态Ge掺杂剂（D）填充掺杂装置的步骤; 将掺杂装置（3）从半导体熔融物的表面保持在规定高度并液化所施加的固态Ge掺杂剂的步骤; 以及从所述连通孔（321）向所述液化Ge掺杂半导体熔融物（S）的步骤。

2. 发明申请

WO2008146725A1 シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板审中-公开
标题翻译：用于生产硅单晶和高分辨N型半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2008146725A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059512
申请日：2008-05-23
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 川添真一 , 鳴嶋康人 , 久保田利通 , 小川福生
发明人：川添真一 , 鳴嶋康人 , 久保田利通 , 小川福生
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要：　シリコン融液にリン（Ｐ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）、又はシリコン－ゲルマニウム融液にリンを添加した後、得られたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、リン濃度［Ｐ］（atoms／cm ３）が、４．８４×１０１９ atoms／cm ３以上、８．４９×１０１９ atoms／cm ３以下、リン濃度［Ｐ］（atoms／cm）３）及びＧｅ濃度［Ｇｅ］（atoms／cm ３）が、下記式（１）の関係を満たすように結晶を育成することを特徴とする。
摘要翻译：在通过Czochralski法从含有磷（P）和锗（Ge）的硅熔体或含有磷（P）的硅 - 锗熔体）生长硅单晶的过程中，磷[P]（原子/ cm3 ）为4.84×1019〜8.49×1019原子/ cm3，磷[P]（原子/ cm 3）的浓度和锗[Ge]（原子/ cm 3）的浓度满足式（1）所示的要求。 [Ge] <-6.95×[P] + 5.90×1020（1）

3. 发明申请

WO2008038693A1 ドーパントガスの注入方法审中-公开
标题翻译： DOPANT气体注入方法
公开(公告)号：WO2008038693A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/068763
申请日：2007-09-27
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 小川福生 , 川添真一 , 久保田利通
发明人：鳴嶋康人 , 小川福生 , 川添真一 , 久保田利通
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要：　坩堝３１内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法は、ドーパントガスの流れ方向に沿った支持軸３６を中心として、坩堝３１を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、ドーパントガスを半導体融液に吹き付ける。坩堝３１を回転させることで、内部の半導体融液に対流が生じ、吹き付けられたドーパントが半導体融液内に拡散し易くなる。
摘要翻译：提供了一种用于将蒸发的掺杂剂气体注入坩埚（31）中的半导体熔体中的掺杂剂注入方法。在该方法中，将掺杂剂气体吹向半导体熔体，同时沿着掺杂剂气体的流动方向以中心的支撑轴（36）顺时针和逆时针方向交替地旋转坩埚（31）。通过旋转坩埚在坩埚（31）内的半导体熔融物中产生约束流，并且吹入的掺杂剂容易扩散到半导体熔体中。

4. 发明申请

WO2008149687A1 ドーピング装置、及びシリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造硅单晶的抛光装置和方法
公开(公告)号：WO2008149687A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/059509
申请日：2008-05-23
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 久保田利通
发明人：鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 久保田利通
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/04 , C30B15/04 , C30B30/00
摘要：　ドーピング装置（４）は、上部に開口部（４１３Ａ）が形成され、半導体融液表面近傍で気化する第１ドーパント（Ｄ１）が収容される第１ドーパント収容部（４１）と、半導体融液表面近傍で液化する第２ドーパント（Ｄ２）を保持するとともに、液化したドーパントを下方に流す連通孔（４２２Ａ）が形成されたドーパント保持部（４２２）と、ドーパント保持部（４２２）の下部に設けられ、連通孔（４２２Ａ）から流れ出した液化したドーパントを半導体融液表面に導く導管（４２１）とを有する第２ドーパント収容部（４２）と、下端が開口し、上端が閉塞された筒状体（４３１）から構成され、第１ドーパント収容部（４１）及び第２ドーパント収容部（４２）を収容し、気化した第１ドーパントのドーパントガスを半導体融液表面に案内する案内部（４３）とを備える。
摘要翻译：掺杂装置（4）设置有第一掺杂剂储存部（41），第二掺杂剂储存部（42）和引导部（43）。第一掺杂剂存储部分在上部具有开口部分（413A），并且存储在半导体熔体的表面附近气化的第一掺杂剂（D1）。掺杂剂存储部分设置有掺杂剂保持部分（422），其保持在半导体熔体的表面附近液化的第二掺杂剂（D2），并且具有形成以使液化掺杂剂形成的连通孔（422A）向下流动和引导管（421），其布置在所述掺杂剂保持部分（422）的下部并且将从所述连通孔（422A）流出的液化掺杂剂引导到所述半导体熔体的表面。引导部分由具有开放的下端和闭合的上端的圆柱体（431）组成，存储第一掺杂剂储存部分（41）和第二掺杂剂储存部分（42），并引导第一掺杂剂掺杂剂到半导体熔体的表面。

5. 发明申请

WO2008146724A1 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶基板审中-公开
标题翻译：生产硅单晶和硅单晶基板的工艺
公开(公告)号：WO2008146724A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059510
申请日：2008-05-23
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 川添真一 , 久保田利通 , 鳴嶋康人 , 小川福生
发明人：川添真一 , 久保田利通 , 鳴嶋康人 , 小川福生
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203
摘要：　Ｎ型ドーパントを添加したシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、前記シリコン融液中のドーパント濃度をＣ（atoms／cm ３）、育成結晶側の平均温度勾配をＧave（K／mm）、引き上げ速度をＶ（mm／min）、ドーパントの種類に応じた係数をＡとしたときに、下記式（１）の関係を満たすように結晶を育成する。臨界ラインＧ１の左側の領域となるようにシリコン単結晶を育成することにより、組成的過冷却現象に起因する異常成長が発生することを防止できる。
摘要翻译：在通过Czochralski法由含有N型掺杂剂的硅熔体生长硅单晶的方法中，晶体以这样的方式生长，使得硅熔体中的掺杂剂浓度[C]（原子/ cm 3），晶体生长方向[Gave]（K / mm），拉伸速度[V]（mm / min）和根据掺杂剂类型[A]定义的系数的平均温度梯度满足下述要求：公式（1）。通过在包括在临界线（G1）左侧的区域内的条件下生长晶体，可以防止由组成过冷现象引起的单晶硅异常生长。

6. 发明申请

WO2008142992A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶的方法
公开(公告)号：WO2008142992A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/058482
申请日：2008-05-07
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 小川福生 , 川添真一 , 久保田利通
发明人：鳴嶋康人 , 小川福生 , 川添真一 , 久保田利通
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/04 , C30B29/06
摘要：　単結晶引き上げ装置（１）を利用した単結晶（６）の製造時における偏析の影響、揮発性ドーパントの蒸発面積、引き上げ速度の影響を考慮に入れて、ドーパント蒸発速度を算出するための蒸発速度式を導出する。引き上げ時の所定のタイミングにおいて、蒸発速度式から算出されるドーパント蒸発累積量が所定量となる状態に、チャンバ（３０）のガス流量および炉内圧力を制御する。このため、蒸発速度式に基づき予想した単結晶（６）の抵抗率プロファイルと、実際の抵抗率プロファイルとの差異を小さくすることができる。また、揮発性ドーパントを後から添加しないので、作業者の負担の増加、製造時間の長期化、チャンバ（３０）内に付着するアモルファスの増大、単結晶化の阻害、チャンバ（３０）内清掃時の負担の増加を抑制できる。
摘要翻译：用于计算掺杂剂蒸发速率的蒸发速率公式是通过考虑在制造期间单晶（6）的分离的影响而导致的，其中使用单晶拉制装置（1），挥发性掺杂剂的蒸发面积和影响拉速。在拉伸时的规定时刻，控制向室（30）的气体流量和炉内的压力，使得根据蒸发速度公式计算出的累积掺杂剂蒸发量为规定量。因此，基于蒸发速率公式预测的单晶（6）的电阻率分布与实际电阻率分布之间的差异减小。此外，由于以后不添加挥发性掺杂剂，所以操作者的负荷增加，制造时间的增加，附着在室（30）内的非晶体晶体的增加，单结晶化的干扰和室内（30）内的清洗负荷的增加）被抑制。

7. 发明申请

WO2010010628A1 単結晶の製造方法、整流筒、および、単結晶引き上げ装置审中-公开
标题翻译：生产单晶，流量调节管和单晶拉伸装置的方法
公开(公告)号：WO2010010628A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/JP2008/063398
申请日：2008-07-25
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 川添真一 , 小川福生 , 鳴嶋康人 , 久保田利通
发明人：川添真一 , 小川福生 , 鳴嶋康人 , 久保田利通
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/1064 , Y10T117/1072
摘要：　単結晶引き上げ装置（１Ａ）を利用して単結晶（６）を製造する際に、添加後成長前期間における整流筒（３５Ａ）の筒内圧力を３３３３１Pa～７９９９３Pa、整流筒（３５Ａ）内の不活性ガスの流速を０．０６m/sec～０．３１m/sec（０．００５～０．０５６SL/min・cm 2 ）に制御する。このため、添加後成長前期間における不活性ガスの流速を上述した値に制御することにより、筒内圧力を上述したような比較的高圧力に設定した条件であっても、不活性ガスの流れをスムーズにでき、不活性ガスの逆流に伴う揮発性ドーパントの蒸発を抑制できる。したがって、揮発性ドーパントがアモルファスとして整流筒（３５Ａ）内に付着して結晶成長中に落下したり、固着したりすることを抑制でき、単結晶化率の低下を抑制できるとともに、付着物の除去を容易にできる。
摘要翻译：在使用单晶拉制装置（1A）制造单晶（6）时，在添加后的预生长期间，将流量调节管（35A）的管内压力控制在33,331〜 79,993Pa，流量调节管（35A）内的惰性气体流量控制在0.06〜0.31m / sec（0.005〜0.056SL / min·cm2cm 2）。由于在加入后的预生长期间惰性气体的流量控制在上述值，即使在将管内压力设定为上述相对高的值的条件下，惰性气体的流动也可以是可以抑制归因于惰性气体的反向流动的挥发性掺杂物的平滑和任何蒸发。因此，可以实现阻止在晶体生长期间导致固定或滴落的流动调节管（35A）内部的无定形形式的挥发性掺杂剂的粘附，抑制转化率与单晶的比例的降低和促进去除粘附物质。

8. 发明申请

WO2008142993A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶的方法
公开(公告)号：WO2008142993A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/058483
申请日：2008-05-07
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 朝長恒成 , 太田康幸 , 久保田利通 , 西原慎介
发明人：鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 朝長恒成 , 太田康幸 , 久保田利通 , 西原慎介
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要：　引き上げ装置（１）を利用して、チャンバ（３０）内のガス流量（Ｖ）を４０L/min～４００L/min、炉内圧力（Ｐ）を５３３２Pa～７９９８０Paに設定した条件で単結晶（６）を製造する際に、液面直上位置（Ｑ）における不活性ガスの流速が速くなるに従って単結晶（６）の酸素濃度が低下する関係に基づいて、単結晶（６）における引上所定位置の酸素濃度を制御する。このため、上述した関係に基づいて、酸素濃度を上昇させる制御を適宜実施でき、所望の酸素濃度の単結晶（６）を製造できる。また、ガス流速を比較的遅くした条件下に対応する条件で酸素濃度を制御するため、単結晶における所望の酸素濃度プロファイルと、実際の酸素濃度プロファイルと、の差異を従来の構成と比べて小さくすることができる。
摘要翻译：在通过使用牵引装置（1）制造单晶（6）时，在室（30）中的气体流量（V）设定为40L / min-400L / min和压力（P）设定为5,332Pa-79,980Pa，基于以下关系控制单晶（6）上规定的拉拔位置处的氧浓度（其中，位置处的惰性气体的流速越快 Q）直接在液面上方变为单晶（6）的氧浓度越低。因此，基于这种关系，根据需要控制氧浓度增加，制造具有所需氧浓度的单晶（6）。此外，由于在与气体流速相对减少的条件相对应的条件下控制氧浓度，因此与常规构成相比，单晶的期望氧浓度分布与实际氧浓度分布之间的差异较小。

9. 发明申请

WO2008133278A1 シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット审中-公开
标题翻译：生产硅单晶的方法，其装置和硅单晶晶体
公开(公告)号：WO2008133278A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/JP2008/057862
申请日：2008-04-23
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 色川真弘 , 久保田利通
发明人：鳴嶋康人 , 川添真一 , 小川福生 , 色川真弘 , 久保田利通
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1056
摘要：　炉内の熱的環境の経時変化の影響を受けることなくドーパントの昇華速度を正確に制御できるようにする。収容室と供給管を備えたドーパント供給装置が設けられる。昇華可能なドーパントが収容されている。収容室内のドーパントが昇華された場合に昇華されたドーパントを融液に導く。ドーパント供給装置の収容室内のドーパントを加熱する。所望の昇華速度でドーパントが昇華されるように加熱手段による加熱量を制御する。シリコン単結晶の直胴部の前半部が形成されるまでのドーパント濃度が、低濃度の状態か、または無添加の状態となるように、融液にドーパントを供給する。シリコン単結晶の直胴部の前半部が形成された以降は、結晶各部が、ドーパントが所望する高濃度に添加された状態となるように、融液にドーパントを供給する。
摘要翻译：掺杂剂的升华速度可以精确控制，而不受炉内热环境随时间变化的影响。提供了配备有容纳室和供给管的掺杂剂供给单元。容纳可升华的掺杂剂。在容纳室内的掺杂剂升华后，升华的掺杂剂被引入熔体中。掺杂剂供应单元的容纳室内的掺杂剂被加热。加热装置的热剂量被控制以便以期望的升华速率使掺杂剂升华。将掺杂剂进料到熔体中，使得直到形成硅单晶的直线干部分的前半部分的掺杂剂浓度处于低浓度或非加成的状态。在形成硅单晶的直线部分的前半部分之后，将掺杂剂进料到熔体中，使得晶体的每一部分处于掺杂剂添加到期望的高浓度的状态。

10. 发明申请

WO2008010577A1 ドーパントの注入方法、Ｎ型シリコン単結晶、ドーピング装置及び引き上げ装置审中-公开
标题翻译：注射方法，N型硅单晶，喷涂装置和上拉装置
公开(公告)号：WO2008010577A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/064362
申请日：2007-07-20
申请人： SUMCO TECHXIV株式会社 , 川添真一 , 鳴嶋康人 , 久保田利通
发明人：川添真一 , 鳴嶋康人 , 久保田利通
IPC分类号： C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要：　半導体融液中に揮発性ドーパントを注入するドーパントの注入方法において、固体状態のドーパントを収容する収容部２２１と収容部２２１から排出されたガスが導入されるとともに、下端面が開口し、ガスを融液に導く筒状部２２２とを備えたドーピング装置２を使用し、収容部２２１内のドーパントの昇華速度を１０ｇ／min以上、５０ｇ／min以下とする。収容部２２１内のドーパントガスの昇華速度を１０ｇ／min以上、５０ｇ／min以下とすることにより、揮発したドーパントガスの流量を制御しているため、ガスを融液に吹き付けた際に、融液が吹き飛んでしまうことがない。
摘要翻译：在用于在半导体熔体中注入挥发性掺杂剂的掺杂剂注入的方法中，使用掺杂装置（2），其包括用于放料固体掺杂剂的放料部分（221）和用于引入从储存部分（221），其下端面处的管状部分（222）是打开的，以将气体引导到熔体中。调整放料部221中的掺杂剂的升华速度，使其在10〜50g / min的范围内。由于通过调节储存部分（221）中的掺杂剂气体的升华速率来控制蒸发的掺杂剂气体的流速，以使其落在10至50g / min的范围内，所以在吹制时可以避免任何熔体吹出的气体到熔体。

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