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1. 发明申请

WO2020259000A1 一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用审中-公开
公开(公告)号：WO2020259000A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/CN2020/084458
申请日：2020-04-13
申请人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
发明人：徐军 , 赵衡煜 , 王东海 , 李东振 , 王庆国
IPC分类号： C30B29/22 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/08 , C09K11/78
摘要：一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，按照化学通式(Lu 1-x M x Yb y ) 2 O 3 称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，烧结后，选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，获得晶体中掺杂了Yb 3+ 作为激活离子。

2. 发明申请

WO2011078243A1 金属フッ化物結晶、真空紫外発光素子及び真空紫外発光シンチレーター审中-公开
标题翻译：金属氟化物晶体，真空紫外线发光元件和真空超紫外线发光扫描仪
公开(公告)号：WO2011078243A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/073174
申请日：2010-12-22
申请人：株式会社トクヤマ , 国立大学法人東北大学 , 河口範明 , 石津澄人 , 福田健太郎 , 須山敏尚 , 吉川彰 , 柳田健之 , 横田有為 , 阿部直人
发明人：河口　範明 , 石津　澄人 , 福田　健太郎 , 須山　敏尚 , 吉川　彰 , 柳田　健之 , 横田　有為 , 阿部　直人
IPC分类号： C30B29/12 , C01F17/00 , C09K11/00 , C09K11/85 , C30B15/08 , G01T1/161 , G01T1/20 , G01T1/202
CPC分类号： C30B29/12 , C09K11/7773 , C30B15/08 , G21K4/00
摘要：【課題】真空紫外領域で高輝度発光するフッ化物を提供する。また、該フッ化物からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子、及び低バックグラウンドノイズのダイヤモンド受光素子やＡｌＧａＮ受光素子を、従来の光電子増倍管の代替として組み込んだ小型の放射線検出器に好適に使用できる真空紫外発光シンチレーターを提供する。【解決手段】Ｋ２ＮａＴｍ０．４Ｌｕ０．６Ｆ６、Ｋ２．１Ｎａ０．９ＴｍＦ６、Ｋ２ＮａＴｍＦ６、Ｋ２ＮａＴｍ０．９Ｆ５．７などの、化学式　Ｋ３－ＸＮａＸＴｍＹＺＬｕＹ（１－Ｚ）Ｆ３＋３Ｙ（式中、０．７＜Ｘ＜１．３、０．８５＜Ｙ＜１．１、０．００１≦Ｚ≦１．０である）で表される金属フッ化物結晶、並びに該結晶からなる真空紫外発光素子及び真空紫外発光シンチレーターである。
摘要翻译：公开了一种在真空紫外区域中以高亮度发光的氟化物。还公开了一种由氟化物形成并适用于光刻，半导体或液晶基板的清洗，灭菌，下一代大容量光盘，医疗护理（眼科治疗，DNA）的新型真空紫外线发光元件裂解）等; 以及适合用于小型辐射检测器的真空紫外光发射闪烁体，其中结合了具有低背景噪声的金刚石光接收元件或AlGaN光接收元件作为常规光电倍增管的替代。具体公开的是：由化学式K3-XNaXTmYZLuY（1-Z）F3 + 3Y表示的金属氟化物晶体（其中，0.7NaTT0.4Lu0.6F6，K2.1Na0.9TmF6，K2NaTmF6和K2NaTm0.9F5.7;真空由该晶体构成的紫外线发光元件;由该晶体构成的真空紫外线发光闪烁体。

3. 发明申请

WO2015146932A1 イリジウム又はイリジウム合金からなる金属線材审中-公开
标题翻译：金属线组成的IRIDI或IRIDIUM合金
公开(公告)号：WO2015146932A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/058786
申请日：2015-03-23
申请人：田中貴金属工業株式会社
发明人：吉川　彰 , 横田　有為 , 中村　宗樹 , 田中　邦弘 , 仲沢　達也 , 坂入　弘一
IPC分类号： B22D11/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C30B15/08 , C30B29/02 , C30B29/52
CPC分类号： B22D11/005 , B22D11/00 , B22D11/001 , B22D11/11 , B22D21/005 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22F1/18 , C30B15/08 , C30B29/02 , C30B29/52
摘要：　本発明は、イリジウム又はイリジウム含有合金からなる金属線材であって、長手方向の任意断面における結晶粒数が０．２５ｍｍ２当たり２～２０個であり、更に、任意部分のビッカース硬度が２００Ｈｖ以上４００Ｈｖ未満である金属線材である。このイリジウム線材は、μ－ＰＤ法により製造され残留応力の少ない状態にあり、再結晶温度（１２００℃～１５００℃）以上に加熱されても、結晶粒数や硬度の変化が少ない材料である。本発明に係る金属線材は、高温雰囲気下での耐酸化消耗性、機械的特性に優れる。
摘要翻译：本发明是由铱或含铱合金构成的金属线棒，其中纵向方向的任意横截面中的晶粒数为2〜20 / 0.25mm 2，任意给定部分的维氏硬度是200到小于400 Hv。该铱线棒是通过μ-PD法制造的材料，处于几乎没有残余应力的状态，即使加热到再结晶温度，晶粒数或硬度几乎没有变化（1,200〜1500 ℃）以上。该线金属棒在高温环境中具有优异的耐氧化性和机械性能。

4. 发明申请

WO2014058698A1 SHEET OF SEMICONDUCTING MATERIAL, SYSTEM FOR FORMING SAME, AND METHOD OF FORMING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体材料，其形成系统及其形成方法
公开(公告)号：WO2014058698A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/US2013/063201
申请日：2013-10-03
申请人： CORNING INCORPORATED , BISWAS, Samir , BLANDING, Douglass Lane , COOK, Glen Bennett , MAZUMDER, Prantik , SONI, Kamal Kishore , SUMAN, Balram
发明人： BISWAS, Samir , BLANDING, Douglass Lane , COOK, Glen Bennett , MAZUMDER, Prantik , SONI, Kamal Kishore , SUMAN, Balram
IPC分类号： C30B29/64 , C30B29/42 , C30B29/08 , C30B29/06 , C30B15/08
CPC分类号： H01L33/02 , C30B15/08 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/42 , C30B29/64 , H01L21/02
摘要： A method of forming a sheet of semiconductor material utilizes a system. The system comprises a first convex member extending along a first axis and capable of rotating about the first axis and a second convex member spaced from the first convex member and extending along a second axis and capable of rotating about the second axis. The first and second convex members define a nip gap therebetween. The method comprises applying a melt of the semiconductor material on an external surface of at least one of the first and second convex members to form a deposit on the external surface of at least one of the first and second convex members. The method further comprises rotating the first and second convex members in a direction opposite one another to allow for the deposit to pass through the nip gap, thereby forming the sheet of semiconductor material.
摘要翻译：形成半导体材料片的方法利用了一种系统。该系统包括沿着第一轴线延伸并且能够围绕第一轴线旋转的第一凸起构件和与第一凸起构件间隔开并且沿着第二轴线延伸并能够围绕第二轴线旋转的第二凸起构件。第一和第二凸起构件在它们之间限定了夹持间隙。所述方法包括将所述半导体材料的熔体施加在所述第一和第二凸起构件中的至少一个的外表面上，以在所述第一和第二凸起构件中的至少一个的外部表面上形成沉积物。该方法还包括使第一和第二凸出部件沿彼此相反的方向旋转，以允许沉积物通过夹持间隙，由此形成半导体材料片。

5. 发明申请

WO2011151757A1 PRODUCING A MONO-CRYSTALLINE SHEET 审中-公开
标题翻译：生产单晶片
公开(公告)号：WO2011151757A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/IB2011/052237
申请日：2011-05-23
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , BJOERK, Mikael T. , RIEL, Heike E. , SCHMID, Heinz
发明人： BJOERK, Mikael T. , RIEL, Heike E. , SCHMID, Heinz
IPC分类号： C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要： A method for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises: providing at least two aperture elements (1, 2) forming a gap (3) in-between; providing a molten alloy (4) comprising silicon in the gap (3) between said at least two aperture elements (1, 2); providing a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); providing a silicon nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (4); and bringing in contact said silicon nucleation crystal (6) and the molten alloy (4). A device (10, 20) for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises at least two aperture elements (1, 2) at a predetermined distance (D) from each other thereby forming a gap (3), and being adapted to be heated for holding a molten alloy (4) comprising silicon by surface tension in the gap (3) between the aperture elements (1,2 ); a means (15) for supplying a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); and a positioning means (16) for holding and moving a nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (2).
摘要翻译：单晶片（11），特别是硅片（11）的制造方法包括：在其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1,2）提供在所述至少两个孔元件（1,2）之间的间隙（3）中包含硅的熔融合金（4）; 在所述熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）; 在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）; 并与所述硅成核晶体（6）和熔融合金（4）接触。用于制造单晶片（11），特别是硅片（11）的装置（10,20）包括彼此间隔预定距离（D）的至少两个孔元件（1,2），从而形成间隙（3），并且适于被加热以保持在所述孔元件（1,2）之间的所述间隙（3）中通过表面张力保持包含硅的熔融合金（4）; 用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）; 以及用于保持和移动熔融合金（2）附近的成核晶体（6）的定位装置（16）。

6. 发明申请

WO99063132A1 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALS, AND MONOCRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于制造单晶和单晶的装置和方法
公开(公告)号：WO99063132A1
公开(公告)日：1999-12-09
申请号：PCT/JP1999/002848
申请日：1999-05-28
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/08 , C30B15/14 , C30B29/30
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/08 , C30B29/30 , Y10S117/91
摘要： An apparatus for manufacturing monocrystals, using a pull-down method, wherein a raw powder material (5p) is supplied onto a premelting plate (3) in an electric furnace (10) by a raw powder material supply unit (20) to melt the material (5p) thereon and form a material melted-liquid (5m), which is introduced into a crucible (2) continuously by dropping, to grow crystals (18), dry air being introduced into the raw powder material (5p) in a tank (6) therefor to prevent the material (5p) from being moisturized, a pipe (9) for transferring the raw powder material (5p) being cooled to prevent the material (5p) from being melted to clog the transfer pipe (9) with a melted material, whereby monocrystals having a stable chemical composition, a large diameter and a large length can be manufactured at a low cost.
摘要翻译：一种用于制造单晶的装置，使用下拉方法，其中原料粉末材料（5p）通过原料粉供料单元（20）供应到电炉（10）中的预熔板（3）上，以熔化在其上形成材料（5p），并通过滴加连续引入坩埚（2）中的熔融液体（5m），以生长晶体（18），将干燥空气引入到原料粉末材料（5p）中用于防止材料（5p）被保湿的罐（6），用于转移原料粉末材料（5p）的管道（9）被冷却以防止材料（5p）熔化以堵塞输送管道（9）具有熔融材料，由此可以以低成本制造具有稳定化学组成，大直径和大长度的单晶。

7. 发明申请

WO8903902A3 PROCESS AND DEVICE FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR PLATES 审中-公开
标题翻译：用于制造单晶半导体板的工艺和装置
公开(公告)号：WO8903902A3
公开(公告)日：1989-06-15
申请号：PCT/EP8800929
申请日：1988-10-17
申请人： WISOTZKI JUERGEN
发明人： WISOTZKI JUERGEN
IPC分类号： C30B15/08 , C30B15/34
CPC分类号： C30B15/34 , C30B15/08
摘要： In a process for manufacturing monocrystalline semiconductor plates, e.g. wafers, the melt (12) to be crystallized is introduced into a moulding shaft (14) connected to the bottom of the melting crucible (10). The moulding shaft has a smooth-walled inner surface machined to a high-quality optical finish and an inner width equal to the thickness of the semiconductor plates to be manufactured. As the monocrystal grows in the moulding shaft (14), it is pushed downward. When it reaches a sufficient length, the monocrystal can be severed perpendicular to the direction of feed at a distance from the length of an outer edge of the semiconductor plates to be manufactured.
摘要翻译：在制造单晶半导体板的过程中，例如，晶片，待结晶的熔体（12）被引入连接到熔化坩埚（10）底部的模制轴（14）。成型轴具有加工成高质量光学表面的光滑壁内表面和等于待制造的半导体板的厚度的内部宽度。随着单晶在成型轴（14）中生长，其被向下推。当达到足够的长度时，单晶可以在与要制造的半导体板的外边缘的长度相距一定距离的垂直于进给方向的方向上被切断。

8. 发明申请

WO1989003902A2 PROCESS AND DEVICE FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR PLATES 审中-公开
标题翻译：用于制造单晶半导体板的工艺和器件
公开(公告)号：WO1989003902A2
公开(公告)日：1989-05-05
申请号：PCT/EP1988000929
申请日：1988-10-17
申请人： WISOTZKI, Jürgen
IPC分类号： C30B15/08
CPC分类号： C30B15/34 , C30B15/08
摘要： In a process for manufacturing monocrystalline semiconductor plates, e.g. wafers, the melt (12) to be crystallized is introduced into a moulding shaft (14) connected to the bottom of the melting crucible (10). The moulding shaft has a smooth-walled inner surface machined to a high-quality optical finish and an inner width equal to the thickness of the semiconductor plates to be manufactured. As the monocrystal grows in the moulding shaft (14), it is pushed downward. When it reaches a sufficient length, the monocrystal can be severed perpendicular to the direction of feed at a distance from the length of an outer edge of the semiconductor plates to be manufactured.

9. 发明申请

WO2022052077A1 一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤及包层方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022052077A1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：PCT/CN2020/114960
申请日：2020-09-14
申请人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
发明人：李纳 , 徐军 , 徐晓东 , 王东海 , 王庆国 , 唐慧丽 , 吴锋
IPC分类号： G02B6/02 , G02B1/02 , C30B29/32 , C30B15/08 , C30B15/14 , C03B37/012 , C03B37/025
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤，包括外部包层和内部纤芯两部分，所述纤芯是由掺杂有一定浓度稀土离子的Bi 4Ge 3O 12单晶结构，所述包层为Bi 4Ge 3O 12结构，所述纤芯制备采用的原材料为稀土离子氧化物、Bi 2O 3、GeO 2，其中Bi 2O 3、GeO 2的摩尔比为1~2：3~4。本发明中设置有两层结构，包括外部包层和内部纤芯两部分，外部包层选用Bi 4Ge 3O 12制备的玻璃结构，内部纤芯为掺杂有稀土离子的Bi 4Ge 3O 12单晶结构，同时，还提供了上述光纤的制备方法，与现有技术相比，制备的光纤输出的激光更为高效、功率更高。

10. 发明申请

WO2012111850A1 多結晶ウェーハ及びその製造方法、並びに多結晶材料の鋳造方法审中-公开
标题翻译：多晶硅水泥，其制造方法和浇铸多晶材料的方法
公开(公告)号：WO2012111850A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2012/054338
申请日：2012-02-16
申请人：株式会社SUMCO , 村上義男
发明人：村上　義男
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/02 , C30B15/08
CPC分类号： C30B11/001 , C30B28/06
摘要：本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハの製造方法は、この鋳造方法により得られた多結晶インゴットを切断して、多結晶ブロックに分割し、該多結晶ブロックをスライスすることを特徴とする。さらに、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。
摘要翻译：铸造多晶材料的这种方法的特征在于控制电磁铸造中熔体的冷却速度。该多晶晶片的制造方法的特征在于，切割通过该铸造法得到的多晶锭，将锭分割为多晶块，并切割多晶块。此外，该多晶晶片的特征在于，与中心部分相比，边缘部分的强度（维氏硬度）高。

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