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1. 发明申请

WO2018090334A1 HIGH VOLTAGE LEVEL SHIFTER WITH SHORT PROPAGATION DELAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2018090334A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：PCT/CN2016/106443
申请日：2016-11-18
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： FENG, Jie , WANG, Xiaonan , FAN, Bo , ZHU, Danyang
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K5/003 , H03K5/19 , H03K17/04123 , H03K19/017509 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081
摘要： A lever shifter (100) includes an output driver (112) and a high-side gate driver (104). The high-side gate driver (104) is configured to drive the high-side output transistor (112), and is coupled to an on pulse signal line that conducts an on pulse, and is coupled to an off pulse signal line that conducts an off pulse. The high-side gate driver (104) includes a blocking circuit (106) configured to enable generation of a drive signal to the high-side output transistor (112) based on a voltage of a first of the on or off pulse signal line being greater than a first predetermined amount and a voltage of a second of the on or off signal line being less than a second predetermined amount.

2. 发明申请

WO2016200446A1 NEGATIVE HIGH VOLTAGE HOT SWITCHING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：负压高压开关电路
公开(公告)号：WO2016200446A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/US2016/019049
申请日：2016-02-23
申请人： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人： MOSCALUK, Gary , GEORGESCU, Bogdan , WILLIAMS, Timothy
IPC分类号： H03K17/687 , G11C16/02 , G11C16/30
CPC分类号： H03K17/04123 , G11C5/147 , G11C5/148 , G11C7/1084 , G11C11/2297 , G11C11/417 , G11C16/30 , G11C17/08 , H03K3/356182 , H03K19/017 , H03K19/018507
摘要： A biasing circuit includes cascoded transistors including a first transistor and a second transistor. A first gate of the first transistor is coupled to a second gate of the second transistor at a first node. The circuit also includes a voltage control circuit coupled to at least one of the first transistor or the second transistor. The voltage control circuit is configured to change a voltage level of at least one of the first transistor or the second transistor to allow voltage domain transition of an output signal in view of a change in state of an input signal without ramping a supply signal of the biasing circuit.
摘要翻译：偏置电路包括包括第一晶体管和第二晶体管的级联晶体管。第一晶体管的第一栅极在第一节点耦合到第二晶体管的第二栅极。电路还包括耦合到第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的电压控制电路。电压控制电路被配置为根据输入信号的状态变化而改变第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的电压电平，以允许输出信号的电压域转变，而不会使输入信号的电源信号偏置电路。

3. 发明申请

WO2016185802A1 駆動回路审中-公开
标题翻译：驱动电路
公开(公告)号：WO2016185802A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/JP2016/059959
申请日：2016-03-28
申请人：富士電機株式会社
发明人：赤羽　正志
IPC分类号： H03K17/16 , H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/687 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K17/08122 , H03K3/033 , H03K3/037 , H03K5/1252 , H03K17/163 , H03K17/18 , H03K17/223 , H03K19/018507 , H03K2017/0806
摘要：駆動回路のドライバの出力をハードシャットダウンしたことに伴うサージ電圧の発生を抑制する。これにより、駆動回路内の素子がサージ電圧により破壊されることを防ぐ。前段回路からの入力信号を、入力信号よりも高い電圧の出力信号に変換するレベルシフト回路と、前段回路の状態を示す状態信号に基づいて、スイッチ素子をソフトシャットダウンするか否かを決定する制御部とを備え、スイッチ素子を駆動する駆動回路を提供する。
摘要翻译：本发明的目的是抑制与驱动电路中的驱动器的输出的硬停机相关联的浪涌电压。以这种方式，可以防止作为浪涌电压的结果的驱动电路中的元件的故障。提供了一种驱动开关元件的驱动电路，该驱动电路设置有：电平移位电路，其将来自先前电路的输入信号转换为具有比输入信号更高的电压的输出信号; 以及控制单元，其基于指示先前电路的状态的状态信号，确定是否执行开关元件的软关闭。

4. 发明申请

WO2016160328A1 DRIVE FOR CASCODE STACK OF POWER FETS 审中-公开
标题翻译：驱动电源FET的插座堆栈
公开(公告)号：WO2016160328A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/US2016/022506
申请日：2016-03-15
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： GUPTA, Vishal , YUNG, Chifan , DUNCAN, Joseph
IPC分类号： H03K17/10 , H03F3/217
CPC分类号： H03K19/018507 , H03F3/2173 , H03F2203/30015 , H03F2203/30084 , H03F2203/30099 , H03F2203/30117 , H03F2203/30132 , H03K17/102
摘要： Disclosed is a cascode configuration that moves the gate of the cascode substantially without delay relative to an output node by capacitively coupling the latter onto the cascode gates. The passive coupling eliminates the need for actively driving the gates of the cascode. In some embodiments, the only circuitry needed on the cascode gate may be a biasing circuit that limits the swing on the cascode gate between V max and 2V max , where V max is a transistor device rating.
摘要翻译：公开了一种共源共栅结构，其通过将电容耦合到共源共栅电路上而相对于输出节点基本上没有延迟地移动共源共栅的栅极。无源耦合消除了积极驱动共源共栅的栅极的需要。在一些实施例中，级联栅极上所需的唯一电路可以是偏置电路，其限制级联栅极上的Vmax和2Vmax之间的摆幅，其中Vmax是晶体管器件额定值。

5. 发明申请

WO2016073121A2 HIGH-SPEED LEVEL-SHIFTING MULTIPLEXER 审中-公开
标题翻译：高速水平移位多路复用器
公开(公告)号：WO2016073121A2
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/US2015054307
申请日：2015-10-06
申请人： QUALCOMM INC
发明人： BOWLES KEVIN ROBERT , CORONA JOSE GABRIEL , BOYNAPALLI VENUGOPAL
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K19/018528 , H03K3/35613 , H03K17/002 , H03K17/005 , H03K19/018507
摘要： Systems and methods for level-shifting multiplexing are described herein. In one embodiment, a method for level-shifting multiplexing comprises selecting one of a plurality of inputs based on one or more select signals, and pulling down one of first and second nodes based on a logic state of the selected one of the plurality of inputs. The method also comprises pulling up the first node if the second node is pulled down, and pulling up the second node if the first node is pulled down.
摘要翻译：本文描述了用于电平转换复用的系统和方法。在一个实施例中，一种用于电平转换复用的方法包括：基于一个或多个选择信号选择多个输入中的一个，并且基于所述多个输入中所选择的一个输入的逻辑状态来下拉第一和第二节点中的一个。如果第二节点被拉下来，该方法还包括拉起第一节点，并且如果第一节点被拉下来则提升第二节点。

6. 发明申请

WO2016044480A1 HALF BRIDGE POWER CONVERSION CIRCUITS USING GAN DEVICES 审中-公开
标题翻译：使用GAN器件的半桥电源转换电路
公开(公告)号：WO2016044480A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/US2015/050517
申请日：2015-09-16
申请人： NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人： KINZER, Daniel M. , SHARMA, Santosh , ZHANG, Ju Jason
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02J7/0052 , H01L23/528 , H01L25/072 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02M1/088 , H02M3/155 , H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H03K3/012 , H03K3/356017 , H03K17/102 , H03K19/018507 , Y02B70/1466 , Y02B70/1483
摘要： GaN-based half bridge power conversion circuits employ control, support and logic functions that are monolithically integrated on the same devices as the power transistors. In some embodiments a low side GaN device communicates through one or more level shift circuits with a high side GaN device. Both the high side and the low side devices may have one or more integrated control, support and logic functions. Some devices employ electro-static discharge circuits and features formed within the GaN-based devices to improve the reliability and performance of the half bridge power conversion circuits
摘要翻译：基于GaN的半桥功率转换电路采用单片集成在与功率晶体管相同的器件上的控制，支持和逻辑功能。在一些实施例中，低边GaN器件通过一个或多个电平移位电路与高侧GaN器件通信。高侧和低侧设备都可以具有一个或多个集成的控制，支持和逻辑功能。一些器件采用静电放电电路和形成在GaN基器件内的特征，以提高半桥功率转换电路的可靠性和性能

7. 发明申请

WO2013118521A1 レベル変換回路、およびレベル変換機能付き論理回路审中-公开
标题翻译：具有电平转换功能的电平转换电路和逻辑电路
公开(公告)号：WO2013118521A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/JP2013/050158
申请日：2013-01-09
申请人：株式会社村田製作所
发明人：徳田勝利
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/017509 , H03K19/018507
摘要：レベル変換回路（１０）は、ＥＦＥＴ（１１）、ダイオード（１２）、抵抗器（１３，１４）を備える。ＥＦＥＴ（１１）のドレインは、レベル変換回路（１０）の出力端子に接続されている。ＥＦＥＴ（１１）のドレインとゲートは導通されている。ＥＦＥＴ（１１）のソースは、抵抗器（１３）を介して接地されている。ＥＦＥＴ（１１）のドレインは、抵抗器（１４）の一方端に接続されている。抵抗器（１４）の他方端は、ダイオード（１２）のカソードに接続されている。ダイオード（１２）のアノードは制御用の電圧入力端子に接続されている。
摘要翻译：电平转换电路（10）装备有EFET（11），二极管（12）和电阻（13,14）。 EFET（11）的漏极连接到电平转换电路（10）的输出端子。 EFET（11）的漏极和栅极是导电的。 EFET（11）的源极通过电阻（13）接地。 EFET（11）的漏极连接到电阻（14）的一端。电阻器（14）的另一端连接到二极管（12）的阴极。二极管（12）的阳极连接到用于控制的电压输入端子。

8. 发明申请

WO2013046898A1 レベルシフト回路审中-公开
标题翻译：水平移位电路
公开(公告)号：WO2013046898A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/069103
申请日：2012-07-27
申请人：シャープ株式会社 , 木原誠一郎 , 内海俊一
发明人：木原　誠一郎 , 内海　俊一
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K3/013 , H03K3/356 , H03K3/356069 , H03K19/0013 , H03K19/018507
摘要：ノイズによる誤動作の可能性が低く、低電力動作が可能なレベルシフト回路を提供する。レベルシフト回路１は、入力信号Ｓｉｎと同相及び逆相の信号を夫々ゲート入力とする第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１２ａ，１２ｂと、レベルシフト後の出力信号の高レベル側の出力電圧を供給するシフトレベル電源端子と一端が接続し、他端が第１及び第２のＭＯＳＦＥＴの各ドレインと各別に接続する第１及び第２抵抗素子１３ａ，１３ｂと、１対の差動入力端子が第１及び第２のＭＯＳＦＥＴの各ドレインに各別に接続するコンパレータ１４と、第１抵抗素子を経由して第１のＭＯＳＦＥＴに流れる第１電流の電流量と、第２抵抗素子を経由して第２のＭＯＳＦＥＴに流れる第２電流の電流量を、入力信号の信号レベルの立ち上り及び立下りに夫々同期して制御する電流制御回路１６を備える。
摘要翻译：提供一种电平移位电路，其由于噪声而具有低的误操作的可能性，并且可以以低功率工作。电平移位电路（1）包括：使用与输入信号（Sin）作为栅极输入相同和相反相位的信号的第一和第二MOSFET（12a，12b）; 第一和第二电阻元件（13a，13b）一端连接有移位电平源端子，用于在电平移位之后提供输出信号的高电平输出电压，并且在另一端单独连接到第一和第第二个MOSFET; 比较器（14），其中一对差分输入端子分别连接到第一和第二MOSFET的各个漏极; 以及电流控制电路（16），用于同步地控制流过第一电阻元件的第一电流量与第一MOSFET的量以及流过第二电阻元件的第二电流量与第二MOSFET的量随着输入信号信号电平的上升和下降。

9. 发明申请

WO2009022654A1 スイッチ回路及び半導体装置审中-公开
标题翻译：开关电路和半导体器件
公开(公告)号：WO2009022654A1
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/JP2008/064321
申请日：2008-08-08
申请人：日本電気株式会社 , 高橋裕之
发明人：高橋裕之
IPC分类号： H03K17/00 , H03K17/687 , H03K17/693 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/0005 , H03K17/102 , H03K17/162 , H03K17/693 , H03K19/018507
摘要：　高周波信号を通過させる、または遮断するためのスイッチ回路であって、高周波信号の直流電位を基準とする正負の変化に対して、いずれかの高周波端子から見たインピーダンスが直流電位を基準に対称に変化するように、スイッチ回路に存在する、直流電位を基準に非対称に変化するインピーダンス成分を補正するための補正回路を有する。
摘要翻译：提供用于通过或中断高频信号的开关电路。开关电路具有用于校正存在于开关电路中的阻抗分量的校正电路，并且以直流电位为参考不对称地变化，使得从高频端子中的一个观察到的阻抗以直流电位对称地改变为参考，以直流电位为参考的高频信号的正/负变化。

10. 发明申请

WO2008149480A1 受信回路及びデータ伝送システム审中-公开
标题翻译：接收电路和数据传输系统
公开(公告)号：WO2008149480A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/000352
申请日：2008-02-26
申请人：パナソニック株式会社 , 吉河武文
发明人：吉河武文
IPC分类号： H04L25/02 , H03K19/0175 , H04L25/49
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K3/356017 , H03K5/06 , H03K5/133 , H03K2005/00058 , H03K2005/00241 , H04L25/0272 , H04L25/028 , H04L25/0292 , H04L25/08 , H04L25/493
摘要：　伝送線路に現れる電圧振幅を抑えられるようにする。電流によって情報を伝送する第１及び第２の伝送線路に接続される受信回路であって、第１及び第２の電流源と、それぞれに流れる電流を電圧に変換する第１及び第２の変換部と、ソースが前記第１の電流源及び前記第１の伝送線路に接続され、ドレインが前記第１の変換部に接続された第１のトランジスタと、ソースが前記第２の電流源及び前記第２の伝送線路に接続され、ドレインが前記第２の変換部に接続された第２のトランジスタとを有する。前記第１のトランジスタのゲート及びドレインは、前記第２のトランジスタのドレイン及びゲートにそれぞれ接続されている。
摘要翻译：一种能够降低出现在传输线上的电压振幅的接收机电路。与用于通过电流信号传输信息的第一和第二传输线连接的接收器电路具有第一和第二电流源，用于将每个流动电流转换成电压的第一和第二信号转换部分，其源极连接到第一电流源和第一传输线，并且其漏极连接到第一信号转换部分，以及第二晶体管，其源极连接到第二电流源和第二传输线，并且其漏极连接到第二信号转换部分。第一晶体管的栅极和漏极分别与第二晶体管的漏极和栅极连接。

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