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    • 4. 发明申请
    • MULTI-STAGE GATE TURN-OFF WITH DYNAMIC TIMING
    • 多级门关闭与动态时序
    • WO2016005501A1
    • 2016-01-14
    • PCT/EP2015/065712
    • 2015-07-09
    • POWER INTEGRATIONS SWITZERLAND GMBH
    • THALHEIM, Jan
    • H03K17/082H03K17/16
    • H03K17/56H02H3/08H03K17/0828H03K17/163H03K17/168
    • A circuit (342, 346) for turning off a power semiconductor switch (304) includes a turn-off transistor (364) coupled to switch a signal for turning off the power semiconductor switch onto a control terminal of the power semiconductor switch and a feedback control loop for controlling a voltage (UGE) on the control terminal of the power semiconductor switch during turn-off. The feedback loop includes a feedback path to feedback a measurement of the voltage of the control terminal of the power semiconductor switch, a control terminal reference voltage generator to generate a time-dependent reference voltage (UREF), an error amplifier (368) to generate an error signal representative of a difference between the voltage of the control terminal and the time-dependent reference voltage, and a forward path to convey the error signal forward for controlling the switching of the signal for turning off the power semiconductor switch onto the control terminal of the power semiconductor switch by the turn-off transistor.
    • 用于关闭功率半导体开关(304)的电路(342,346)包括关断晶体管(364),其耦合以切换用于将功率半导体开关截止到功率半导体开关的控制端子的信号,以及反馈 用于在关断期间控制功率半导体开关的控制端上的电压(UGE)的控制回路。 反馈回路包括用于反馈功率半导体开关的控制端子的电压的测量的反馈路径,控制端子参考电压发生器,以产生时间依赖参考电压(UREF),误差放大器(368)以产生 表示控制端子的电压与时间相关的参考电压之间的差异的误差信号,以及向前传送误差信号的前向通路,用于控制用于将功率半导体开关截止到控制端子的信号的切换 的功率半导体开关由关断晶体管组成。
    • 7. 发明申请
    • ゲート駆動回路
    • 门控驱动电路
    • WO2014199818A1
    • 2014-12-18
    • PCT/JP2014/063921
    • 2014-05-27
    • 富士電機株式会社
    • 赤羽 正志
    • H03K17/687H03K17/14H03K17/56
    • H03K17/6872H03K17/145H03K17/163H03K2217/0063
    •  スイッチング素子のゲートに一定電流を供給して該スイッチング素子をオン駆動する出力トランジスタと、PチャネルMOS-FETとnチャネルMOS-FETとからなり、ゲート制御信号を入力して前記出力トランジスタをオン・オフ駆動するCMOS構成のプリドライバと、定電流用トランジスタのゲート電圧を制御して該定電流用トランジスタに流れる電流を一定化する基準電流源と、前記定電流用トランジスタのゲート電圧を前記プリドライバの動作基準電圧として印加するバッファアンプとを備える。
    • 该栅极驱动电路设置有:通过向所述开关元件中的栅极提供恒定电流而使开关元件导通的输出晶体管; CMOS预驱动器,其包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET,并且输入栅极控制信号以使输出晶体管导通或关断; 控制恒流晶体管的栅极电压以便保持流经所述恒流晶体管的电流恒定的参考电流源; 以及缓冲放大器,其将恒流晶体管的栅极电压作为前驱动器的工作参考电压。
    • 8. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM EINSCHALTEN ODER ABSCHALTEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    • 方法和设备进行切换,或关机的电子元件
    • WO2014173969A1
    • 2014-10-30
    • PCT/EP2014/058266
    • 2014-04-23
    • CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH
    • SCHUBERT, GöranPSCHORR, AndreasANTONGIROLAMI, DiegoBLEY, Ulrich
    • H03K17/16H03K17/0412H03K17/042
    • H03K17/687H03K17/04123H03K17/04206H03K17/163H03K17/166H03K17/567
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum mittels eines Pulsweitenmodulationssignals (16) gesteuerten Einschalten oder Abschalten eines elektronischen Bauelements (8), das zur Ausgabe eines mittels eines Steuersignals (S) steuerbaren Ausgabesignals(VDS) ausgebildet ist. Das Ein- oder Abschalten wird innerhalb einer Pulsweitenmodulationstaktperiode zu einem Pegelwechselzeitpunkt (t0) durch eine Änderung des Pulsweitenmodulationssignals (16) initiiert. Es werden wenigstens ein erster Steuerwert (Ig1, Vg1') und, ein zweiter Steuerwert (Ig0, Vg0') des Steuersignals (S) vorgegeben und das Steuersignal (S) wird innerhalb jeder Pulsweitenmodulationstaktperiode zwischen dem Pegelwechselzeitpunkt (t0) und einem ersten Umschaltzeitpunkt (t1) auf den ersten Steuerwert (Ig1, Vg1'), zwischen dem ersten Umschaltzeitpunkt (t1) und einem zweiten Umschaltzeitpunkt (t2) auf den zweiten Steuerwert (Ig0, Vg0') und ab dem zweiten Umschaltzeitpunkt (t2) bis zum Erreichen eines Gatespannungsendwertes am Gate (9) des elektronischen Bauelements (8) auf einen dritten Steuerwert (Ig02, Vg02´) eingestellt. Jeder Umschaltzeitpunkt (t1, t2) einer Pulsweitenmodulationstaktperiode wird in Abhängigkeit von einer während einer vorangehenden Pulsweitenmodulationstaktperiode ermittelten Amplitudengröße derart bestimmt, dass Schwingungsamplituden der Oszillation des Ausgabesignals (VDS) begrenzt werden.
    • 本发明通过控制接通或断开其由(S)可控输出信号(VDS)的装置适合于输出一个控制信号的电子部件(8)的脉冲宽度调制信号(16)的装置涉及一种方法。 开启或关闭的切换的脉冲宽度调制时钟周期通过改变脉冲宽度调制信号(16)的电平变化时刻(T0)内开始。 的第一控制值(IG1,VG1“)和,一个第二控制值(IG0,VG0”)至少设置控制信号(S)和控制信号(S)是(电平变化时刻(T0)和第一开关时间之间的每个脉冲宽度调制时钟周期内 T1)(第一控制值IG1,VG1“),(第一切换时间t1之间)和第二开关时间(t2)到第二控制值(IG0,VG0”)和从所述第二开关时间(t2)直到栅极电压端值 在电子部件(8)的第三控制值(Ig02,VG02' )的栅极(9)。 每个开关时间的脉冲宽度调制时钟周期(T1,T2)是依赖确定在在前的脉冲宽度调制时钟周期振幅大小使得输出信号(VDS)的振荡的振荡幅度是有限的期间检测到的。
    • 9. 发明申请
    • OUTPUT DRIVER HAVING IMPROVED SWITCHING DELAY AND ASSOCIATED METHODS
    • 具有改进的开关延迟和相关方法的输出驱动器
    • WO2014105301A1
    • 2014-07-03
    • PCT/US2013/071165
    • 2013-11-21
    • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC
    • FERNANDEZ, DevonDROUIN, Mathew
    • H03K17/16
    • H03K5/12H03K17/163
    • A switching device (300) for driving a load (14) is provided. The switching device comprises a control terminal (304) and has a conduction threshold which, when crossed by a control signal (305, V gate ) coupled to the control terminal, causes the switching device to conduct. A control circuit (306, 308, 310, 312, 314, 316, 318, 320, 322) for generating the control signal is also provided. The control circuit is configured to generate a control signal (305) having a first slew rate (between TO and Tl') prior to the control signal crossing the conduction threshold (at Tl') and a second slew rate after the control signal has crossed the conduction threshold. The first slew rate being larger than the second slew rate.
    • 提供一种用于驱动负载(14)的开关装置(300)。 开关装置包括控制端子(304),并且具有导通阈值,当与耦合到控制端子的控制信号(305,Vgate)交叉时,导通开关装置导通。 还提供了用于产生控制信号的控制电路(306,308,310,312,314,316,318,320,322)。 控制电路被配置为在控制信号跨越导通阈值(T1)之后产生具有第一压摆率(在TO和T1'之间)的控制信号(305)和控制信号已经越过之后的第二压摆率 导通阈值。 第一个转换速率大于第二个转换速率。
    • 10. 发明申请
    • VERFAHREN UND SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SCHALTEN EINES HALBLEITERSCHALTERS
    • 方法和电路,用于切换半导体开关
    • WO2014063959A1
    • 2014-05-01
    • PCT/EP2013/071519
    • 2013-10-15
    • CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH
    • HORNSTEIN, ChristophBLEY, UlrichKÜHNEN, Kai
    • H03K4/02H03K17/567H03K19/003
    • H02M1/08H02M2001/0054H02P27/04H03K4/02H03K17/163H03K17/168H03K19/003H03K2217/0036Y10T307/977
    • Offenbart wird ein Verfahren zum Schalten eines Halbleiterschalters von einem ersten statischen Schaltzustand zu einem zweiten statischen Schaltzustand durch Steuern eines Steueranschlusses (SHS) des Halbleiterschalters (HS1), mit - stromgesteuertem Schalten (S410, S420, S440, S450) des Halbleiterschalters ausgehend von dem ersten statischen Schaltzustand in einer ersten Schaltphase (S1, S2) durch gesteuertes Einprägen zumindest einesersten, vorbestimmten Ansteuerstromes (IAS1) an dem Steueranschluss (SHS) des Halbleiterschalters (HS1), und - spannungsgesteuertem Schalten (S430, S460) des Halbleiterschalters in einer der ersten Schaltphase (S1, S2) folgenden, zweiten Schaltphase (S3) durch gesteuertes Anlegen zumindest einer ersten, vorbestimmten Ansteuerspannung (UAS1) an dem Steueranschluss (SHS) des Halbleiterschalters (HS1), bis der zweite statische Schaltzustand erreicht ist. Dadurch werden Schaltverluste reduziert.
    • 从第一电流控制开关的半导体开关的(S410,S420,S440,S450) - 用于通过控制半导体开关(HS1)的与本发明公开的控制端子(SHS)的第一静态开关状态的半导体开关的切换到第二静态开关状态的方法 在第一开关阶段的第一静态开关状态(S1,S2)由在控制端子的半导体开关的(SHS)(HS1),和控制压印至少预定的驱动电流(IAS1) - 电压开关(S430,S460)所述半导体开关中的第一开关阶段中的一个 (S1,S2),按照所述第二开关阶段(S3)通过在半导体开关(HS1)向第二静态开关状态的控制端子(SHS)可控地施加至少一个第一预定控制电压(UAS1)为止。 此开关损耗降低。